為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計進程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。

意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiPs將GaN功率晶體管與經(jīng)特殊優(yōu)化的柵極驅(qū)動器相結(jié)合，以確保開關(guān)快速且受控。使用此類SiP代替分立器件的等效網(wǎng)絡(luò)有助于增強性能和可靠性，同時加速設(shè)計并節(jié)省PCB空間。

全新的參考設(shè)計針對的是空間有限但效率至關(guān)重要的工業(yè)應(yīng)用。結(jié)合MasterGaN1L（含兩個650V 150m GaN-FET，采用意法半導(dǎo)體的L6599A諧振控制器），PSU的峰值效率超過94%，且能在初級側(cè)無散熱器的情況下運行。該裝置還利用了意法半導(dǎo)體的SRK2001A同步整流控制器，80mmx50mm的整體尺寸十分緊湊，功率密度高達34W/inch^3。

PSU可提供高達10A的輸出電流，相當(dāng)于24Vdc下的250W，同時待機電流消耗低于1μA，擁有出色的節(jié)能效果。L6599A和SRK2001A內(nèi)置的保護功能可確保對過電流、短路和過電壓的彈性保護，而輸入電壓監(jiān)測則可確保啟動正確并提供欠壓鎖定功能。

關(guān)鍵特性

緊湊的高效率解決方案，面向使用

MasterGaN1L轉(zhuǎn)換

輸出電壓：24V

輸出功率：高達250W

標(biāo)稱輸入電壓：400V+/-10%

效率：>92%

輸出具有短路和過電流保護

輸入電壓監(jiān)控用于管理正確的D2D轉(zhuǎn)換器序列，并具有欠壓保護功能

板子尺寸：80x50（WxH）mm。最大組件高度：30mm

符合WEEE和RoHS標(biāo)準(zhǔn)

EVL250WMG1L現(xiàn)已上市，整套預(yù)裝系統(tǒng)可直接進行測試驗證。產(chǎn)品頁面上發(fā)布了全面的相關(guān)文檔，以幫助系統(tǒng)設(shè)計者加快GaN電源項目。