LM5575 是一款易于使用的 SIMPLE SWITCHER? 降壓穩(wěn)壓器，允許設(shè)計(jì) 工程師使用最少的組件集設(shè)計(jì)和優(yōu)化穩(wěn)健的電源。經(jīng)營(yíng) LM5575 的輸入電壓范圍為 6 - 75V，可提供 1.5A 的連續(xù)輸出電流 集成330mΩ N溝道MOSFET。穩(wěn)壓器采用仿真電流模式架構(gòu) 提供固有的線路調(diào)節(jié)、嚴(yán)格的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和易于環(huán)路的 補(bǔ)償，不受與電流模式相關(guān)的低占空比的通常限制 監(jiān)管 機(jī)構(gòu)。工作頻率可在 50kHz 至 500kHz 之間調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)優(yōu)化 尺寸和效率。為了降低EMI，頻率同步引腳允許多個(gè)IC來(lái)自 LM（2）557x 系列，用于自同步或同步到外部時(shí)鐘。LM5575 確保 具有逐周期電流限制、短路保護(hù)、熱關(guān)斷和 遠(yuǎn)程關(guān)機(jī)。該器件采用功率增強(qiáng)型HTSSOP-16封裝，具有 用于散熱的裸露芯片連接墊。LM5575 由全套 WEBENCH 在線設(shè)計(jì)工具。
*附件：lm5575.pdf

特性

• LM5575Q 是符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)（-40°C 至 + 125°C 工作結(jié)溫）的汽車級(jí)產(chǎn)品
• 集成75V、330mΩ N溝道MOSFET
• 6V至75V的超寬輸入電壓范圍
• 可調(diào)輸出電壓低至1.225V
• 1.5% 反饋參考精度
• 工作頻率可在50kHz至500kHz之間調(diào)節(jié)，采用單電阻
• 主頻率或從頻率同步
• 可調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)
• 仿真電流模式控制架構(gòu)
• 寬帶寬誤差放大器
• 內(nèi)置保護(hù)
• 可根據(jù)要求提供符合AEC-Q100 0級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表。
  • （?40°C至+150°C工作結(jié)溫）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LM5575是德州儀器（TI）推出的SIMPLE SWITCHER?系列降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，集成75V/330mΩ N溝道MOSFET，輸入電壓范圍6V-75V，輸出電流達(dá)1.5A。采用仿真電流模式控制架構(gòu)，支持50kHz-500kHz可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率，適用于汽車、工業(yè)等高輸入電壓場(chǎng)景。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?寬輸入范圍?：6V-75V，支持汽車?yán)鋯?dòng)等高瞬態(tài)電壓場(chǎng)景。
• ?高精度輸出?：反饋基準(zhǔn)精度±1.5%，輸出電壓可低至1.225V。
• ?靈活頻率控制?：通過(guò)單電阻調(diào)節(jié)頻率，支持主/從同步功能。
• ?全面保護(hù)?：
  • 逐周期電流限制（2.1A典型值）
  • 熱關(guān)斷（165°C觸發(fā)）
  • 遠(yuǎn)程關(guān)斷（SD引腳控制）
• ?低EMI設(shè)計(jì)?：SYNC引腳支持多芯片同步或外部時(shí)鐘同步。

?3. 功能模塊詳解?

• ?高壓啟動(dòng)穩(wěn)壓器?：雙模式設(shè)計(jì)，VIN<9V時(shí)直連VCC，>9V時(shí)穩(wěn)壓至7V，支持外部輔助供電降低功耗。
• ?電流模式控制?：
  • 采用仿真電流斜坡技術(shù)，避免傳統(tǒng)電流檢測(cè)的脈沖干擾問(wèn)題。
  • RAMP引腳外接電容（CRAMP）模擬電感電流斜率，推薦CRAMP = L×10??（L為電感值）。
• ?軟啟動(dòng)?：SS引腳外接電容控制啟動(dòng)時(shí)間（tSS=CSS×1.225V/10μA）。

?4. 典型應(yīng)用設(shè)計(jì)?

• ?電感選擇?：需滿足峰值電流（IPK+ = IOUT+ΔIL/2）及飽和電流要求，例：47μH/3.25A飽和電流電感。
• ?輸入/輸出電容?：
  • 輸入：低ESR陶瓷電容（如2×1μF/100V），RMS電流需>IOUT/2。
  • 輸出：組合使用陶瓷電容（10μF）和有機(jī)鋁電容（120μF）以兼顧紋波與瞬態(tài)響應(yīng)。
• ?二極管?：必須選用肖特基二極管（如100V/CMSH3-100），避免反向恢復(fù)電流損壞MOSFET。

?5. PCB與散熱設(shè)計(jì)?

• ?布局要點(diǎn)?：
  • 縮短功率回路（VIN→SW→電感→負(fù)載→PGND）路徑以降低寄生電感。
  • AGND與PGND通過(guò)器件底部裸露焊盤連接至地平面。
• ?散熱優(yōu)化?：
  • 裸露焊盤需通過(guò)多過(guò)孔連接至地平面，典型熱阻θJA=50°C/W（無(wú)風(fēng)冷）。
  • 高輸入電壓工況下需計(jì)算IC功耗（例：70V輸入/1.5A輸出時(shí)約1.25W）。

?6. 封裝與訂購(gòu)信息?

• ?封裝?：HTSSOP-16EP（帶裸露焊盤），符合AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證（-40°C至+125°C）。
• ?型號(hào)選項(xiàng)?：
  • 標(biāo)準(zhǔn)版：LM5575MH
  • 車規(guī)版：LM5575Q（-40°C至+150°C）

?7. 設(shè)計(jì)支持工具?

• 配套WEBENCH?在線工具提供完整設(shè)計(jì)優(yōu)化方案。