LTC5599：具有邊帶抑制和載波泄漏抑制性能
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
Linear
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
434瀏覽量
132625 -
調(diào)制器
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
901瀏覽量
46549 -
ltc5599
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
4004
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
替代LTC4364具理想二極管的浪涌抑制控制器
產(chǎn)品描述:(替代LTC4364)PC2464浪涌抑制器具有理想二極管控制器，可保護(hù)負(fù)載避免高壓瞬變的損壞。通過控制一個(gè)外部N溝道MOSFET傳輸器件兩端的電壓降，該器件可在過壓過程中限制和調(diào)節(jié)輸出
發(fā)表于 07-09 14:42
什么是共模抑制比？
共模抑制比詳解在探頭的數(shù)據(jù)手冊(cè)上，共模抑制比性能參數(shù)是核心指標(biāo)之一。共模抑制比又名CMRR，通常用分貝（dB）來表示，其計(jì)算公式為：其中其中本司光隔離產(chǎn)品CMRR在直流或低頻下能達(dá)到1
HMC8193 2.5 GHz至8.5 GHz I/Q混頻器技術(shù)手冊(cè)
的固有I/Q架構(gòu)具有出色的鏡像抑制能力，因此無需進(jìn)行成本高昂的干擾邊帶濾波。 該混頻器還提供出色的LO至RF和LO至IF隔離性能，并降低了LO泄漏
ISL28006：測(cè)量共模和電源抑制比
雖然電流檢測(cè)放大器(如ISL28006)的數(shù)據(jù)手冊(cè)以電氣規(guī)格的形式展示了器件性能，但有時(shí)客戶需要通過基準(zhǔn)測(cè)試來確認(rèn)電氣參數(shù)。尤其重要的是共模抑制比(CMRR)和電源抑制比(PSRR)，這些參數(shù)
如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在
怎么測(cè)ADS1299芯片的共模抑制比？
怎么測(cè)ADS1299芯片的共模抑制比？將通道1的正負(fù)極輸入短接，接入一個(gè)0.5VP，共模電壓2.5V，F(xiàn)=50Hz，F(xiàn)FT圖像顯示輸出在50Hz時(shí)，為80dB。然而手冊(cè)是-110dB，應(yīng)該怎么測(cè)出-110dB的共模抑制比呢？
發(fā)表于 11-15 06:26
詳解LDO電路的電源抑制比
電源抑制（Power Supply Rejection）能力是SoC系統(tǒng)中電源模塊很重要的指標(biāo)，在當(dāng)今數(shù)字和模擬電路高度集成的趨勢(shì)下，一個(gè)能提供穩(wěn)定輸出電壓的系統(tǒng)模塊顯得尤為重要，而這個(gè)模塊又很容易受到供電電源的噪聲和紋波影響，電源抑制能力描述的就是對(duì)這一類影響的
具有 PWM 抑制功能的高側(cè)驅(qū)動(dòng)、高側(cè)電磁閥監(jiān)視器應(yīng)用說明
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有 PWM 抑制功能的高側(cè)驅(qū)動(dòng)、高側(cè)電磁閥監(jiān)視器應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-12 10:31
?0次下載
具有PWM抑制功能的低漂移、線內(nèi)電機(jī)電流精密測(cè)量
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有PWM抑制功能的低漂移、線內(nèi)電機(jī)電流精密測(cè)量.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-06 15:08
?0次下載
優(yōu)化示波器探頭性能-阻尼電阻的應(yīng)用與諧振抑制策略
抑制共振 探針的性能受探針連接的影響極大。作為當(dāng)您設(shè)計(jì)的速度提高時(shí)，在使用示波器探頭連接設(shè)備時(shí)，可能會(huì)注意到更多的過沖、振鈴和其他干擾。探頭在與設(shè)備連接時(shí)會(huì)形成一個(gè)諧振電路。如果該諧振電路位于您
影響電路共模抑制比的因素有哪些？如何去提高電路的共模抑制比？
此電路用來檢測(cè)腦電波的信號(hào)，性能要求此電路的共模抑制比要達(dá)到不低于80dB，而現(xiàn)在實(shí)測(cè)只能達(dá)到67dB，想知道，影響電路共模抑制比的因素有哪些？如何去提高電路的共模抑制比？
發(fā)表于 08-20 07:21
運(yùn)放的共模抑制比和電源抑制比對(duì)輸出精度的影響是什么？
1、很多人用運(yùn)放選共模抑制比越大越好，考慮到成本，我想計(jì)算一下理論值到底符不符合，比如我采分流器上的電流±74A，Gain=0.0335，共模輸入電壓有5V，電流精度要滿足0.05%，假如運(yùn)放
發(fā)表于 08-15 07:43
如何理解運(yùn)放的電源抑制比參數(shù)？
電源抑制比PSRR有三個(gè)參數(shù)，如OPA333
1、電源抑制比為1uV/V
2、長(zhǎng)期穩(wěn)定性為1uV
3、通道分離，直流為0.1uV/V
特別是3號(hào)參數(shù)，怎么理解
發(fā)表于 08-12 06:37
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論