近期，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)風(fēng)暴已至。海外三大 DRAM 巨頭三星、 SK 海力士、美光涉及價(jià)格操縱案遭中國(guó)反壟斷調(diào)查，美光也傳出施壓阻止部分設(shè)備商供貨給中國(guó) DRAM 廠。

目前，國(guó)內(nèi)為了加速存儲(chǔ)芯片自主化，國(guó)家集成產(chǎn)業(yè)電路基金（大基金）積極評(píng)估砸逾 100 億人民幣投資兩大 DRAM 陣營(yíng)福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)，大基金對(duì)三大存儲(chǔ)陣營(yíng)布局正式完成，要用 5 ~10 年換取斬?cái)啻鎯?chǔ)技術(shù)被國(guó)際大廠壟斷的局面！

中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體芯片消耗國(guó)，但芯片自制率偏低，每年進(jìn)口芯片的金額甚至高于石油，其中絕大部分是存儲(chǔ)芯片，因此，國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)陣營(yíng)紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫都卯足全力自主開發(fā)技術(shù)，背負(fù)國(guó)家級(jí)的重大任務(wù)，要打破長(zhǎng)期以來(lái)國(guó)際大廠壟斷存儲(chǔ)技術(shù)的局面。

近期，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)大廠也有好消息傳出，大基金正在積極評(píng)估投資兩大 DRAM 存儲(chǔ)陣營(yíng)福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫，業(yè)界透露，可能分別是 60 億人民幣資金援助，合計(jì) 120 億的金額，來(lái)支持這兩大存儲(chǔ)陣營(yíng)的芯片開發(fā)。

由于從零開始的 DRAM 技術(shù)開發(fā)十分“燒錢”，這兩大存儲(chǔ)陣營(yíng)如果有大基金“灌頂”，不單是國(guó)家重點(diǎn)項(xiàng)目的表征，在研發(fā)經(jīng)費(fèi)上更是重要的實(shí)際支援。

福建晉華300人研發(fā)團(tuán)隊(duì)準(zhǔn)備就緒，無(wú)奈遭美光施壓兼騷擾

福建晉華集成電路經(jīng)過兩年的整軍出發(fā)，從最初的 100 人研發(fā)團(tuán)隊(duì)，現(xiàn)在已經(jīng)擴(kuò)充至 300 名研發(fā)人員，且日以繼夜投入 DRAM 技術(shù)開發(fā)。晉華的 12 寸晶圓廠已在 2017 年 11 月封頂，包含 FAB 主晶圓廠、辦公室綜合大樓、中央電力站和變電站、員工宿舍等都已經(jīng)完成，今年更完成了機(jī)電安裝和無(wú)塵室的施工。

福建晉華集成是由福建省電子信息集團(tuán)、泉州、晉江政府投資，第一期投資金額為 53 億美元，預(yù)計(jì) 2018 年底試產(chǎn)，單月產(chǎn)能規(guī)模為 6 萬(wàn)片，未來(lái)五年內(nèi)的第二期規(guī)模是達(dá)到月產(chǎn)能 12 萬(wàn)片，技術(shù)來(lái)源是委由聯(lián)電接受晉華委托開發(fā) DRAM 制程技術(shù)，而機(jī)臺(tái)設(shè)備是由晉華采購(gòu)，未來(lái)技術(shù)所有權(quán)歸屬由聯(lián)電和晉華共同持有。

不過，福建晉華最近正走“殺破狼”格局，遭遇“空前劫難”。由于福建晉華的掌舵者陳正坤以前是美光轉(zhuǎn)投資公司瑞晶的總經(jīng)理，加上有少數(shù)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)人員以前曾經(jīng)任職美光體系，美光咬住這個(gè)把柄，拼命阻止福建晉華的 DRAM 研發(fā)進(jìn)度。

美光使出兩大“騷擾”策略，第一是設(shè)法阻止供應(yīng)商對(duì)晉華進(jìn)口 DRAM 相關(guān)半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備，第二是動(dòng)用司法手段控告晉華和技術(shù)母廠聯(lián)電侵權(quán)，然聯(lián)電在半導(dǎo)體業(yè)界“摸爬滾打”超過三十年，手上累積豐厚的技術(shù)和專利庫(kù)，開始反告美光的產(chǎn)品和技術(shù)侵權(quán)，然這樣的發(fā)展，已經(jīng)演變成以司法手段干預(yù)商業(yè)行為。

業(yè)內(nèi)人士分析，美光非常忌憚福建晉華 DRAM 技術(shù)開發(fā)陣營(yíng)崛起，一來(lái)是始于老東家與前員工之間的矛盾關(guān)系，二來(lái)，美光內(nèi)部評(píng)估福建晉華的實(shí)力深厚，未來(lái)恐會(huì)成為一大威脅。

美光“騷擾”福建晉華的 DRAM 技術(shù)開發(fā)進(jìn)度，甚至于從設(shè)備商著手。據(jù)了解，部分設(shè)備供應(yīng)商不愿意賣機(jī)臺(tái)給晉華做技術(shù)開發(fā)，雖然表面上用的理由是：基于共同技術(shù)開發(fā)的限制，因此拒絕銷售設(shè)備，但實(shí)際來(lái)看，這根本不構(gòu)成拒賣的理由，背后隱含了美光的“施壓”！

福建晉華的掌舵者陳正坤有著日本傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的血統(tǒng)，從 1990 年代的三菱電機(jī)還是全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)一方之霸時(shí)，他就接受嚴(yán)格的日本半導(dǎo)體文化薰陶，后來(lái) NEC 、 Hitach 、三菱電機(jī)的存儲(chǔ)部門合并成為日本最后一家 DRAM 廠爾必達(dá)，他更成為爾必達(dá)與***力晶合資公司瑞晶的掌舵者，之后爾必達(dá)破產(chǎn)被美光并購(gòu)后，他從日本半導(dǎo)體企業(yè)走入美國(guó)體系。

由陳正坤領(lǐng)軍的福建晉華集成技術(shù)陣營(yíng)，目前已經(jīng)快速累積成一支超過 300 名研發(fā)軍團(tuán)，而負(fù)責(zé)技術(shù)開發(fā)的聯(lián)電早期也具備 DRAM 制程能力，因此技術(shù)實(shí)力雄厚。

合肥長(zhǎng)鑫“兇猛”超車高薪挖角，300臺(tái)研發(fā)設(shè)備準(zhǔn)備就緒

另一支重要的 DRAM 陣營(yíng)是出自于“合肥派系”：控股母公司合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)旗下的睿力集成電路。長(zhǎng)鑫在 DRAM 技術(shù)開發(fā)上，也是一路“兇猛”超車前進(jìn)，近期也傳出獲得大基金評(píng)估投資。

合肥長(zhǎng)鑫投入研發(fā)的第一代 DRAM 技術(shù)是 19 納米世代的，對(duì)比福建晉華開發(fā)的第一代技術(shù)是 32 納米，第二代是 32S 納米制程，從制程數(shù)字來(lái)看，晉華的技術(shù)開發(fā)似乎落后很多，但實(shí)則不然，這數(shù)字其實(shí)隱含了一些玄機(jī)！

晉華的技術(shù)是委由聯(lián)電開發(fā)，受限于 N-1 規(guī)范，聯(lián)電為晉華開發(fā)的技術(shù)必須是落后于聯(lián)電目前量產(chǎn)制程至少一個(gè)世代，也就是說(shuō)，聯(lián)電現(xiàn)在量產(chǎn) 14 納米制程，但轉(zhuǎn)移到大陸的技術(shù)必須是 20 納米制程以上。

知情人士透露，福建晉華目前開發(fā)的 32 納米技術(shù)，其實(shí)等同于三星、SK 海力士的 2x 納米制程，若以每片晶圓的設(shè)計(jì)數(shù)量來(lái)看（先不看量產(chǎn)良率），更是相當(dāng)于韓系大廠的 1x 納米技術(shù)的實(shí)力，之所以低調(diào)的取名“32X”納米，是因?yàn)椴幌胍鸶?jìng)爭(zhēng)對(duì)手的過分關(guān)注，以及部分業(yè)者的“不斷騷擾”，因此刻意在制程數(shù)字上“掩飾鋒芒”。

合肥長(zhǎng)鑫在進(jìn)度上“兇猛”的程度，反映在機(jī)臺(tái)設(shè)備的進(jìn)度，以及研發(fā)人員的挖角上。長(zhǎng)鑫的 12 寸晶圓生產(chǎn)基地在今年一月已經(jīng)完成晶圓廠的建設(shè)，技術(shù)研發(fā)所需的 300 臺(tái)設(shè)備已經(jīng)全部到位，下半年全力進(jìn)入試產(chǎn)，動(dòng)作十分快速。

同時(shí)，合肥長(zhǎng)鑫在研發(fā)人員的挖角上，也為半導(dǎo)體行業(yè)立下高標(biāo)，之前大量以 2~3 倍的薪資在韓國(guó)、***等地挖角，符合資歷的簽下五年長(zhǎng)約，讓整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)有高度的輿論關(guān)注。

不過，高薪挖角一事也引發(fā)不少DRAM公司的反擊，除了美光告福建晉華、聯(lián)電之外，日前南亞科控告一名離職赴合肥長(zhǎng)鑫任職的工程師涉嫌竊取DRAM產(chǎn)品測(cè)試的營(yíng)業(yè)秘密，南亞科表示，如果競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手非法使用該技術(shù)，未來(lái)產(chǎn)生的不法利益可能高達(dá)1.2億美元，基于捍衛(wèi)營(yíng)業(yè)秘密和智財(cái)權(quán)的決心，堅(jiān)持對(duì)該名“帶槍投靠”的跳槽工程師提出告訴。

根據(jù)合肥長(zhǎng)鑫既定的時(shí)程，今年底將生產(chǎn) 8Gb DDR4 的工程樣品，預(yù)計(jì) 2019 年底實(shí)現(xiàn)單月產(chǎn)能 2 萬(wàn)片。再者，計(jì)劃在 2020 年啟動(dòng)二廠的建設(shè)，2021 年完成第二代 17 納米的技術(shù)研發(fā)。

合肥長(zhǎng)鑫的目標(biāo)，是打破國(guó)內(nèi)自制率仍是掛零的空白 DRAM 市場(chǎng)，同時(shí)要拿 8% 目標(biāo)的全球 DRAM 市場(chǎng)份額，成為世界級(jí)的存儲(chǔ)制造企業(yè)。

隨著兩大 DRAM 陣營(yíng)福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫的進(jìn)展加速，又將獲得大基金的支援，正式列入國(guó)家重點(diǎn)培植的項(xiàng)目，加上紫光集團(tuán)的長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 技術(shù)開發(fā)順利，成功研發(fā) 32 層 3D NAND 芯片后，年底將進(jìn)入 64 層技術(shù)展示，國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)陣營(yíng)已經(jīng)成為打破空白存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵項(xiàng)目。

3D NAND供貨疏解，DRAM芯片卻持續(xù)漲價(jià)引發(fā)反彈

無(wú)論是 DRAM 或是 3D NAND 芯片過去幾年都經(jīng)歷凌厲的價(jià)格漲勢(shì)，手機(jī)、服務(wù)器等系統(tǒng)大廠飽受供貨不足之苦，現(xiàn)在 3D NAND 市場(chǎng)已經(jīng)從供不應(yīng)求轉(zhuǎn)為供過于求，但 DRAM 市場(chǎng)因?yàn)楣?yīng)商只剩下三家，在大家控制擴(kuò)產(chǎn)的情況下，預(yù)計(jì)仍是處于缺貨狀態(tài)。

全球三大 DRAM 巨頭三星、SK 海力士、美光掌握全球 95% 市場(chǎng)份額，足足享受了超過兩年的 DRAM 漲價(jià)超額利潤(rùn)好時(shí)光，引來(lái)中國(guó)品牌手機(jī)大廠反彈聲浪，從去年底開始陸續(xù)向中國(guó)監(jiān)管機(jī)關(guān)以操控價(jià)格的名義指控三大存儲(chǔ)陣營(yíng)涉嫌壟斷 DRAM 價(jià)格，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪。

這一波維持近兩年的 DRAM 漲價(jià)潮始于 2016 年中，當(dāng)時(shí)的 DRAM 產(chǎn)業(yè)面臨需求不振，合約價(jià)下跌將近 20 個(gè)月，龐大的成本壓力朝各家 DRAM 大廠迎面而來(lái)，因此各廠開始調(diào)整產(chǎn)品比重，放緩轉(zhuǎn)進(jìn)高端制程的腳步，才讓價(jià)格止跌回穩(wěn)。

漲價(jià)兩年“惹毛”手機(jī)廠 是供應(yīng)商的聯(lián)合價(jià)格操作？還是另有隱情？

然而意外的是，這一波止跌回升的行情居然一走就是兩年，漲價(jià)漲到手機(jī)大廠都不堪負(fù)荷，進(jìn)而控告三家 DRAM 供應(yīng)商有壟斷市場(chǎng)和操縱價(jià)格之嫌。

全球前十大手機(jī)廠中，國(guó)內(nèi)手機(jī)廠占了 7 個(gè)名額，但國(guó)內(nèi)自有的 DRAM 存儲(chǔ)芯片供給率幾乎是零，100% 依賴進(jìn)口，過去兩年以來(lái)手機(jī)大廠面臨芯片嚴(yán)重供給不足的問題，引發(fā)強(qiáng)烈反彈。

面對(duì)三星半導(dǎo)體事業(yè)部靠著存儲(chǔ)芯片不斷漲價(jià)，獲利節(jié)節(jié)攀升，系統(tǒng)廠卻一直被調(diào)漲零組件價(jià)格，反彈情緒越來(lái)越無(wú)法壓抑，中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)也開始調(diào)查近期的芯片價(jià)格操縱行為，陸續(xù)對(duì)三星、 SK 海力士、美光三家大廠展開調(diào)查。

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)遭到反壟斷的責(zé)罰不是第一次，2002 年由美國(guó)司法部發(fā)起的調(diào)查，陸續(xù)向三星、美光、 SK 海力士、英飛凌等公司罰款，最后美光出面做污點(diǎn)證人免責(zé)，其他企業(yè)都被處以數(shù)億美元的罰金，其中三星被罰 3 億美元。

因此，業(yè)界根據(jù)反壟斷法推斷，如果這次手機(jī)系統(tǒng)大廠發(fā)起的針對(duì)三 DRAM 巨頭價(jià)格操作案控訴成功，根據(jù)上一年度（2017 年）銷售額進(jìn)行 1％~10% 的罰款，三家的罰金可能高達(dá) 4~40 億美元，但如果把 2016 年度也納入，那罰款金額可能擴(kuò)大至 8~80 億美元。

業(yè)界認(rèn)為，此案未來(lái)的發(fā)展關(guān)鍵是“舉證”，因?yàn)榻?jīng)歷 2000 年初那一波反壟斷大刀后，半導(dǎo)體廠都非常小心翼翼，但此時(shí)間點(diǎn)有涉及大環(huán)境緊張的氛圍，加上美光限制供應(yīng)商進(jìn)口設(shè)備給福建晉華，也涉及違反公平競(jìng)爭(zhēng)，狀況會(huì)更復(fù)雜一些。

國(guó)內(nèi)從零開始研發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)的決心、毅力強(qiáng)烈，這是過去 20 年來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不曾發(fā)展的重大轉(zhuǎn)折，未來(lái)先填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白為優(yōu)先，之后再考慮國(guó)際布局。

平心而論，國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)新秀短期要撼動(dòng)國(guó)際三巨頭的地位是不太可能，但打破“零自制率”卻是一個(gè)可以期待的目標(biāo)，但國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)后，也可能要面對(duì)專利侵權(quán)的議題，可以預(yù)見，這是一場(chǎng)長(zhǎng)期抗戰(zhàn)，要有用 10 年打一場(chǎng)漂亮戰(zhàn)役的決心，才能成為最后贏家。