合肥長鑫存儲的DRAM項目在經(jīng)過兩年來的努力后，正開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，這也代表著合肥506項目進(jìn)入了新的里程碑。

長鑫存儲早先規(guī)劃的19納米制程工藝技術(shù)也將首先應(yīng)用在DDR4 8Gb的產(chǎn)品上，應(yīng)用產(chǎn)品瞄準(zhǔn)個人計算機(jī)以及服務(wù)器上，后續(xù)的LPDDR4則是預(yù)期在明年第三季進(jìn)入試產(chǎn)階段。原先擔(dān)任兆易創(chuàng)新CEO的朱一明先生也將辭去原有的職務(wù)，正式接任長鑫存儲和睿力集成CEO的職位，至于前CEO王寧國先生則是在建廠告一段落后交棒，顯示合肥地方發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)由建廠進(jìn)度轉(zhuǎn)為研發(fā)、量產(chǎn)與營銷為主軸的新局面。

從時程上來看，長鑫存儲過去DRAM事業(yè)的進(jìn)展穩(wěn)健，506項目從2016年第二季度啟動以來，短短兩年陸續(xù)完成廠房興建、機(jī)臺設(shè)備移入和上千件專利的申請，再加上先前兆易創(chuàng)新在存儲業(yè)界的豐富經(jīng)驗，對于長鑫存儲后續(xù)各項DRAM產(chǎn)品的試產(chǎn)、開發(fā)以及結(jié)合NOR Flash和NAND Flash更為廣泛的應(yīng)用有更大的幫助。在后續(xù)工藝規(guī)劃上，19納米的DRAM試產(chǎn)后，17納米的DRAM技術(shù)開發(fā)也將緊鑼密鼓的展開，寄望能夠在未來DRAM工藝制程技術(shù)微縮時程拉長之際，能夠縮短與國際大廠之間的距離。

中國DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國目前在全球個人計算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來新時代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位，聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商；華為、OPPO、VIVO和小米等手機(jī)品牌更是早已盤據(jù)全球智能手機(jī)排行榜前七位；華為、騰訊、百度、阿里巴巴等更是目前全球服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵領(lǐng)導(dǎo)廠商，而各式各樣廣泛的電子產(chǎn)品都需要DRAM存儲器才能充分運作，甚至未來進(jìn)入AI人工智能、挖礦機(jī)和自動駕駛車輛對于DRAM的需求將更為倚重。

對比DRAM產(chǎn)業(yè)目前高度集中在三星、海力士以及美光三家廠商，其他業(yè)者比重不超過5%的特殊產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，若不能解決這樣的情況，未來中國持續(xù)發(fā)展電子產(chǎn)業(yè)上勢必遇到關(guān)鍵零組件仰人鼻息的瓶頸。同時，中國發(fā)展DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)不僅只是存儲業(yè)者自身的事情，更必須透過設(shè)備商、材料商等完整供應(yīng)鏈配套，才能縮短學(xué)習(xí)曲線。