“所有功率器件都在漲價，其中電容領(lǐng)漲，MOSFET、IGBT、二極管等都在持續(xù)跟進漲價潮?！睒I(yè)內(nèi)人士表示，自去年以來，電容漲幅超過十幾倍，MOS、IGBT整體漲幅超過40%，未來很長一段時間功率器件漲價依舊堅挺。

更嚴峻的是，在上游晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊張的現(xiàn)況下，供不應求的產(chǎn)能只會去保大客戶，中小客戶很難拿到單，生存壓力很大。整個功率器件市場隨之開始“洗牌”，國內(nèi)尤其是華南地區(qū)很多小廠商正加速倒閉。

MOSFET、IGBT、二極管普遍交期延長至20-40周

一般來說 MOSFET、整流管和晶閘管的交貨周期是 8 -12周左右，但現(xiàn)在MOSFET、整流管和晶閘管交期已進一步延長到 20 至 40 周。

隨著功率半導體器件市場行情的回暖，需求持續(xù)旺盛，但受限于產(chǎn)能，原廠交貨周期開始不斷延長。原材料漲價、硅晶圓供應緊張、需求強勁為供不應求背后主要動因。

低壓MOSFET，較多貨期接近或超過40周，其中，汽車器件的貨期問題尤為顯著。

圖：富昌元器件市場報告

英飛凌在收購 IR 后可提供豐富的中等電壓產(chǎn)品 （40-200V）。但是，定價上漲，貨期也延長。SOT-23 器件貨期為 30 + 周，汽車器件交貨時間為 28+ 周。

ON Semiconductor（原Fairchild）小型封裝（SOC-223和更小型）貨期延長，雙路，互補型和co-pack器件的貨期受影響最為嚴重。

ON Semiconductor的汽車器件和QFN 5x6， sot-23， sot-223封裝產(chǎn)品有貨期問題。

意法半導體（ST）后端和前端產(chǎn)能均已定滿。Q3和Q4估計將在緊缺分貨過程中度過。

Vishay擴展中低電壓產(chǎn)品組合，新產(chǎn)品價格有競爭力。大量提供P溝道器件。2018年Q1和Q2的產(chǎn)能已滿。

高壓MOSFET的情況并沒有樂觀太多。

圖：富昌元器件市場報告

英飛凌目前更為專注于P7、C7、CFD系列，而成本上漲的傳統(tǒng)器件（C3、C6、P6系列）的貨期也延長至 24-28 周。其中，P7 產(chǎn)品提供領(lǐng)先的價格/性能及更好的貨期。

需求仍然強勁的ST，目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場效應管的唯一供應商。推出650V SiC，可與高性能IGBT競爭，并能替代超結(jié)器件。

正經(jīng)歷被Littelfuse收購的Ixys目前產(chǎn)能已滿，貨期難以改進。1000V以上產(chǎn)品有優(yōu)勢。

ON Semiconductor（原Fairchild）面向大眾市場提供豐富的高壓FET，貨期參差不齊，但似乎比競爭對手要好些。

Vishay持續(xù)開發(fā)高壓產(chǎn)品系列，超結(jié)650V FET可與英飛凌和意法半導體媲美。超結(jié)器件貨期超過 30 周，傳統(tǒng)器件（IR）貨期在 20 周以內(nèi)。

IGBT的貨期延長依舊。

圖：富昌元器件市場報告

ON Semiconductor（原Fairchild）擅長場截止IGBT，傳統(tǒng) IGBT 的貨期正在延長，但某些系列可以提供die bank。 由于對技術(shù)的高需求導致后端產(chǎn)能限制。

英飛凌作為IGBT的全球領(lǐng)導者，在并購IR后，擁有了最豐富的大功率和低功率IGBT。CO-Pack 產(chǎn)品 （整流器組合） 貨期達到 30 周以上，并仍然在延長。

意法半導體（ST）投資研發(fā)這一類產(chǎn)品，提供大功率模塊，與英飛凌、Semikron、三菱競爭。未來12個月產(chǎn)能已滿，貨期在50周。

8寸晶圓緊缺單片漲到300元，12寸產(chǎn)線無力緩解

自去年開始，功率器件相繼出現(xiàn)缺貨的情況，8寸晶圓的供不應求，市場需求旺盛，使得上游吹起漲價風潮。今年以來，MOSFET、IGBT等功率器件持續(xù)缺貨漲價，交期趨勢呈現(xiàn)了全面延長的局面，部分MOSFET的交期超過40周，甚至斷貨。

8寸硅晶圓短缺以及晶圓廠產(chǎn)能緊缺的影響逐漸向市場滲透，而電源IC、指紋IC、LED驅(qū)動芯片、MOSFET等皆為8寸產(chǎn)線?，F(xiàn)在從影響廠商范圍，以及產(chǎn)品線范圍來看，8寸硅晶圓供應形勢或許日趨緊張。但另一方面，8寸硅晶圓的擴產(chǎn)需到2018年-2019年才有產(chǎn)出。

上游原廠表示，自去年以來，MOSFET、IGBT漲價幅度超過40%，其中8寸晶圓漲價整體幅度就接近30%，以前單片8寸晶圓價格在200美元，現(xiàn)在單片都漲價到300美元，所以MOSFET、IGBT等功率器件漲價更多是價格傳遞的體現(xiàn)，8寸晶圓供不應求，缺口很大。

那么8寸產(chǎn)線晶圓產(chǎn)能不足能否靠12寸產(chǎn)線來解決？上述人士表示，在功率器件中，現(xiàn)在12寸產(chǎn)線量產(chǎn)的概率很低，因為會涉及到產(chǎn)業(yè)鏈的問題，以及功率器件會涉及背面的處理跟封裝相關(guān)等問題，靠12寸產(chǎn)線來解決問題短期內(nèi)可能性還不大，現(xiàn)在功率器件主要是集中在6寸和8寸產(chǎn)能，其中8寸產(chǎn)能的性價比更高，6寸主要是做傳統(tǒng)高壓模式的功率器件。

更重要的是，現(xiàn)在8寸產(chǎn)線的設(shè)備稀缺，短期內(nèi)很難快速投建8寸產(chǎn)線。業(yè)內(nèi)人士稱，全球大的設(shè)備廠商都做12寸設(shè)備去了，8寸設(shè)備基本停產(chǎn)了，國內(nèi)新建8寸產(chǎn)線只能買二手的8寸線設(shè)備，但現(xiàn)在二手的設(shè)備也不多了，只有等海外關(guān)一座國內(nèi)廠商才可以新開一座。

不過，現(xiàn)在投建8寸產(chǎn)線也不一定靠譜。該業(yè)內(nèi)人士透露，在當前的市場行情下，新建8寸產(chǎn)線成本太高，現(xiàn)在投建8寸線要花30-35億元，但以前在淡季的時候建8寸可能花費20億元不到，現(xiàn)在投入到產(chǎn)出的性價比太低。

深圳一家功率器件代理商稱，雖然現(xiàn)在士蘭微、燕東、中芯國際8寸產(chǎn)線都已經(jīng)投產(chǎn)，但對市場的供需影響不會很大，所以從終端市場來看，當前功率器件的價格還是很堅挺的。

實際上，業(yè)內(nèi)人士基本認為當前功率器件的價格也算是合理。以前功率器件市場競爭激烈，向客戶報價基本是逐年遞減5-10%，價格偏低的狀況對半導體產(chǎn)業(yè)來說，也不太合理。上游原廠表示，現(xiàn)在晶圓的價格已經(jīng)趨于穩(wěn)定，再漲價的意義不大，因為現(xiàn)在已經(jīng)漲到合理區(qū)間的上限了，不過在產(chǎn)能緊缺的行情下，功率器件未來走勢依舊穩(wěn)中有升。

缺口巨大，消費類電子消耗產(chǎn)能更勝往昔

“任何一個產(chǎn)業(yè)變成這樣都存在關(guān)鍵誘因，只是看過程中看有什么原因促使這樣的轉(zhuǎn)變?！睂τ诋斍肮β势骷掷m(xù)缺貨漲價的現(xiàn)狀，上海一家原廠VP表示，主要還是新能源汽車市場快速崛起造成的，其中需求缺口巨大，就算行業(yè)龍頭英飛凌把所有產(chǎn)能都供給汽車電子，都遠遠不夠。

從目前全球功率半導體市場格局來看，基本被英飛凌、安森美半導體等國際巨頭所占據(jù)。據(jù)樂晴智庫發(fā)布的數(shù)據(jù)，英飛凌在功率MOSFET的市場份額達到26.4%，占據(jù)第一的位置，第二位是安森美半導體。

上述VP表示，由于汽車電子高端市場獲利豐厚，英飛凌必然會放棄部分中低端產(chǎn)能，當然這是通過不斷迭代做上來的，英飛凌會先放棄部分中端消費類的產(chǎn)能，然后在低端又放棄一波，這樣的話，消費類電子市場就存在巨大缺口，再加之大廠的傳遞效應，功率器件缺貨漲價就隨之快速蔓延。

元大投資顧問公司在分析本輪MOSFET市場時也表示，英飛凌、意法、德儀、瑞薩等國際大廠紛紛轉(zhuǎn)攻高毛利的工業(yè)用、車用中高端產(chǎn)品，淡出一般用于PC、手機等消費電子產(chǎn)品用MOSFET。

而在消費類電子市場，隨著手機功能越來越多，應用越來越復雜，所需的功率器件也越來越多。上述VP透露，以MOSFET應用為例，現(xiàn)在手機快充電流越來越大，所消耗的產(chǎn)能也越來越多，原來做MOSFET芯片，一片8寸晶圓大概有4萬顆MOSFET，現(xiàn)在快充電流變大后，一片wafer只能做5000顆左右MOSFET。

這樣一來，消費類電子等低端市場吃晶圓的產(chǎn)能就更厲害，晶圓產(chǎn)能緊張也將隨之凸顯；再加之新能源市場利潤高，國際大廠勢必會放棄部分消費類中低端市場。

另外，正在快速起量的無線充電市場對MOSFET的需求量也很大，一個無線充電器中會用到4-6顆MOSFET管，可以想象數(shù)以千萬計的無線充電器對MOSFET管的需求有多大，不過現(xiàn)階段無線充電市場還是屬于增長的過程，需求量將會逐步提升。此外，快充功率越來越大，低壓大電流的模式逐漸成為主導，這也會涉及到MOSFET的更新?lián)Q代，消耗產(chǎn)能更勝往昔。

國內(nèi)小廠商面臨倒閉潮，行業(yè)開始洗牌

在上游晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊張的現(xiàn)況下，諸如英飛凌等國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向新能源高階市場，中低端市場功率器件消耗產(chǎn)能又更勝往昔，一方面確實給國內(nèi)功率器件廠商帶來了機會，另一方面也帶來了困惑。

功率器件原廠表示，其實現(xiàn)在像MOSFET、IGBT等功率器件的價格已經(jīng)很高了，對現(xiàn)況而言，困境在于，即便價格再漲，也很難交出貨，再漲價的意義也就不大。當然，從利潤的角度來看，當然是越高越好。

另有行業(yè)人士透露，現(xiàn)在很多原廠都不敢跟客戶隨意報價，因為擔心萬一報的價客戶接受了，但交不出貨會更麻煩。如果漲價能供出貨，那也行，現(xiàn)在關(guān)鍵是很多原廠供不出貨。

不過，從代理商的角度來看，還是會跟客戶報高價，繼續(xù)推動功率器件市場行情走高。另外，像在深圳華強北等現(xiàn)貨市場的價格就更離譜了，現(xiàn)在每天價格往上調(diào)的可能性都存在。但是到了一定的行情，這些功率器件就變成有價無市了。

“我們現(xiàn)在一方面在關(guān)注市場行情的變化，另一方面還在考慮如何解決產(chǎn)能的問題，這才是當務之急。”上述VP表示，產(chǎn)能還是會持續(xù)緊張，目前沒有緩解的跡象，不過，價格再往上漲就會偏離了價值曲線，漲價意義也不大，因為還要考慮側(cè)重客戶的關(guān)系，不可能漲得很離譜。

如此一來，在上游晶圓持續(xù)緊張沒有緩解的現(xiàn)況下，像茂矽、新唐等MOSFET或IGBT訂單已經(jīng)聲稱排到年底。此前有消息稱，茂矽、新唐等代工廠商第三季已確定漲價，其中6寸晶圓代工價格大漲10～20％，8寸晶圓代工價格亦調(diào)漲5～10％。

業(yè)內(nèi)人士表示，這種漲價波動大概率還是存在，現(xiàn)在華潤微電子是通過競價漲價的模式，競價模式在市場還是缺貨的情況下，價格是每個月都按照5-10%的幅度漲價，但整體數(shù)量有限。

這種現(xiàn)況下，供不應求的產(chǎn)能伴隨著漲價將流向何方？上述VP表示，供不應求的產(chǎn)能只會去保大客戶，中小客戶很難拿到單，生存壓力很大。整個功率器件市場也隨之開始“洗牌”，國內(nèi)尤其是華南地區(qū)的功率器件中小廠商正加速倒逼，對下游市場帶來很大影響。

一方面，對下游廠商進行了一次洗牌，有些小的功率器件廠商就玩不下去了，本身拿不到晶圓，利潤又低，一波波漲價就被拖死了；另一方面，從積極的角度來看，會讓大家更重視產(chǎn)品品質(zhì)、更重視品牌，不好的是增加了下游整機廠商的負擔，因為整機的利潤很低，那這樣一來，短期內(nèi)就快速增長了成本。

事實也是如此，現(xiàn)在華南像深圳等很多小廠越來越難過，第一是供應鏈不全，第二是價格也沒有優(yōu)勢，因為拿不到晶圓，低端客戶也帶不動，終端客戶也維持不下去，所以將會有一批小廠商相繼倒閉，整個功率器件尤其是MOSFET廠商將會開啟洗牌的局面。

但從長期來看，國內(nèi)整個功率器件市場將會發(fā)生從無序到有序的轉(zhuǎn)變，小廠商會隨之消失或合并，整合度會越來越高，這對行業(yè)來說也是好事。這個市場最終將會成就比較大的玩家，對整個資源物料的管控、供貨、價格等，都可以管控在合理的范圍內(nèi)，這種集聚效應未來會越來越強烈。

值得強調(diào)的是，從當前來看，整個功率器件的漲價態(tài)勢在未來2-3年內(nèi)還是很堅挺的，因為新開的8寸產(chǎn)線也基本不能滿足現(xiàn)有的巨大缺口，今年開始新增的8寸產(chǎn)線都得等到兩年之后才能進入量產(chǎn)階段，更關(guān)鍵的是，現(xiàn)在設(shè)備還不一定能買到。這也就意味著未來2-3年，整個功率器件市場將持續(xù)走俏，整體價格穩(wěn)中有升。