據(jù)中國***電子時報網(wǎng)站引述業(yè)內(nèi)人士稱，2019年，中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)，它們分別是長江存儲、福建晉華集成電路公司（以下簡稱晉華公司），以及安徽合肥Innotro存儲公司（之前被稱為合肥睿力公司）。這也意味著中國大陸的存儲芯片空白正式被填補。

長江存儲隸屬于中國半導(dǎo)體巨頭紫光集團。此前，該公司對外披露已經(jīng)獲得了第一個閃存芯片訂單，用于生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。

據(jù)消息人士稱，長江存儲公司的閃存芯片月產(chǎn)能只有5000片晶圓（芯片的產(chǎn)量往往描述為原材料晶圓的消耗數(shù)量），產(chǎn)能還比較小。

在新產(chǎn)品方面，長江存儲正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。

消息人士稱，到2020年，長江存儲的閃存芯片產(chǎn)能將提高到月處理10萬片晶圓。未來隨著三條生產(chǎn)線全部啟用，該公司的閃存月產(chǎn)能將提高到35萬片到40萬片晶圓。

和長江存儲不同，晉華公司和Innotron主要負責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造，兩家公司都計劃在明年投產(chǎn)。

晉華公司此前表示，希望在今年底之前，將晉華和***聯(lián)華電子共同開發(fā)的第一代內(nèi)存生產(chǎn)工藝投入使用。行業(yè)消息人士稱，合肥Innotron公司最近已經(jīng)開始了8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片的試生產(chǎn)，不過該公司官方尚未對外發(fā)布消息。Innotron公司過去對外展示了使用19納米技術(shù)生產(chǎn)的8Gb DDR4內(nèi)存芯片工程樣片，該公司計劃在明年一季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

在過去兩年中，全球存儲芯片市場出現(xiàn)火爆場面，價格不斷上漲，三星電子、東芝存儲公司、美光科技、英特爾、海力士等公司也財報也不斷飄紅。