一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù)理解

TI視頻 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-16 01:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8553

    瀏覽量

    220227
  • ti
    ti
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    8027

    瀏覽量

    214849
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    10015

    瀏覽量

    141521
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-10 14:25 ?0次下載

    SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

    尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用,選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí),為防止 SiC-MOSFET開(kāi)關(guān)在開(kāi)通瞬間由于吸收電容器上能量過(guò)多、需通過(guò)自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命,需要對(duì) RC 緩沖吸收
    發(fā)表于 04-23 11:25

    MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè),試試這樣看!

    MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來(lái)看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些
    發(fā)表于 04-11 11:04

    MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

    本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET
    發(fā)表于 02-26 14:41

    SiC MOSFET參數(shù)特性

    碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?1239次閱讀

    MOSFET參數(shù)解讀

    SGT-MOSFET各項(xiàng)參數(shù)解讀
    發(fā)表于 12-30 14:15 ?1次下載

    ADS54J60的JESD204B接口L參數(shù)怎么去理解?

    最近在看ADS54J60芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)手冊(cè)第41頁(yè) table10第3行的L參數(shù)是8,但是該芯片兩個(gè)converter各包含四個(gè)line,請(qǐng)問(wèn)我該怎么
    發(fā)表于 12-19 07:00

    數(shù)據(jù)手冊(cè)的一些參數(shù)的數(shù)值有時(shí)畫(huà)一條橫線(xiàn)或者空著不填是什么意思?

    數(shù)據(jù)手冊(cè)的一些參數(shù)的數(shù)值有時(shí)畫(huà)一條橫線(xiàn)或者空著不填是什么意思? 如上表, tCS的最大值是15ns,最小值和典型值都是空著的,是不是最小值和典型值我可以隨便?。ù笥?小于15就行
    發(fā)表于 12-16 07:45

    DAC81408的建立時(shí)間為12uS,如何理解數(shù)據(jù)手冊(cè)的12uS建立時(shí)間這個(gè)參數(shù)呢?

    建立時(shí)間曲線(xiàn),±20V輸出,如果按照數(shù)據(jù)手冊(cè)4V/uS爬升速率計(jì)算,0到20V跳變時(shí)間為5uS,從以上兩圖頁(yè)可以看出,信號(hào)在5uS內(nèi)達(dá)到設(shè)定值20V,該時(shí)間也小于建立時(shí)間典型值12
    發(fā)表于 12-09 08:33

    LMX2594如何對(duì)手冊(cè)配置的ramping樣例8GHz到10GHz進(jìn)行理解?

    關(guān)于手冊(cè)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算不是看的很明白,手冊(cè)參數(shù) 與TICSPRO
    發(fā)表于 11-11 07:28

    MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥?

    我將分享關(guān)于MOSFET幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性在電
    的頭像 發(fā)表于 08-30 11:51 ?2954次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>器件<b class='flag-5'>參數(shù)</b>:TJ、TA、TC到底講啥?

    為什么OPA695仿真軟件的仿真結(jié)果和數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的參數(shù)不一樣呢?

    請(qǐng)問(wèn)為什么OPA695仿真軟件的仿真結(jié)果和數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的參數(shù)不一樣呢,請(qǐng)看下圖: 1、仿真軟件結(jié)果:帶寬195MHz 2、數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的
    發(fā)表于 08-16 07:39

    MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

    在本文中,我將分享關(guān)于MOSFET幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1. MOSFET溫度參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:00 ?5629次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>器件<b class='flag-5'>參數(shù)</b>:TJ、TA、TC到底講啥

    TLC2252-DIE的數(shù)據(jù)手冊(cè)顯示其Op Temp (°C)為 0 to 0, 請(qǐng)問(wèn)0 to 0要怎么理解?

    您好,TLC2252-DIE的數(shù)據(jù)手冊(cè)顯示其Op Temp (°C)為 0 to 0, 請(qǐng)問(wèn)0 to 0要怎么理解? 我看OPA2348-DIE, OPA170-DIE的Op Temp (°C)為 25only 謝謝。
    發(fā)表于 08-14 07:23

    MOSFET參數(shù)與工藝

    MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心元件之一,其參數(shù)與工藝對(duì)于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOSFET的主要
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:31 ?2645次閱讀