創(chuàng)建基于傳感器的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）邊緣器件會(huì)涉及多個(gè)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，因此極具挑戰(zhàn)性（圖1）。但是，在同一硅片上創(chuàng)建一個(gè)既有采用傳統(tǒng)CMOS IC流程制作的電子器件，又有MEMS傳感器的邊緣器件似乎不大現(xiàn)實(shí)。實(shí)際上，許多IoT邊緣器件會(huì)在單個(gè)封裝中集成多個(gè)芯片，將電子器件與MEMS設(shè)計(jì)分開。Tanner AMS IC設(shè)計(jì)流程支持單芯片或多芯片技術(shù)，因而有助于成功實(shí)現(xiàn)IoT邊緣器件的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。不過，本文將著重介紹在單個(gè)芯片上融合CMOS IC與MEMS設(shè)計(jì)的獨(dú)特挑戰(zhàn)。

圖1：一個(gè)典型IoT邊緣器件，涉及數(shù)字、模擬、射頻和MEMS領(lǐng)域

Tanner設(shè)計(jì)流程（圖2）為AMS IC設(shè)計(jì)提供了一個(gè)完整的環(huán)境。

圖2：Tanner AMS設(shè)計(jì)流程

不過，多年以來，Tanner支持自上而下的MEMS IC流程（圖3），能讓客戶將MEMS設(shè)計(jì)融入這一流程中。

圖3：自上而下的IC/MEMS流程

IoT邊緣設(shè)計(jì)要求結(jié)合模擬、數(shù)字、射頻和MEMS這四個(gè)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別是在同一芯片的情況下。即使組件針對(duì)的是不同芯片之后的結(jié)合，在版圖布局和驗(yàn)證過程中，它們?nèi)孕枰獏f(xié)同工作。設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)需要繪制混合模擬與數(shù)字、射頻和MEMS設(shè)計(jì)，進(jìn)行芯片版圖布局，然后執(zhí)行元器件和頂層仿真。在單個(gè)芯片上設(shè)計(jì)電子器件和MEMS涉及以下幾點(diǎn)需要關(guān)注（參見圖3）

原理圖可能包含IC和MEMS器件。IC器件使用SPICE模型進(jìn)行建模，而MEMS器件則可直接在物理域（如機(jī)械、靜電、流體和磁）中創(chuàng)建行為模型（圖4）。S-Edit內(nèi)的MEMS符號(hào)庫支持MEMS繪制。

圖4：電子器件和MEMS位于同一電路圖上

為了支持初始MEMS/IC仿真，您可以在System Model Builder中利用SPICE或Verilog-A中的解析方程來創(chuàng)建MEMS模型。結(jié)合MEMS仿真庫，您還可以在初始階段就對(duì)整個(gè)設(shè)計(jì)進(jìn)行是否符合預(yù)期的驗(yàn)證。

利用MEMS PCell庫，您可以在L-Edit進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)。此外，Library Palette（圖5）提供了許多MEMS器件的基本版圖生成器，您可以將其用作設(shè)計(jì)的初始模型。

圖5：用于創(chuàng)建MEMS器件版圖的Library Palette

然后，您可以生成一個(gè)三維（3D）幾何模型，以便進(jìn)行查看、虛擬原型開發(fā)，以及導(dǎo)出到有限元分析（FEA）工具。

Compact Model Builder采用的是降階建模技術(shù)，因此利用該工具，您可以根據(jù)FEA結(jié)果創(chuàng)建行為模型，并將其用于最終系統(tǒng)級(jí)仿真中。

傳統(tǒng)上，MEMS的設(shè)計(jì)部分從創(chuàng)建MEMS器件的3D模型開始，然后在第三方有限元分析（FEA）工具（如Open Engineering的OOFELIE::Multiphysics）中分析其物理特性，直到獲得滿意的結(jié)果。但是，您需要2D掩模才能制造MEMS器件。如何從3D模型中衍生出2D掩模呢？您可以遵循圖6所示的Tanner流程，即以掩模為導(dǎo)向，然后成功制造出MEMS器件。

圖6：以掩模為導(dǎo)向的MEMS設(shè)計(jì)流程

從L-Edit的2D掩模版圖開始創(chuàng)建器件。然后，3D Solid Modeler會(huì)利用這些版圖和一系列的3D制造流程步驟，自動(dòng)生成器件的3D實(shí)體模型。導(dǎo)出該3D模型并使用您喜歡的有限元工具執(zhí)行3D分析，如發(fā)現(xiàn)任何問題，可以進(jìn)行迭代。對(duì)2D掩模版圖進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷模缓笾貜?fù)流程。通過這個(gè)以掩模為導(dǎo)向的設(shè)計(jì)流程，您可以在運(yùn)行的MEMS器件中進(jìn)行仿真集成，因?yàn)槟梢灾苯觿?chuàng)建最終用于制造目的的掩模，而不是從3D模型進(jìn)行逆向工作。

執(zhí)行MEMS實(shí)體建模

您可以根據(jù)晶圓代工廠的流程信息設(shè)置制造步驟（圖7）。利用此信息，L-Edit可以為MEMS器件建立制造流程每一步的3D實(shí)體模型。

圖7：制造流程編輯器

您可以與生成的3D模型（圖8）進(jìn)行交互，例如旋轉(zhuǎn)模型，獲取橫截面視圖，另外您還可以診斷制造問題。您可以自動(dòng)導(dǎo)出流程每個(gè)步驟的橫截面，以便更好地了解制造流程和您的器件。然后，您可以將模型導(dǎo)出到FEA工具進(jìn)行分析。

圖8：3D模型示例

設(shè)計(jì)案例

以下案例為東方微電公司(www.dfwee.com)設(shè)計(jì)的集成式磁開關(guān)芯片，內(nèi)部包含磁阻傳感芯片和信號(hào)調(diào)理芯片ASIC。產(chǎn)品可用于音響/冰箱/保險(xiǎn)柜/汽車/艙門監(jiān)測(cè)，液位，氣缸行程位置、水表氣表/轉(zhuǎn)速表等。