一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗,相互競爭下一代技術(shù)

芯資本 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-23 16:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在價(jià)格和競爭壓力期間,3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗,相互競爭下一代技術(shù)。

隨著新玩家進(jìn)入3D NAND市場 - 中國的長江存儲(chǔ)(以下簡稱:YMTC),競爭正在加劇。在中國政府撥款數(shù)十億美元的支持下,YMTC最近推出了其首款3D NAND技術(shù)。 此舉加劇了對新進(jìn)入者可能影響市場惡化的擔(dān)憂。 3D NAND業(yè)務(wù)正在走向長期供過于求和價(jià)格下跌的局面。

3D NAND是當(dāng)今平面NAND閃存的后續(xù)產(chǎn)品,用于存儲(chǔ)應(yīng)用,如智能手機(jī)和固態(tài)存儲(chǔ)(SSD)。 與平面NAND(2D結(jié)構(gòu))不同,3D NAND類似于垂直摩天大樓,其中水平層的存儲(chǔ)器單元被堆疊,然后使用微小的垂直通道連接。

圖1:2D NAND架構(gòu)。資料來源:Western Digital。

圖2:3D NAND架構(gòu)。資料來源:Western Digital

3D NAND通過設(shè)備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加,位密度增加。今天,3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備,盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù),它擁有96層。分析師表示,到2019年中期,供應(yīng)商正在競相開發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。

在研發(fā)方面,供應(yīng)商也在開發(fā)下一代技術(shù),分別為256層和512層。 “這是一場比賽,”TechInsights的分析師Jeongdong Choe說。 “這是最高籌碼量的競賽?!?/p>

有些人偏離了路線圖。在一種情況下,供應(yīng)商最終會(huì)轉(zhuǎn)移到半個(gè)節(jié)點(diǎn)以保持領(lǐng)先于游戲。然后,競爭背后的YMTC計(jì)劃在2019年中期之前發(fā)布一個(gè)64層設(shè)備,但它將跳過96層直接移動(dòng)到128層。 “他們的任務(wù)是追趕三星和其他公司。也許在2020年或2021年,他們將做128,“Choe說。

現(xiàn)有的3D NAND供應(yīng)商 - 英特爾,美光,三星,SK海力士和東芝 - 并沒有停滯不前,他們將在競爭中保持領(lǐng)先地位。但是每個(gè)供應(yīng)商都采用不同的方法來擴(kuò)展3D NAND。

無論如何,3D NAND縮放很難。由于一系列技術(shù)和成本挑戰(zhàn),從96層以上遷移更加令人生畏。

對于96層及更高層,3D NAND供應(yīng)商可能需要轉(zhuǎn)向晶圓廠的新舊技術(shù)。事實(shí)上,低溫蝕刻的重新出現(xiàn),最早出現(xiàn)在20世紀(jì)80年代。新的粘接和其他技術(shù)正在開發(fā)中。

圖3:3D NAND閃存路線圖。資料來源:Imec

商業(yè)環(huán)境帶來了另一項(xiàng)挑戰(zhàn)。去年,NAND市場受到產(chǎn)品短缺,供應(yīng)鏈問題和技術(shù)轉(zhuǎn)型困難的困擾。

Objective Analysis的分析師吉姆·漢迪(Jim Handy)表示,今天的情況不同,因?yàn)?D NAND市場有望在今年年底“崩潰”。 “我們已經(jīng)看到一些價(jià)格下跌。現(xiàn)貨市場價(jià)格全年下跌?!?/p>

這種情況不同于許多下行周期,其特點(diǎn)是需求疲軟和供過于求。 “我們正處于供過于求的邊緣,”漢迪說。 “問題在于人們在制作3DNAND方面的效率越來越高。它是供應(yīng)驅(qū)動(dòng)的。不乏需求?!?/p>

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù),對于NAND來說,平均銷售價(jià)格(ASP)預(yù)計(jì)將在2018年下降24%,在2019年下降23%。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2018年NAND收入總額將達(dá)到587億美元,高于2017年的537億美元。

圖4:第二季度NAND收入預(yù)測資料來源:Gartner

然而,從長遠(yuǎn)來看,一些預(yù)測略微樂觀。 YMTC CEO表示,“如果你從頂層看這個(gè),那就是一個(gè)健康的市場?!?“如果你看一下中國對內(nèi)存芯片的消耗,這是一個(gè)相當(dāng)大的數(shù)字?!?/p>

與此同時(shí),半導(dǎo)體設(shè)備制造商正在密切關(guān)注市場。一些供應(yīng)商的內(nèi)存訂單經(jīng)歷了放緩,但預(yù)計(jì)整體市場將會(huì)增長。 TEL表示,總體而言,晶圓廠設(shè)備市場預(yù)計(jì)將從2017年的510億美元增長到2018年的560億美元至580億美元。 “隨著半導(dǎo)體應(yīng)用的不斷擴(kuò)大,設(shè)備市場正在進(jìn)入下一階段,”TEL總裁兼首席執(zhí)行官Toshiki Kawai在最近的一次報(bào)告中表示。

除了不確定的商業(yè)環(huán)境外,技術(shù)方面也存在挑戰(zhàn)。多年來,該行業(yè)銷售用于存儲(chǔ)應(yīng)用的平面NAND設(shè)備。 NAND閃存由存儲(chǔ)單元組成,存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。最新的NAND設(shè)備存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)(每個(gè)單元3或4位)。在NAND中,即使在系統(tǒng)中關(guān)閉電源之后,數(shù)據(jù)仍然存儲(chǔ)。

平面NAND單元基于浮柵晶體管結(jié)構(gòu)。多年來,供應(yīng)商已經(jīng)將邏輯單元尺寸從120納米擴(kuò)展到今天的1xnm節(jié)點(diǎn),使容量增加了100倍。然而,在15nm / 14nm處,平面NAND正在失去動(dòng)力。

這就是該行業(yè)轉(zhuǎn)向3D NAND的原因。在平面NAND中,存儲(chǔ)器單元通過水平串連接。在3D NAND中,弦被折疊并垂直豎立。實(shí)際上,存儲(chǔ)器單元以垂直方式堆疊,作為縮放密度的手段。

垂直堆棧具有多個(gè)級(jí)別或?qū)?。位密度增加了更多層。例如,東芝的64層器件(每單元3位)是一個(gè)512Gb器件,其單位芯片尺寸比48層芯片大65%。

東芝最新的96層產(chǎn)品(每單元4位)容量為1.33T(太比特),芯片尺寸比64層產(chǎn)品小40%。 “QLC將在許多不同的市場上產(chǎn)生改變游戲規(guī)則的影響,”東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁斯科特尼爾森說。

通常,供應(yīng)商每年大約在一代技術(shù)上擴(kuò)展3D NAND。 2018年,供應(yīng)商正在從64層產(chǎn)品遷移到96層。然后,根據(jù)Imec的說法,預(yù)計(jì)供應(yīng)商將在2019年從96層移至128層,其次是2020/2021的256層,以及2022/2023的512層。

其他人則遵循不同的節(jié)奏。 YMTC將從64層移動(dòng)到128層,從而跳過96層。由于多種原因,YMTC正在跳過96層。首先,64層設(shè)備具有價(jià)格競爭力,并且在一段時(shí)間內(nèi)仍將是最佳選擇。然后,從密度的角度來看,YMTC表示其64層設(shè)備接近其競爭對手的96層產(chǎn)品。

“如果你看看我們目前的步伐,我們的進(jìn)展非???,” YMTC CEO說。 “對于64歲以后的一代,我們?nèi)匀挥?jì)劃在12至18個(gè)月內(nèi)進(jìn)行時(shí)間延遲。我們計(jì)劃下一代直接進(jìn)入128。根據(jù)這一步伐,我們將與其他人保持非常接近?!?/p>

但是,從128層到256層的跳躍并不簡單。有些人會(huì)在跳躍到256層之前移動(dòng)到半個(gè)節(jié)點(diǎn)。例如,據(jù)TechInsights稱,三星將從128層移動(dòng)到大約180層或190層。

擴(kuò)展3D NAND

無論如何,為了擴(kuò)展3D NAND,供應(yīng)商采用兩種方法中的一種 - 單層或串堆疊。這兩種方法都是可行的,但它們是不同的,有各種權(quán)衡。

“擴(kuò)展這些設(shè)備的第一種方法是轉(zhuǎn)向越來越多的層。 96層現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)。我們看到了一條通往256對的單一套路徑,“Lam Research的首席技術(shù)官Rick Gottscho在最近的一次演講中表示。 “縮放這些設(shè)備的第二種方法是采用一個(gè)平臺(tái)并在頂部堆疊另一個(gè)平臺(tái)。這造成了另外一系列挑戰(zhàn)?!?/p>

三星正在采用單層方法。分析師表示,在其最新的設(shè)備中,實(shí)際上是92層,三星在同一個(gè)單片裸片中堆疊了所有92層。

其他人正在采用串型堆疊方法。例如,在64層設(shè)備中,有些設(shè)備開發(fā)了兩個(gè)獨(dú)立的32層部件。然后,他們將一個(gè)堆疊在另一個(gè)上面,啟用64層芯片。

然后,對于96層,一些組合了兩個(gè)單獨(dú)的48層芯片。在兩種情況下,兩個(gè)芯片由絕緣層隔開。

兩種方法,單層和堆疊,都是可行的。應(yīng)用材料公司工藝開發(fā)總經(jīng)理MahendraPakala 表示,“在96層上,雙層堆疊可能會(huì)變得越來越常規(guī)??赡軙?huì)有一些單層堆疊。”

每種方法都有一些技術(shù)和成本問題。例如,在串型堆疊中,供應(yīng)商正在制作兩個(gè)設(shè)備。實(shí)際上,供應(yīng)商將制造單個(gè)設(shè)備的步驟數(shù)量增加了一倍,這轉(zhuǎn)化為成本和周期時(shí)間。

在單層方法中,供應(yīng)商一次性制造單個(gè)設(shè)備。理論上,這可以降低成本和周期時(shí)間。但在晶圓廠,單層方法很難實(shí)現(xiàn)。有些人認(rèn)為這種方法可能會(huì)隨著時(shí)間推移而失去動(dòng)力。

兩種方法都遵循相同的流程步驟。在晶圓廠中,3D NAND與平面NAND不同。在2D NAND中,該過程取決于使用光刻縮小尺寸。

光刻仍然用于3D NAND,但它不是最關(guān)鍵的一步。因此,對于3D NAND,挑戰(zhàn)從光刻轉(zhuǎn)向沉積和蝕刻。

3D NAND流以襯底開始。然后,供應(yīng)商在流動(dòng)交替堆疊沉積中經(jīng)歷了第一個(gè)挑戰(zhàn)。使用化學(xué)氣相沉積(CVD),該方法包括在襯底上沉積和堆疊交替的薄膜。

首先,在基板上沉積一層材料,然后在頂部上施加另一層。該過程重復(fù)幾次,直到給定的設(shè)備具有所需的層數(shù)。

每個(gè)供應(yīng)商使用不同的材料例如,三星在基板上沉積交替的氮化硅和二氧化硅層。 “你會(huì)沉積氧化物 - 氮化物或氧化物 - 多晶硅,這取決于你制造的器件類型,”Lam's Gottscho在演講中說道。

可以在基板上堆疊數(shù)百層。但隨著更多層的添加,面臨的挑戰(zhàn)是在高產(chǎn)量下堆疊具有精確厚度和良好均勻性的層。壓力和缺陷控制面臨巨大挑戰(zhàn)。此外,堆疊往往在壓力下彎曲。

圖5:薄膜堆疊沉積挑戰(zhàn)。資料來源:LamResearch。

這在單層方法中變得更加明顯。為此,供應(yīng)商將在基板上堆疊96層薄膜。 “這是很多沉積。如果你看看任何其他設(shè)備,例如傳統(tǒng)的DRAM設(shè)備,邏輯設(shè)備或之前的2D NAND閃存,他們就沒有96層沉積薄膜,“Gottscho說。

有解決方案。例如,Lam已經(jīng)發(fā)布了一種可以進(jìn)行背面沉積的產(chǎn)品,可以補(bǔ)償前側(cè)應(yīng)力。

避免壓力的另一種方法是使用串型堆疊。例如,您將圖層存放在一個(gè)48層設(shè)備上,然后在另一個(gè)設(shè)備上重復(fù)該過程,形成一個(gè)96層產(chǎn)品。

通常,48層交替堆疊沉積工藝是成熟的并且產(chǎn)生相對較小的應(yīng)力,但是存在挑戰(zhàn)。 “你需要讓一個(gè)甲板與另一個(gè)甲板對齊。如果它們都是高度變形的,那么你將會(huì)出現(xiàn)很大的對齊錯(cuò)誤,“Gottscho說。

高縱橫比蝕刻

在該步驟之后,在膜疊層上施加硬掩模,并在頂部圖案化孔。然后,這是流動(dòng)高縱橫比(HAR)蝕刻中最難的部分。

為此,蝕刻工具必須從器件疊層的頂部到底部基板上鉆出微小的圓孔或通道。通道使得單元在垂直堆疊中彼此連接。一個(gè)器件可能在同一芯片中有250萬個(gè)微小通道。每個(gè)通道必須平行且均勻。

該步驟使用今天的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)系統(tǒng)進(jìn)行。簡單來說,蝕刻器通過用離子轟擊表面來產(chǎn)生微小的通道。 “這種蝕刻非常困難且非常耗時(shí),”Lam的Gottscho說。 “蝕刻中縱橫比縮放的基本定律表明,縱橫比越高,沉積層的厚度越大,孔越小,蝕刻越慢?!?/p>

然后,隨著蝕刻工藝更深地滲透到通道中,離子的數(shù)量可能減少。這會(huì)降低蝕刻速率。更糟糕的是,可能會(huì)發(fā)生不需要的CD變化。

圖6:溝道蝕刻挑戰(zhàn)。資料來源:LamResearch。

64層設(shè)備的縱橫比為60:1,而32/48層設(shè)備的縱橫比為40:1。盡管如此,今天的蝕刻機(jī)仍然可以完成這項(xiàng)工作,至少在某種程度上是這樣。 “32層,48層和64層設(shè)備使用傳統(tǒng)的蝕刻工具用于HAR通道孔,”TechInsights的Choe說。

基于這一前提,可以想象供應(yīng)商可以使用串型堆疊從96層遷移到128層以上。理論上,使用傳統(tǒng)的蝕刻工具,供應(yīng)商可以處理兩個(gè)64層設(shè)備,從而實(shí)現(xiàn)128層。

單層方法是另一個(gè)故事,因?yàn)榭v橫比超過70:1。 “對于96層,我們可以用一步蝕刻進(jìn)行蝕刻。但是你可能有蝕刻損壞或者輪廓不好。如果我們使用一步蝕刻,這很難,”Choe說。

對于單層96層設(shè)備及其他設(shè)備,業(yè)界需要用于HAR步驟的傳統(tǒng)蝕刻工具。 “但是,需要另一種等離子工具和方法。低溫蝕刻就是一個(gè)例子,”Choe說。

傳統(tǒng)的蝕刻器涉及在室溫下交替蝕刻和鈍化步驟的過程。相反,低溫蝕刻在低溫下進(jìn)行。他們使用氟基高密度等離子體。

“低溫蝕刻并不新鮮。人們已經(jīng)將它用于其他應(yīng)用,“Applied的Pakala說。 “原子在高溫下移動(dòng)。如果您在蝕刻時(shí)不需要原子,則可以降低溫度?!?/p>

然而,低溫蝕刻是困難且昂貴的。 “我們回到了未來。我們正在做的是引入低溫蝕刻。自20世紀(jì)80年代中期以來,它一直存在于文獻(xiàn)中,但它遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了它的時(shí)代,”Lam的Gottscho說。 “這是一項(xiàng)艱巨的技術(shù),但我們?nèi)〉昧撕艽蟮倪M(jìn)步。低溫蝕刻的優(yōu)勢在于,您可以在此高縱橫比特征底部的蝕刻前沿處獲得更多反應(yīng)物。這提高了蝕刻速率。這是一項(xiàng)昂貴的技術(shù)實(shí)施,但其好處超過了增加的成本。”

更多步驟

在此過程之后,每個(gè)供應(yīng)商都遵循不同的流程。在一些流程中,通道襯有多晶硅并填充有二氧化硅。

然后,去除疊層中的原始氮化物層。沉積柵極電介質(zhì),然后使用鎢用于字線的導(dǎo)電金屬柵極填充。這是復(fù)雜過程的簡化版本。

圖7:3D NAND流程來源:客觀分析

通常,整個(gè)過程在工廠中以一個(gè)連續(xù)的流程進(jìn)行。供應(yīng)商將首先采用基板并在其上構(gòu)建邏輯電路,然后是NAND結(jié)構(gòu)。

然而,YMTC還有另一種方法。該公司處理一個(gè)晶圓上的電路和另一個(gè)晶圓上的NAND結(jié)構(gòu)。然后,使用數(shù)百萬個(gè)金屬垂直互連存取結(jié)構(gòu)將兩個(gè)晶片電連接并電連接。 YMTC的方法,稱為Xtacking,將制造周期時(shí)間縮短了20%,并允許更高的位密度。

在YMTC上升并投入生產(chǎn)之前需要一段時(shí)間,因此現(xiàn)有的參與者將在可預(yù)見的未來繼續(xù)主導(dǎo)競爭格局。

不過,可以肯定的是,這是OEM的好時(shí)機(jī)。 3D NAND產(chǎn)品將以具有競爭力的價(jià)格提供豐富的產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 智能手機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    18624

    瀏覽量

    183808
  • 固態(tài)存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    56

    瀏覽量

    13075
  • 長江存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    325

    瀏覽量

    38343

原文標(biāo)題:長江存儲(chǔ)入場:3D NAND大戰(zhàn)開啟

文章出處:【微信號(hào):ICCapital,微信公眾號(hào):芯資本】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SK海力士321層4D NAND的誕生

    SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱N
    的頭像 發(fā)表于 07-10 11:37 ?499次閱讀

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    許多工藝步驟、材料和設(shè)計(jì)理念相互重疊。叉片晶體管將 p 型和 n 型器件并排放置。相比之下,下一代 CFET 則垂直堆疊了兩種不同類型的晶體管,盡管基本技術(shù)相同。 為此,imec 目前正在研究如何將這種
    發(fā)表于 06-20 10:40

    使用海爾曼太通/HellermannTyton 3D CAD 模型進(jìn)行快速高效的設(shè)計(jì)

    提供 3D 和 2D CAD 數(shù)據(jù),可供免費(fèi)下載。 直接嵌入三維設(shè)計(jì)環(huán)境的模型下載功能 在海爾曼太通官網(wǎng)上點(diǎn)擊【產(chǎn)品】選項(xiàng),工程師現(xiàn)在可以查看和下載眾多產(chǎn)品的 3D CAD 模型。下載功能與
    發(fā)表于 03-14 16:55

    鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

    兩家公司預(yù)展第十3D閃存技術(shù),為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布項(xiàng)尖端3D
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:31 ?500次閱讀
    鎧俠與閃迪發(fā)布<b class='flag-5'>下一代</b><b class='flag-5'>3D</b>閃存<b class='flag-5'>技術(shù)</b>,實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s <b class='flag-5'>NAND</b>接口速度

    3D打印中XPR技術(shù)對于打印效果的影響?

    我是3D打印設(shè)備的制造,我想具體了解下3D打印中XPR技術(shù)對于打印效果的影響? 或者是否能提供對應(yīng)的專利信息以備查閱
    發(fā)表于 02-18 07:59

    蘋果或即將確定折疊顯示屏供應(yīng)商

    近日,韓國社交媒體上發(fā)布的份報(bào)告引起了廣泛關(guān)注。據(jù)該報(bào)告顯示,蘋果公司正“接近確定”其下一代可折疊顯示技術(shù)的主要供應(yīng)商。 這份報(bào)告引用了來自蘋果
    的頭像 發(fā)表于 02-06 11:28 ?710次閱讀

    自帶尺寸標(biāo)注的3D預(yù)覽為制造組件提供更強(qiáng)勁的客戶體驗(yàn)

    。當(dāng)對配置滿意時(shí),工程師可以用他們選擇的CAD格式生成幾何精度高的產(chǎn)品模型。 3、杰牌傳遞(JIEDrives)是家提供高質(zhì)量變速箱和電機(jī)相關(guān)產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)解決方案供應(yīng)商,為工程師客戶們提供在線
    發(fā)表于 01-20 16:09

    AR智能眼鏡重點(diǎn)供應(yīng)商梳理

    已具備定的競爭力,例如某些光學(xué)模組和結(jié)構(gòu)件供應(yīng)商已進(jìn)入頭部廠商供應(yīng)鏈。然而,整體而言,AR智能眼鏡的重點(diǎn)供應(yīng)商仍以國際企業(yè)為主,國內(nèi)企業(yè)仍
    的頭像 發(fā)表于 01-03 14:23 ?1322次閱讀
    AR智能眼鏡重點(diǎn)<b class='flag-5'>供應(yīng)商</b>梳理

    【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的些小知識(shí)

    密度,制造開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù),該
    發(fā)表于 12-17 17:34

    三星顯示將為下一代iPhone SE 4供應(yīng)OLED面板

    全球領(lǐng)先的OLED面板生產(chǎn)三星顯示將向下一代iPhone SE 4提供OLED顯示屏。自iPhone X面世以來,這家韓國巨頭直是蘋果OLED面板的主要供應(yīng)商,盡管其市場份額逐年有
    的頭像 發(fā)表于 10-24 14:45 ?998次閱讀

    I3C–下一代串行通信接口

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《I3C–下一代串行通信接口.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-07 10:35 ?3次下載
    I<b class='flag-5'>3</b>C–<b class='flag-5'>下一代</b>串行通信接口

    今日看點(diǎn)丨消息稱下一代奧迪 A5將首次搭載華為智駕方案;思科全球裁員6300人

    和全球的供應(yīng)商在不同領(lǐng)域開展不同形式的合作,敬請諒解,我們不便透露具體供應(yīng)商的名稱。 ? 基于 PPC 平臺(tái)打造的下一代奧迪 A5 將會(huì)成為搭載華為智能駕駛解決方案的首款車型。根據(jù)奧迪的全新命名規(guī)則,A5 將會(huì)取代的是目前在售的
    發(fā)表于 08-15 11:31 ?1238次閱讀

    泛林集團(tuán)推出第三低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0,助力3D NAND邁向千層新紀(jì)元

    里程碑式的技術(shù)突破,不僅鞏固了泛林集團(tuán)在3D NAND閃存蝕刻領(lǐng)域的霸主地位,更為全球存儲(chǔ)技術(shù)的未來發(fā)展鋪設(shè)了堅(jiān)實(shí)的基石。
    的頭像 發(fā)表于 08-05 09:31 ?1408次閱讀

    美光第九3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開始出貨

    知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:11 ?1103次閱讀

    安森美將為大眾汽車集團(tuán)的下一代電動(dòng)汽車提供電源技術(shù)

    近日,安森美宣布與大眾汽車集團(tuán)簽署了項(xiàng)多年協(xié)議,成為其可擴(kuò)展系統(tǒng)平臺(tái)(SSP)下一代主驅(qū)逆變器的主要供應(yīng)商,提供完整的電源箱解決方案。該解決方案在集成模塊中采用了基于碳化硅的技術(shù),可
    的頭像 發(fā)表于 07-23 11:09 ?1462次閱讀