PLC = Programmable Logic Controller，可編程邏輯控制器，一種數(shù)字運(yùn)算操作的電子系統(tǒng)，專(zhuān)為在工業(yè)環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。它采用一類(lèi)可編程的存儲(chǔ)器，用于其內(nèi)部存儲(chǔ)程序，執(zhí)行邏輯運(yùn)算，順序控制，定時(shí)，計(jì)數(shù)與算術(shù)操作等面向用戶(hù)的指令，并通過(guò)數(shù)字或模擬式輸入/輸出控制各種類(lèi)型的機(jī)械或生產(chǎn)過(guò)程。是工業(yè)控制的核心部分。

橫河PLC FA-M3在擴(kuò)散爐上的應(yīng)用。擴(kuò)散爐工作區(qū)間內(nèi)（800到1000mm）一般需要±01℃（個(gè)別要求±0.5℃）。擴(kuò)散爐是集成電路生產(chǎn)線(xiàn)前工序的重要工藝設(shè)備之一，它的主要用途是對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類(lèi)型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。雖然某些工藝可以使用離子注入的方法進(jìn)行摻雜，但是熱擴(kuò)散仍是最主要、最普遍的摻雜方法。硅的熱氧化作用是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氫氧合成）兩種，擴(kuò)散爐是用這兩種氧化方法制備氧化層的必備設(shè)備。擴(kuò)散爐是半導(dǎo)體集成電路工藝的基礎(chǔ)設(shè)備，它與半導(dǎo)體工藝互相依存、互相促進(jìn)、共同發(fā)展。

擴(kuò)散爐工作區(qū)間內(nèi)（800到1000mm）一般需要±01℃（個(gè)別要求±0.5℃）。多數(shù)情況下只使用外溫控制，內(nèi)溫只在數(shù)據(jù)測(cè)試（Profiling）和2-3周一次的矯正時(shí)使用。不同晶片及數(shù)量的要求內(nèi)溫相對(duì)外溫設(shè)定值由profiling給出。使用內(nèi)溫時(shí)，使用串級(jí)控制，內(nèi)溫輸出作為外溫設(shè)定值使用。

控制難點(diǎn)：

1：溫度精度的保持。＋0.1度需要相當(dāng)?shù)目刂乒に嚕?a href="http://www.www27dydycom.cn/tags/pi/" target="_blank">PID參數(shù)）積累。

2：程序的自由度。多組目標(biāo)值數(shù)據(jù)要存儲(chǔ)并自由切換。避免干涉。

3：電熱絲斷線(xiàn)預(yù)警；通常使用CT監(jiān)測(cè)電流，配以電壓監(jiān)視。也有使用監(jiān)視同等條件下的輸出變化（比如從60%升高到70%）來(lái)判斷老化程度給出預(yù)警。

FA-M3適用模塊：

各電熱絲溫度控制－－－－-F3CU04-1S：

☆提供200ms周期，0.1度的高精度控制，溫度控制曲線(xiàn)條數(shù)不受限制。

☆單系統(tǒng)最多144loop溫控控制，節(jié)省了大量的安裝空間，控制更靈活，方便聯(lián)網(wǎng)擴(kuò)展。

☆各點(diǎn)獨(dú)立，不必加裝隔離柵，減少電熱絲間干擾。

☆由于是模塊式，不再需要PLC與溫度調(diào)節(jié)器間繁瑣的通信編程和布線(xiàn)。

☆使用專(zhuān)用軟件設(shè)定PID/測(cè)試/監(jiān)視。不必使用記錄儀輔助。多路圖彩監(jiān)視為調(diào)試提供了方便。

其他－－－－-斷線(xiàn)檢測(cè)和e-RT3智能CPU

☆檢測(cè)加熱器電流的下限，斷線(xiàn)報(bào)警。

☆補(bǔ)償電源電壓變動(dòng)，以防止誤報(bào)警。

☆e-RT實(shí)時(shí)系統(tǒng)CPU完成主控部和溫度控制部處理，代替?zhèn)鹘y(tǒng)PC，系統(tǒng)更穩(wěn)定。