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FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

電子設(shè)計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2018-11-28 09:22 ? 次閱讀
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引 言

微小衛(wèi)星促進了專用集成電路ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。

微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。

應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。

和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。

缺陷成團的相關(guān)研究

缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。

(1) 集成電路缺陷類型

FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障。空間飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。

(2) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型

局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。

IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

圖1 硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖

早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。

缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。

缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。

成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。

式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。

缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響

衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。

對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。

無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。

復合二項式分布模型的數(shù)學推導

經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析

式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

當參數(shù)u 趨近于零時

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。

參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。

進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于

FPGA內(nèi)缺陷成團機理與可靠性的策略分析

缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。

其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。

成團因子

缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。   ?。?) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。   ?。?) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

圖2 成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系

IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。

在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。

實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。

缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略

冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。

分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。   ?。?) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。   ?。?) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

圖3 冗余容錯電路布局示意圖

提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析

由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。

考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用。現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。   ?。?) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。   ?。?) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。

um 和u0有如下關(guān)系

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用。現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。   ?。?) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。   ?。?) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

調(diào)整布局的失效率Qm

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。    (1) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。   ?。?) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。

在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。

表1 失效率隨成團因子u0 變化表

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。    (1) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。    (2) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。   ?。?) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障。空間飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。    (2) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

圖4 冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系

冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。

表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。

表2 冗余容錯電路失效率隨布局變化表

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用。現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。   ?。?) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。   ?。?) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則

每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。

圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。

  引 言    微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—Application Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式,是中國航天目前集成設(shè)計的最佳技術(shù)選擇,也是中國微小衛(wèi)星發(fā)展的必由之路。    微小衛(wèi)星對其功耗、質(zhì)量和體積提出了較苛刻的要求,因此采用FPGA片內(nèi)冗余容錯代替片外冗余容錯,是實現(xiàn)系統(tǒng)可靠性指標的另一種好辦法。    應(yīng)用于空間環(huán)境的FPGA,其時序邏輯需要防范空間粒子輻射引起的單粒子翻轉(zhuǎn),片內(nèi)三模冗余(TMR) 是應(yīng)對單粒子翻轉(zhuǎn)的主要手段。因此,采用FPGA片內(nèi)冗余容錯方式提高可靠性,是非常必要的。    和其它集成電路一樣,F(xiàn)PGA內(nèi)部存在制造缺陷。研究發(fā)現(xiàn)這些缺陷的空間分布是不均勻的,表現(xiàn)出成團性。FPGA內(nèi)部缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計會產(chǎn)生負面影響,需要開展針對性的研究并提出應(yīng)對策略,以提高FPGA片內(nèi)冗余容錯設(shè)計的有效性。    缺陷成團的相關(guān)研究    缺陷成團在電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域還未被充分認識和重視,但作為集成電路制造領(lǐng)域的研究課題,卻有相當長的研究歷史。    (1) 集成電路缺陷類型    FPGA等集成電路(IC—Integrate Circuit)在制造過程中會產(chǎn)生缺陷。制造缺陷分成全局缺陷和局部缺陷。全局缺陷可以控制,但局部缺陷呈現(xiàn)隨機性,難以避免,并隨著芯片面積的增大而增加。在出廠測試中可以檢測出絕大部分的局部缺陷,但有一些局部缺陷由于其影響一時未能顯現(xiàn)而通過了檢測設(shè)備的檢測,這些局部缺陷經(jīng)過一段時間的使用后會逐步擴展,引起電路故障??臻g飛行器選用的FPGA,盡管經(jīng)過了嚴格的考核和篩選,但由于其工作于惡劣的太空環(huán)境,仍然會誘發(fā)潛在的微小缺陷,引起電路故障,從而對航天電子產(chǎn)品的可靠性構(gòu)成嚴重威脅。    (2) 集成電路缺陷的空間分布及成品率預計模型    局部缺陷降低了IC的成品率(Manufacturing Yield),為此需要在成品率預計的基礎(chǔ)上采用相應(yīng)的冗余容錯措施,以滿足生產(chǎn)成品率要求。    IC芯片(Chip)制作在一定尺寸的硅圓片(Wafer)上,若干個IC芯片在Wafer上按行、列整齊排列,每個芯片內(nèi)部含有若干個邏輯塊(Logic Block)。FPGA、CPLD、存儲器等IC芯片,其構(gòu)造邏輯塊在內(nèi)部也是按行、列整齊排列的。圖1(a)是硅圓片示意圖,內(nèi)部整齊排列著芯片;圖1(b)是FPGA芯片的示意圖,內(nèi)部排列著邏輯塊,邏輯塊之間是布線通道。        圖1  硅圓片、芯片及內(nèi)部缺陷分布示意圖    早期研究認為,在Wafer和IC內(nèi)缺陷的空間分布是均勻的。假定一個IC芯片內(nèi)部含有n個邏輯塊,每個邏輯塊的平均可靠度為p。對于內(nèi)部無冗余容錯的IC,成品IC必須是n個邏輯塊均無故障。設(shè)P為其預計成品率,則成品率預計模型為        在IC中有規(guī)律地增加一些備用邏輯塊,用這些備用邏輯塊代替故障邏輯塊,以提高IC成品率。假定IC有n個邏輯塊,其中r =n - k ,為備用邏輯塊,IC是成品的條件是n個邏輯塊中有k個以上無故障,其概率為        因此采用冗余容錯電路IC的成品率預計模型為        式(2)是IC成品率預計的二項式分布模型。用此模型預計IC成品率,預計值與實際值存在較大差異。大量實驗觀測發(fā)現(xiàn),二項式分布成品率預計模型不準確的根源在于IC內(nèi)部缺陷的空間分布是不均勻的,呈現(xiàn)成團效應(yīng)(Clustering)。缺陷成團的主要原因是IC工藝的批次性,工藝條件會隨著時間和空間發(fā)生變化,導致IC芯片的批次之間,同一批的圓片與圓片之間,甚至是同一圓片的芯片與芯片之間,缺陷的分布都不同。邏輯塊的可靠度p不是常數(shù),而是隨機變量。    缺陷成團的表象如圖1 所示,圖中黑點代表缺陷,圓框標注的是一個缺陷團。缺陷團面積是個隨機值,大面積缺陷團可以覆蓋整個圓晶片,小面積缺陷團局限在一個芯片內(nèi),覆蓋相鄰的若干邏輯塊。    缺陷成團使得鄰近邏輯塊的缺陷存在相關(guān)性。要建立反映缺陷成團性的成品率預計模型,需要對復雜的多變量聯(lián)合概率密度函數(shù)積分,可見用解析方法求得成品率幾乎是不可能的。因此,通常采用數(shù)學逼近的方法,依靠系列可解析函數(shù)逼近成品率預計模型。    成品率預計的負二項式分布模型和復合泊松(Poisson) 分布模型,如Neymann TypeA ,Poisson Binomial 分布模型,由于考慮了缺陷的成團性,都能較準確地預計成品率。Stapper等假定p服從B分布,提出成品率復合二項式分布模型,這一模型不僅可以較準確地預計IC成品率,而且便于分析計算。成品率復合二項式分布模型為        式中p-是p的均值,u是B分布的一個參數(shù)。    式(3)與式(2)相比,是在式(2)的基礎(chǔ)上增加了一個含參數(shù)u、p-的比例因子,從而反映出缺陷成團對成品率的影響。    缺陷成團對FPGA片內(nèi)冗余容錯電路可靠性的影響    衛(wèi)星電子系統(tǒng)的功能電路布局于FPGA內(nèi),功能電路由芯片內(nèi)的若干簡單邏輯塊構(gòu)成。為提高功能電路的可靠性,往往需要在片內(nèi)對功能電路整體采取冗余容錯措施,如最常用的單備份冗余容錯形式。冗余容錯電路包括主份電路、若干備份電路和切換電路,其可靠性是由主份電路、備份電路和切換電路共同決定的。如果主份和備份電路遠比切換電路復雜,則可以忽略切換電路對冗余容錯電路可靠性的影響,以下的討論就是針對這一情況進行的。    對于冗余容錯電路,不允許主份和備份電路都出現(xiàn)故障,引起冗余容錯電路失效。因此有必要采取措施,盡可能降低冗余容錯電路的失效率。    無論是FPGA內(nèi)邏輯單元一類的簡單邏輯塊,還是處理器陣列中的處理器單元(PE)一類的復雜邏輯塊,都可以采用成品率復合二項式分布模型分析其成品率。若把冗余容錯電路的主份和備份電路分別看成是片內(nèi)的一個復雜邏輯塊,則可以用此模型分析缺陷成團對冗余容錯電路可靠性產(chǎn)生的影響。    復合二項式分布模型的數(shù)學推導    經(jīng)分析,式(3)給出的成品率復合二項式分布模型表達式存在錯誤,Stapper在文獻中沒有給出推導過程,因此首先從數(shù)學上對此模型進行了嚴格推導。推導的關(guān)鍵是利用Γ函數(shù)與B函數(shù)的關(guān)系:        缺陷成團對冗余容錯電路可靠性影響分析    式(4)中的第三項對應(yīng)n冗余容錯電路的無故障概率Pn為        式(4) 中的第一項對應(yīng)n 冗余容錯電路的失效率Qn 為        分析式(5) 、(6) ,當參數(shù)u 趨近于無窮大時        當參數(shù)u 趨近于零時        式(7)、(8)表明,當參數(shù)u 趨近于無窮大時,Pn和Qn的值等于缺陷均勻分布時的值,說明此時缺陷不具備成團性,而是呈均勻分布狀態(tài); 式(9)、(10)表明,當參數(shù)u趨近于零時,Pn和Qn的值分別等于主份電路的可靠度和共效率。    參數(shù)u反映了IC 內(nèi)部缺陷成團性的強弱,稱為模型的成團因子。u 越大,缺陷成團性越弱;u 越小,缺陷成團性越強。    進一步分析表達式(5)、(6),對于任意的u》0 ,由于        所以有。    缺陷成團時片內(nèi)冗余容錯電路的無故障概率和失效率比缺陷均勻分布時的都要高。缺陷成團性增大了冗余容錯電路的失效率,削弱了冗余容錯的可靠性增長功效。    多項式,其值隨參數(shù)u增大而增大,因此失效率Qn隨參數(shù)u增大而減小,并且在u=0時取得最大值。成團因子u越大,冗余容錯電路的失效率越低、可靠性就越高。這一結(jié)論對冗余容錯電路可靠性設(shè)計具有重要指導意義。    成團因子    缺陷成團性強弱可以理解為缺陷相關(guān)性的強弱。缺陷成團性越強,缺陷相關(guān)性就越強,成團因子越小,反之亦然。若應(yīng)用式(4)分析一個冗余容錯電路,則成團因子反映的是冗余容錯電。路內(nèi)缺陷的平均相關(guān)度缺陷團面積是個隨機值,當冗余容錯電路面積小于最小缺陷團面積時,相應(yīng)成團因子的值只取決于缺陷團內(nèi)缺陷相關(guān)性的強弱,與冗余容錯電路面積無關(guān);當冗余容錯電路面積大于最大缺陷團面積時,此時成團因子不僅受缺陷成團性強弱的影響,而且隨冗余容錯電路面積的變化而變化。        圖2  成團因子α與冗余容錯電路面積的關(guān)系    IC成品率預計常用到負二項式分布模型,此模型中的參數(shù)α是模型的成團因子。Stapper采用回歸分析法分析驗證成團因子α,得出成團因子與冗余容錯電路面積的關(guān)系,如圖2所示。曲線中的OA水平直線段表示α維持不變,對應(yīng)冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積的情況;曲線中的BC直線段表明α與冗余容錯電路塊面積成正比,對應(yīng)冗余容錯電路面積大于所有缺陷團面積的情況; 曲線中的AB曲線段表明α隨冗余容錯電路面積增大而呈現(xiàn)非線性增長,此時冗余容錯電路面積介于最小缺陷團面積和最大缺陷團面積之間。    在沒有缺陷團面積數(shù)據(jù)時,一般假定FPGA內(nèi)缺陷團面積小至邏輯塊,大至整個芯片,并且在這范圍內(nèi)連續(xù)分布。此時圖2中的點A、B分別趨近點O、C,在曲線整個范圍內(nèi),成團因子隨冗余容錯電路塊面積增大而呈非線性增長。    實驗數(shù)據(jù)表明,在冗余容錯電路面積小于所有缺陷團面積時,成團成子u維持不變。成團因子α和u物理意義相同,遵循相似的變化規(guī)律。    缺陷成團時提高冗余容錯電路可靠性的策略    冗余容錯電路的主份和備份電路布局于FPGA芯片內(nèi)。當FPGA內(nèi)缺陷成團時,可以通過調(diào)整布局,增大主、備份電路的幾何距離,降低冗余容錯電路的失效率。    分析表明,在缺陷成團時,冗余容錯電路的失效率取決于所對應(yīng)成團因子的大小。成團因子決定于冗余容錯電路的等效面積。冗余容錯電路的等效面積等于涵蓋整個冗余容錯電路的最小面積,如圖3所示。增大主、備份電路的幾何距率,就是增大冗余容錯電路的等效面積,從而增大對應(yīng)成團因子的值。增大成團因子,就能降低冗余容錯電路的失效率,提高其可靠性。        圖3 冗余容錯電路布局示意圖    提高冗余容錯電路可靠性策略的定量分析    由于成團因子與冗余容錯電路等效面積之間存在復雜非線性關(guān)系,無法為上述策略建立分析模型進行定量分析。但當FPGA內(nèi)只有小于冗余容錯電路面積的缺陷團,且成團因子與冗余容錯電路等效面積成線性關(guān)系,或者可以用線性關(guān)系近似時,則可以建立相應(yīng)的分析模型進行定量分析。    考慮一個單模塊單備份容錯電路,如圖3 所示。A 是主份電路,B 是備份電路。如果單純考慮信號時延,則布局時應(yīng)將主、備份電路相鄰排列。稱這一布局為單模塊單備份容錯電路的基本布局,基本布局的等效面積為2S0(S0為主份電路面積) ,此時主、備份電路之間的距離為0,對應(yīng)成團因子為u0,則有基本布局的失效概率Q02為        增大主、備份電路的距離,在主、備份之間留有面積等于m 個主份電路面積的空間。此布局為調(diào)整布局。調(diào)整布局的等效面積為(m+2)S0 ,此時主、備份電路之間的距離為m ,對應(yīng)成團因子為um 。    um 和u0有如下關(guān)系        調(diào)整布局的失效率Qm        無論成團因子u0取何值,調(diào)整布局都能夠降低冗余容錯電路的失效率。表1 數(shù)據(jù)反映的是基本布局和特定調(diào)整布局(m=2)失效率隨成團因子u0的變化情況,主份電路的可靠度p-=0.99999。    在成團因子較寬的一個變化范圍內(nèi),特定調(diào)整布局(m=2)失效率比基本布局失效率降低了約1/2。    表1  失效率隨成團因子u0 變化表            圖4  冗余容錯電路失效率隨距離變化關(guān)系    冗余容錯電路的主、備份電路間距離越大,冗余容錯電路失效率越低。圖4是冗余容錯電路失效率隨主、備份電路之間的距離變化(m變化)的情況,曲線對應(yīng)的主份電路可靠度p-= 0.99999,成團因子u0=6。    表2 列出了不同布局失效率的具體改善數(shù)據(jù),當m=8時,失效率約為基本布局的1/5。    表2  冗余容錯電路失效率隨布局變化表        缺陷成團時芯片內(nèi)備份電路的優(yōu)化布局原則    每種冗余容錯方式,在FPGA的矩形(含正方形) 芯片內(nèi)實現(xiàn)時,可以選擇不同的布局方案。應(yīng)用本章提出的策略,針對常用的幾種冗余容錯方式,從可靠性角度提出了最佳的一個布局方案。    圖5(a)是單模塊單備份容錯形式。按圖5(b)所示,將主、備份電路沿芯片對角線布置,可以獲得最低的失效率。切換電路布置在與主、備份電路距離相同的位置上,保證切換電路的兩路輸入信號時延基本相同。主、備份電路的輸入分別從就近的芯片引腳輸入,避免占用內(nèi)部大量的互連資源。兩引腳再通過PCB板上的印制線相連。        圖5  單模塊單備份容錯形式布局    布局、時延與資源利用率    依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。    無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。    結(jié)束語    基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

圖5 單模塊單備份容錯形式布局

布局、時延與資源利用率

依據(jù)本章提出的策略進行布局,冗余容錯模塊之間存在較大的空間,在這空間里可以布置其他功能電路。但是冗余容錯模塊之間的長距離信號連接需要消耗FPGA內(nèi)有限的連線資源,往往由于連線資源消耗殆盡,無法繼續(xù)布置其他的功能電路,從而降低了芯片邏輯資源的利用率。因此,冗余容錯模塊可靠性的提升也是以犧牲資源為代價的。解決這一問題的一個有效辦法是利用FPGA豐富的輸入輸出管腳資源,將片內(nèi)的長線連接改為片外PCB板印制導線的連接。

無論是片內(nèi)的還是片外的長線連接,都勢必引起較大的信號時延,這會限制電路的最高工作頻率,但隨著FPGA性能的不斷改善,信號時延問題會逐步緩解。

結(jié)束語

基本FPGA的片內(nèi)冗余容錯將會是提高微小衛(wèi)星可靠性的重要手段。隨著FPGA規(guī)模的增大和集成密度的提高,內(nèi)部缺陷發(fā)生的概率也在增大,因此研究缺陷成團性對片內(nèi)冗余容錯的影響,具有較重要的工程價值。后續(xù)工作需要研究缺陷成團對一些常用片內(nèi)冗余容錯方式如TMR的影響,提出相應(yīng)的應(yīng)對策略。在此基礎(chǔ)上再進一步探討在電子設(shè)計自動化環(huán)境下,高效實現(xiàn)應(yīng)對缺陷成團性策略的方法。

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