格芯（GLOBALFOUNDRIES）今天發(fā)布新聞稿，宣布其轉(zhuǎn)型的重要一步。繼今年初湯姆·嘉菲爾德（Tom Caulfield）接任首席執(zhí)行官后，格芯正在重塑其技術(shù)組合，依照嘉菲爾德所闡述的戰(zhàn)略方向，重點(diǎn)關(guān)注為高增長市場(chǎng)中的客戶提供真正的差異化產(chǎn)品。

擱置7納米 FinFET項(xiàng)目

文中稱，格芯正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

為支持此次戰(zhàn)略調(diào)整，格芯將擱置7納米 FinFET項(xiàng)目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關(guān)人員的同時(shí)，一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。

熟悉格芯產(chǎn)品路線的人應(yīng)該知道，在2017年6月中旬，格芯宣布他們的7納米FinFET技術(shù)測(cè)試良率已經(jīng)達(dá)到65%，將于2018年上半年推出第一批客戶產(chǎn)品，并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

格芯官方網(wǎng)站的新聞稿截圖

“客戶對(duì)半導(dǎo)體的需求從未如此高漲，并要求我們?cè)趯?shí)現(xiàn)未來技術(shù)創(chuàng)新方面發(fā)揮越來越大的作用”。對(duì)于這個(gè)決定，格芯的信任CEO嘉菲爾德表示，“今天，絕大多數(shù)無晶圓廠客戶都希望從每一代技術(shù)中獲得更多價(jià)值，以充分利用設(shè)計(jì)每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)所需的大量投資。從本質(zhì)上講，這些節(jié)點(diǎn)正在向?yàn)槎鄠€(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供服務(wù)的設(shè)計(jì)平臺(tái)過渡，從而為每個(gè)節(jié)點(diǎn)提供更長的使用壽命。這一行業(yè)動(dòng)態(tài)導(dǎo)致設(shè)計(jì)范圍到達(dá)摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉(zhuǎn)變業(yè)務(wù)重心，加倍投資整個(gè)產(chǎn)品組合中的差異化技術(shù)，有針對(duì)性的服務(wù)不斷增長的細(xì)分市場(chǎng)中的客戶?！?/p>

嘉菲爾德在今年接受《EETimes》采訪時(shí)表示，目前格芯最需要的就是新發(fā)展機(jī)會(huì)。雖然格芯是全世界市占率僅次臺(tái)積電的半導(dǎo)體代工廠商，但整體來說營運(yùn)卻談不上多成功，技術(shù)上相較臺(tái)積電、三星落后許多，放棄了自家研發(fā)的 14 納米 XM 技 術(shù)，改用三星 14 納米工藝全套授權(quán)，才較穩(wěn)定提供 AMD 及其他客戶 14 納米工藝產(chǎn)能，整體獲利情況不佳，也是格芯當(dāng)前亟需改變的地方。

是技術(shù)的羈絆，還是成本的考量？

2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中的技術(shù)積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計(jì)劃，該技術(shù)于2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開始生產(chǎn)。當(dāng)時(shí)格芯表示，還將持續(xù)投資下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)的研究與開發(fā)。

通過與合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7納米測(cè)試芯片。據(jù)官方報(bào)道，為了加快7LP的量產(chǎn)進(jìn)程，格芯還在2017年下半年首次購進(jìn)兩個(gè)超紫外光（EUV）光刻工具，此后，格芯還于去年中宣布推出業(yè)內(nèi)首款基于硅納米片晶體管的5納米樣片。

但格芯CTO兼全球研發(fā)高級(jí)副總裁Gary Patton 曾透露，在EUV 技術(shù)上，格芯的7 納米工藝確實(shí)面臨很多挑戰(zhàn)，包括如何進(jìn)一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題，必須努力克服才能投入大規(guī)模量產(chǎn)，目標(biāo)是將良率提高到95%。如今項(xiàng)目的擱置或許也有技術(shù)方面的原因。

格芯并不是首家放棄追求7納米工藝的晶圓代工廠商，***財(cái)經(jīng)媒體《財(cái)訊》今年早些時(shí)候在采訪聯(lián)華電子（UMC）總經(jīng)理王石時(shí)，得知他們將“不再投資 12 納米以下的先進(jìn)工藝”，原因是一直在追趕最先進(jìn)的工藝，會(huì)導(dǎo)致投資成本越來越高，而且還只能跟在臺(tái)積電后面。

后續(xù)重點(diǎn)關(guān)注ASIC和FDX業(yè)務(wù)

此外，為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資，公司正在建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持續(xù)使用最先進(jìn)的技術(shù)。該獨(dú)立ASIC實(shí)體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項(xiàng)，讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開合作，特別是日益增多的系統(tǒng)公司，他們需要ASIC服務(wù)同時(shí)生產(chǎn)規(guī)模需求無法僅由格芯提供。

其實(shí)相較于FinFET，格芯一直以來都是FD-SOI的堅(jiān)定支持者，不單因?yàn)镕D-SOI的光罩成本較FinFET工藝低30%，而且還具有低功耗和支持RF的優(yōu)點(diǎn)。所以不排除格芯擱置7納米FinFET，是為了把更多精力放在FD-SOI上。

格芯也在新聞稿中稱，正在加強(qiáng)投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價(jià)值的領(lǐng)域，著重投資能在其產(chǎn)品組合中提供豐富功能的產(chǎn)品。包括繼續(xù)側(cè)重于FDX?平臺(tái)、射頻產(chǎn)品（包括RF SOI和高性能鍺硅）和模擬/混合信號(hào)，以及滿足越來越多低功耗、實(shí)時(shí)連接、車載設(shè)計(jì)需求的其他技術(shù)。

“減輕前沿技術(shù)領(lǐng)域的投資負(fù)擔(dān)將使格芯能夠?qū)?a href="http://www.www27dydycom.cn/soft/data/55-88/" target="_blank">物聯(lián)網(wǎng)、IoT、5G行業(yè)和汽車等快速增長市場(chǎng)中對(duì)大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)員真正重要的技術(shù)進(jìn)行更有針對(duì)性的投資，” Gartner研發(fā)副總裁Samuel Wang,先生表示，“雖然最先進(jìn)技術(shù)往往會(huì)占據(jù)大多數(shù)的熱搜頭條位置，但鮮少有客戶能夠承擔(dān)為實(shí)現(xiàn)7納米及更高精度所需的成本和代價(jià)。14納米及以上技術(shù)將在未來許多年繼續(xù)成為芯片代工業(yè)務(wù)的重要需求及驅(qū)動(dòng)因素。這些領(lǐng)域?qū)⒂袠O大的創(chuàng)新空間，可以助力下一輪科技發(fā)展狂潮?！?/p>

后記

目前，7納米工藝領(lǐng)域的晶圓代工玩家只剩下臺(tái)積電、三星和還在10納米量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)上掙扎英特爾，不過英特爾一直強(qiáng)調(diào)，他們對(duì)于工藝節(jié)點(diǎn)的定位更加嚴(yán)格，其10納米工藝甚至比臺(tái)積電和三星自稱的7納米要好。

而對(duì)于他們的客戶——無晶圓廠芯片設(shè)計(jì)公司來說，能負(fù)擔(dān)得起7納米工藝代工費(fèi)的也不算多，除了手機(jī)SoC廠商高通、海思、蘋果、聯(lián)發(fā)科以外，還有老牌半導(dǎo)體巨額英特爾、英偉達(dá)、三星、AMD等等。但是在用7納米做這些芯片之前，代工廠們會(huì)選擇一些又土豪、產(chǎn)品又好做的廠商來驗(yàn)證他們的7納米工藝，比如以前的FPGA，和今年的礦機(jī)ASIC。