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采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2019-01-08 08:58 ? 次閱讀
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設(shè)計(jì)任務(wù)

設(shè)計(jì)并制作一個(gè)數(shù)字電容表,系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的功能及要求如下:

(1)設(shè)計(jì)的電容表可測(cè)量容量小于2μF的電容。

(2)設(shè)計(jì)的電容表采用3位半數(shù)字顯示,最大顯示值為1 999。

(3)設(shè)計(jì)的電容表讀數(shù)單位統(tǒng)一采用nF,量程分4檔,實(shí)際電容值為讀數(shù)乘以相應(yīng)的倍率。

2 方案論證

2.1 電路方案

(1)方案一:基本電路搭建

用基本電路來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)字顯示的電容表,電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,故障系數(shù)大,不易調(diào)試,誤差也較大。

(2)方案二:單片機(jī)編程

單片機(jī)設(shè)計(jì)電路,由于使用軟硬件結(jié)合的方式,所以電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、調(diào)試也相對(duì)方便。與第一種方案比較優(yōu)點(diǎn)是非常明顯的。

2.2 顯示方案

(1)方案一:靜態(tài)顯示

靜態(tài)顯示,顯示驅(qū)動(dòng)電路具有輸出鎖存功能,單片機(jī)將所要顯示的數(shù)據(jù)送出后就不用再管,直到下一次顯示數(shù)據(jù)需要更新時(shí)再傳送一次數(shù)據(jù)。

此方案編程容易,管理簡(jiǎn)單,顯示亮度高,顯示數(shù)據(jù)穩(wěn)定,占用很少的CPU時(shí)間。但是引線較多,線路復(fù)雜,硬件成本較高。

(2)方案二:動(dòng)態(tài)顯示

動(dòng)態(tài)顯示需要CPU時(shí)刻對(duì)顯示器件進(jìn)行數(shù)據(jù)刷新,顯示數(shù)據(jù)會(huì)有閃爍感,占用的CPU時(shí)間多,但使用的硬件少,能節(jié)省線路板空間。

這兩種顯示方式各有利弊,靜態(tài)顯示雖然數(shù)據(jù)穩(wěn)定,占用很少的CPU時(shí)間,但每個(gè)顯示單元都需要單獨(dú)的顯示驅(qū)動(dòng)電路,使用的硬件較多;動(dòng)態(tài)顯示雖然有閃爍感,占用的CPU時(shí)間多,但使用的硬件少,能節(jié)省線路板空間。

2.3 系統(tǒng)框圖

根據(jù)上述分析,該系統(tǒng)以AT89C2051單片機(jī)為核心,系統(tǒng)框圖如圖1所示。

采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

3 AT89C205l簡(jiǎn)介

AT89C2051是Atmel公司生產(chǎn)的低電壓、高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含2 KB可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲(chǔ)器(EPROM)和128 B的隨機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。器件采用AtmeI公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS51指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用8位中央處理器和FLASH存儲(chǔ)單元。AT89C2051作為AT89C51的簡(jiǎn)化版雖然去掉了P0,P2等端口,使I/O口減少了,但是卻增加了一個(gè)電壓比較器,因此其功能在某些方面反而有所增強(qiáng)。引腳圖如圖2所示。

采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

4 電路工作原理

該數(shù)字電容表以電容器的充電規(guī)律作為測(cè)量依據(jù),測(cè)試原理見(jiàn)圖3。電源電壓E+經(jīng)電阻R給被測(cè)電容CX充電,CX兩端原電壓隨充電時(shí)間的增加而上升。當(dāng)充電時(shí)間t等于RC時(shí)間常數(shù)τ時(shí),CX兩端電壓約為電源電壓的63.2%,即0.632E+。數(shù)字電容表就是以該電壓作為測(cè)試基準(zhǔn)電壓,測(cè)量電容器充電達(dá)到該電壓的時(shí)間,便能知道電容器的容量。例如,設(shè)電阻R的阻值為1 kΩ,CX兩端電壓上升到0.632E+所需的時(shí)間為1 ms,那么由公式τ=RC可知CX的容量為1微法。具體測(cè)量電路如圖4所示。

采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

圖4中,A為AT89C2051內(nèi)部構(gòu)造的電壓比較器,AT89C2051的P1.0和P1.1口除了作為I/O口外,還有一個(gè)功能是作為電壓比較器的輸入端,P1.0為同相輸入端,P1.1為反相輸入端,電壓比較器的比較結(jié)果存入P3.6口對(duì)應(yīng)的寄存器。電壓比較器的基準(zhǔn)電壓設(shè)定為0.632E+,在CX兩端電壓從0升到0.632E+的過(guò)程中,P3.6口輸出為0,當(dāng)電池電壓CX兩端電壓一旦超過(guò)0.632E+時(shí),P3.6口輸出變?yōu)?。以P3.6口的輸出電平為依據(jù),用AT89C2051內(nèi)部的定時(shí)器T0對(duì)充電時(shí)間進(jìn)行計(jì)數(shù),再將計(jì)數(shù)結(jié)果顯示出來(lái)即得出測(cè)量結(jié)果。

整機(jī)電路見(jiàn)圖5。電路由單片機(jī)電路、電容充電測(cè)量電路和數(shù)碼顯示電路等部分組成。

采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

AT89C2051內(nèi)部的電壓比較器和電阻R2~R7等組成測(cè)量電路。其中R2~R5為量程電阻,由波段開(kāi)關(guān)S1選擇使用,電壓比較器的基準(zhǔn)電壓由5 V電源電壓經(jīng)R6,RP1,R7分壓后得到,調(diào)節(jié)RP1可調(diào)整基準(zhǔn)電壓。當(dāng)P1.2口在程序的控制下輸出高電平時(shí),電容Cx即開(kāi)始充電。量程電阻R2~R5每檔以10倍遞減,故每檔顯示讀數(shù)以10倍遞增。由于單片機(jī)內(nèi)部P1.2口的上拉電阻經(jīng)實(shí)測(cè)約為200 kΩ,其輸出電平不能作為充電電壓用,故用R5兼作其上拉電阻,由于其他三個(gè)充電電阻和R5是串聯(lián)關(guān)系,因此R2,R3,R4應(yīng)由標(biāo)準(zhǔn)值減去1 kΩ,分別為999 kΩ,99 kΩ,9 kΩ。由于999 kΩ和1 MΩ相對(duì)誤差較小,所以R2還是取1 MΩ。

數(shù)碼管DS1~DS4、電阻R8~R14等組成數(shù)碼顯示電路。本機(jī)采用動(dòng)態(tài)掃描顯示的方式,用軟件對(duì)字形碼譯碼。P3.0~P3.5,P3.7口作數(shù)碼顯示七段筆劃字形碼的輸出,P1.3~P1.6口作四個(gè)數(shù)碼管的動(dòng)態(tài)掃描位驅(qū)動(dòng)碼輸出。在此采用了共陰數(shù)碼管,由于AT89C2051的P1.3~P1.6口有25 mA的下拉電流能力,所以不用三極管就能驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管。R8~R14為P3.0~P3.5,P3.7口的上拉電阻,用以驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管的各字段,當(dāng)P3的某一端口輸出低電平時(shí)其對(duì)應(yīng)的字段筆劃不點(diǎn)亮,而當(dāng)其輸出高電平時(shí),則對(duì)應(yīng)的上拉電阻即能點(diǎn)亮相應(yīng)的字段筆劃。

5 軟件設(shè)計(jì)

程序用C語(yǔ)言編寫。軟件部分由主程序、定時(shí)中斷服務(wù)子程序等模塊組成。定時(shí)器T0作被測(cè)電容器充電時(shí)間的計(jì)數(shù)用。定時(shí)器T1用于定時(shí)中斷服務(wù),定時(shí)時(shí)間為5 ins,即5 ms產(chǎn)生一次中斷。數(shù)組BitTab[4]用來(lái)存儲(chǔ)位驅(qū)動(dòng)碼,DispTab[11]用來(lái)存儲(chǔ)字形碼,數(shù)組DispBtlf[4]的4個(gè)元素分別用來(lái)存儲(chǔ)從定時(shí)器T0讀出的數(shù)據(jù)的個(gè)、十百千位的4位數(shù)字。程序顯示每一位數(shù)碼的時(shí)間為5 ms,因此顯示完整的4位數(shù)的周期為20 ms(4次中斷)。每過(guò)240 ms(48次中斷)刷新一下數(shù)據(jù),即每過(guò)240 ms測(cè)一次電容量,測(cè)量時(shí)間小于2 ms,由于這一時(shí)間小于中斷的時(shí)間5 ms,因此在測(cè)量過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn)中斷現(xiàn)象。測(cè)量電容時(shí)P1.2口輸出高電平,電容開(kāi)始充電,與此同時(shí)定時(shí)器T0開(kāi)始計(jì)數(shù),當(dāng)電容器充電達(dá)到基準(zhǔn)電壓時(shí),P3.6口輸出高電平,據(jù)此程序做出判斷停止T0的計(jì)數(shù),并讀出數(shù)據(jù)送數(shù)碼管顯示。如果被測(cè)電容器的容量超出測(cè)試檔的量程,則計(jì)數(shù)值大于或等于2 000,顯示結(jié)果為千位數(shù)顯示1,其他三位數(shù)不顯示。經(jīng)仿真和電路測(cè)試,發(fā)現(xiàn)單片機(jī)判斷P3.6口是否輸出高電平要花3個(gè)機(jī)器周期,這會(huì)使顯示值增加3,因此在程序中對(duì)此誤差進(jìn)行了修正,對(duì)計(jì)數(shù)值減去了3。字形碼的輸出用了P3口的P3.0~P3.5,P3.7,P3.6為空,P3口輸出的數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù)組DispTab獲得。數(shù)據(jù)位和字形的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表1所示。

采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

6 安裝與調(diào)試

該設(shè)計(jì)用AT89C2051單片機(jī)集成電路,X1用12 MHz的石英晶體,S1選用1×4的波段開(kāi)關(guān),DS1~DS4選用共陰LED數(shù)碼管。安裝前先將C語(yǔ)言源程序用KEIL 51編譯成目標(biāo)文件即HEX文件,再用編程器將HEX文件寫入AT89C2051芯片。調(diào)試工作主要是通過(guò)對(duì)RP1的調(diào)節(jié)來(lái)調(diào)整基準(zhǔn)電壓,最好是通過(guò)對(duì)一個(gè)精度比較高的的電容器的測(cè)量來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié),而不是直接測(cè)量基準(zhǔn)電壓。具體方法是,選一個(gè)經(jīng)確認(rèn)容量比較準(zhǔn)確的電容器,如15 nF的電容器,將S1置于20 nF檔上,調(diào)節(jié)RP1是測(cè)量顯示值為1 500。選擇的電容器容量至少要大于相應(yīng)量程的50%,最好是接近滿量程,才能調(diào)得比較準(zhǔn)確。該檔調(diào)試好后其他各檔也就調(diào)試好了。如果發(fā)現(xiàn)某檔精度有問(wèn)題,可改變其相應(yīng)充電電阻的阻值來(lái)進(jìn)行調(diào)整。在使用過(guò)程中,當(dāng)S1置于2 nF檔時(shí),在沒(méi)有接人測(cè)試電容器時(shí),有10 pF左右的顯示值是正常的,因?yàn)檫@是電壓比較器的輸入電容和電路的分布電容。

只要在測(cè)量讀數(shù)時(shí)間去掉這一數(shù)值即可。因此在調(diào)試時(shí)不要選擇該檔,以免因分布電容影響調(diào)試得準(zhǔn)確性。

C文件源程序如下:

采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

采用AT89C2051單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電容表的設(shè)計(jì)

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