三星揭露3納米制程技術(shù)路線圖以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度
三星周二舉行晶圓代工技術(shù)論壇（Samsung Foundry Forum），同時(shí)揭露發(fā)展3納米制程的技術(shù)路圖，以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度，將搶攻高端運(yùn)算與聯(lián)網(wǎng)裝置市場(chǎng)。
三星晶圓代工部門總裁鄭恩昇（E.S. Jung）表示，3納米制程將首度導(dǎo)入閘極全環(huán)（GAA）電晶體，這是下一世代電晶體架構(gòu)，并將配合極紫外光（EUV）微影設(shè)備，來克服物理限制。（cdrinfo.com）
三星7納米是第一個(gè)采用EUV技術(shù)的半導(dǎo)體制程，按計(jì)劃將在2018下半年投產(chǎn)。據(jù)三星表示，關(guān)鍵知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）已在開發(fā)，將于2019年上半年完成。
有趣的是，三星表示7納米將應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)、汽車領(lǐng)域，而非效能要求較高的繪圖處理器（GPU），意謂著三星7納米技術(shù)似乎未能獲得Nvidia與超微青睞。
超微日前已宣布下一世代Zen 2中央處理器與Navi繪圖處理器，都將交予臺(tái)積電以7納米制程代工。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182376 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5166瀏覽量
129845 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
609瀏覽量
87271
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
臺(tái)積電引領(lǐng)全球半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，2納米制程備受關(guān)注
在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。目前，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米
三星電子全力推進(jìn)2納米制程，力爭(zhēng)在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%
根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40
發(fā)表于 04-18 10:52
全球芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入2納米競(jìng)爭(zhēng)階段：臺(tái)積電率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!
隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了
英偉達(dá)、高通或轉(zhuǎn)單三星2納米工藝
近日，據(jù)SamMobile的最新消息，英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對(duì)其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來說，這兩家公司正在評(píng)估將部分原計(jì)劃在臺(tái)積電生產(chǎn)的2納米工藝訂單轉(zhuǎn)移至三星的可能性
臺(tái)積電2納米制程啟動(dòng)試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2026年底月產(chǎn)能大增
，臺(tái)積電已在本季度于其新竹寶山廠(Fab20)啟動(dòng)了2納米制程的小量試產(chǎn)線建設(shè)。該試產(chǎn)線的月產(chǎn)能規(guī)劃約為3000至3500片。隨著技術(shù)的不斷成熟和生產(chǎn)線的逐步優(yōu)化，預(yù)計(jì)到2026年底，該廠的月產(chǎn)能將達(dá)到6萬至6.5萬片。 此外，臺(tái)積電的高雄廠(Fab
臺(tái)積電2納米制程技術(shù)細(xì)節(jié)公布：性能功耗雙提升
在近日于舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上，全球領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電揭曉了其備受期待的2納米(N2)制程技術(shù)的詳細(xì)規(guī)格。 據(jù)臺(tái)積電介紹，相較于前代制程
臺(tái)積電2納米制程技術(shù)細(xì)節(jié)公布
15%的顯著提升，同時(shí)在功耗上降低了高達(dá)30%，能效表現(xiàn)尤為出色。這一進(jìn)步主要得益于環(huán)繞式柵極(GAA)納米片晶體管以及N2 NanoFlex技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用。 其中，N2 NanoFlex技術(shù)
三星芯片代工新掌門：先進(jìn)與成熟制程并重
與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同
關(guān)于RISC-V學(xué)習(xí)路線圖推薦
一個(gè)號(hào)的RISC-V學(xué)習(xí)路線圖可以幫助學(xué)習(xí)者系統(tǒng)地掌握RISC-V架構(gòu)的相關(guān)知識(shí)。比如以下是一個(gè)較好的RISC-V學(xué)習(xí)路線圖：
一、基礎(chǔ)知識(shí)準(zhǔn)備
計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) ：
了解計(jì)算機(jī)的基本組成、指令集
發(fā)表于 11-30 15:21
三星加速2nm及1.4nm制程投資
三星正加速其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的投資步伐，計(jì)劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線建成一條月產(chǎn)能達(dá)7000片晶圓的2nm生產(chǎn)線。此舉標(biāo)志著三星在推進(jìn)其
晶合集成28納米邏輯工藝通過驗(yàn)證
近日，晶合集成在新工藝研發(fā)領(lǐng)域取得了重要突破。在2024年第三季度，晶合集成成功通過了28納米邏輯芯片的功能性驗(yàn)證，并順利點(diǎn)亮了TV，標(biāo)志著其28納米制程技術(shù)又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
三星電子計(jì)劃在2026年推出最后一代10nm級(jí)工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該
納米壓印技術(shù)的分類和優(yōu)勢(shì)
在探索微觀世界的奧秘中，納米技術(shù)以其獨(dú)特的尺度和潛力，開啟了一扇通往未知領(lǐng)域的大門。納米壓印技術(shù)（Nanoimprint Lithography, NIL），作為納米制造領(lǐng)域的一項(xiàng)高精
臺(tái)積電2025年繼續(xù)漲價(jià)，5/3納米制程產(chǎn)品預(yù)計(jì)漲幅3~8%
據(jù)業(yè)內(nèi)資深人士透露，全球芯片制造巨頭臺(tái)積電已不僅限于2024年的價(jià)格調(diào)整策略，而是將漲價(jià)趨勢(shì)延續(xù)至2025年。近期，臺(tái)積電已向多家重要客戶傳達(dá)了關(guān)于2025年5納米及3納米制程產(chǎn)品的漲價(jià)計(jì)劃，預(yù)計(jì)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論