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利用外部SRAM和CPLD構(gòu)成先進先出緩沖器FIFO的設(shè)計

電子設(shè)計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2019-08-14 08:02 ? 次閱讀

隨著數(shù)字電視技術(shù)的進一步成熟,在視頻服務(wù)器方面,利用支持軟件豐富、運算速度不斷提高、具有較高性能價格比的微機來代替昂貴的專用設(shè)備實現(xiàn)數(shù)字視頻碼流的復(fù)用具有一定的實際意義,但是一般的桌面操作系統(tǒng)定時不夠精確、處理大量并發(fā)任務(wù)效率不高以及突發(fā)傳送等問題影響了復(fù)用后碼流的質(zhì)量,為了保證復(fù)用后的碼流可以均勻平滑地傳送到調(diào)制器,還考慮到微機的工作效率,就需要用FIFO來進行碼流的緩沖。如果FIFO的容量足夠大,微機就可以通過DMA方式一次發(fā)送大量的數(shù)據(jù),最后再經(jīng)過FIFO的緩沖,按照預(yù)設(shè)頻率均勻送出。

在其它許多實際應(yīng)用中,也會利用到FIFO來完成數(shù)據(jù)流的緩沖,消除突發(fā)傳送帶來的數(shù)據(jù)抖動,達到平滑輸出的效果。FIFO的容量和速度直接影響到緩沖的效果,但是目前大容量FIFO價格昂貴,這就影響到了FIFO的進一步實際應(yīng)用。本文介紹了一種利用外部SRAMCPLD構(gòu)成的廉價、高速、大容量先進先出緩沖器FIFO的設(shè)計方法。

一、系統(tǒng)的設(shè)計思路

為了用外部SRAM來實現(xiàn)FIFO,要解決以下問題:

區(qū)分同時到達的讀寫信號,并且產(chǎn)生間隔的對外部SRAM的讀寫信號

在SRAM順序?qū)ぶ返幕A(chǔ)上實現(xiàn)數(shù)據(jù)的先進先出

全空、全滿、半空、半滿狀態(tài)的判定

盡量降低對器件速度的要求

二、設(shè)計方法

同步設(shè)計

在系統(tǒng)中地址產(chǎn)生、比較器結(jié)果輸出、FIFO各種狀態(tài)的輸出都采用同步觸發(fā)方式,全部按照系統(tǒng)時鐘統(tǒng)一進行,這能在很大程度上消除異步方式引起的邏輯狀態(tài)變化時間的不確定和毛刺的產(chǎn)生,但也沒必要在所有的地方都強求按同步設(shè)計,只要能符合時序要求,異步方式也可以,目的是盡量減少設(shè)計的復(fù)雜度和占用的資源。

原理圖輸入

設(shè)計在Altera公司的MAX+plus II V9.6軟件下編譯仿真。在系統(tǒng)的整體設(shè)計中采用原理圖的方式,可以方便地進行時序控制和仿真。

三、具體信號的產(chǎn)生及時序分析

信號分析的具體條件

以下的設(shè)計都是在CPLD為EPM7128SQC100-6,SRAM為IDT71128-12的條件下進行,對FIFO的最高要求為雙向同時讀寫,時鐘RCLK和WCLK為10MHz,脈沖寬度為50ns,系統(tǒng)時鐘CLK為50MHz,脈沖寬度為10ns。對于較低速度的讀寫,50MHz的系統(tǒng)時鐘也可以適應(yīng),如果外部要求降低,也可按照與RCLK、WCLK的等比例換用較低的系統(tǒng)時鐘。外部數(shù)據(jù)是在上升沿有效,F(xiàn)IFO的輸出也是上升沿有效。

基本信號的產(chǎn)生以及時序圖

系統(tǒng)采用獨立的系統(tǒng)時鐘CLK。為區(qū)分同時到達的外部讀寫信號,內(nèi)部產(chǎn)生的讀寫信號分別用系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿觸發(fā),同時讓產(chǎn)生的內(nèi)部讀寫信號互斥,以得到間隔的對外部SRAM的讀寫信號;考慮到實際的需要以及器件和內(nèi)部時鐘的速度,按照四個脈沖寬度的方式產(chǎn)生讀寫信號,以保證在最小10個脈沖時間內(nèi)各有一次有效讀寫。

外部讀寫時鐘RCLK、WCLK先經(jīng)過各自的使能控制信號REN、WEN進入CPLD;為保證讀寫互斥,外部讀寫異步鎖存之后,讀信號鎖存后面的第一個上升沿,寫信號鎖存后面的第一個下降沿,并且用各自的前三個脈沖控制對方鎖存第一個脈沖。

通過對各種情況的分析,基本讀寫脈沖OE和MW之間的最小間隔是一個脈沖,在有連續(xù)兩個外部讀或?qū)懙那闆r下所產(chǎn)生的兩個OE或MW之間的最小間隔是兩個脈沖。

利用外部SRAM和CPLD構(gòu)成先進先出緩沖器FIFO的設(shè)計

讀寫地址信號

讀寫各有一個地址指針,每讀出一個數(shù)讀地址加一,讀指針就指向下一個最早寫入的數(shù),經(jīng)過SRAM陣列的最高地址后,又從起始地址開始,這樣就可以達到先進先出的效果;只有有效的讀寫脈沖才能觸發(fā)地址計數(shù)器;為使整個系統(tǒng)的動作時間一致,采用同步設(shè)計,讀寫都統(tǒng)一選擇上升沿觸發(fā)計數(shù)器變化;地址改變先于后面的/WE、/OE脈沖的產(chǎn)生。

利用外部SRAM和CPLD構(gòu)成先進先出緩沖器FIFO的設(shè)計

地址發(fā)生器采用計數(shù)器宏單元。FIFO容量的大小由計數(shù)器決定,簡單地增加計數(shù)器的位數(shù)和SRAM的數(shù)量,就可以擴大FIFO的容量。讀寫地址產(chǎn)生之后,經(jīng)過一個總線復(fù)用器后輸出作為對外部SRAM讀寫的地址線;總線復(fù)用器的選擇由MW信號控制,只有在MW有效的時候才輸出為寫地址,其它時間都是讀地址。

讀寫地址在由計數(shù)器產(chǎn)生經(jīng)過總線復(fù)用時,會產(chǎn)生靜態(tài)冒險;對于讀寫地址比較器,因為它鎖存的時刻距離地址變化后兩個脈沖,而且比較器輸入的地址不經(jīng)過總線復(fù)用,這就可以保證在比較器鎖存的時刻地址比較結(jié)果已經(jīng)穩(wěn)定而且不受靜態(tài)冒險的影響;對于到SRAM的讀寫地址,在讀寫控制脈沖/OE、/WE有效前還有兩個脈沖的時間穩(wěn)定,不會因為地址不穩(wěn)定產(chǎn)生錯誤操作。

讀寫地址相等時比較器輸出相等標(biāo)志EF,F(xiàn)IFO半滿,即除去最高位以外的地址都相等的情況輸出半滿標(biāo)志EHF。

FIFO狀態(tài)信號

1、小于半滿LHFULL

在上電或復(fù)位之后,LHFULL立刻有效。利用另一個觸發(fā)器上電或者復(fù)位的清零,置位LHFULL觸發(fā)器,使其有效,但在第一個寫之后這個觸發(fā)器就不再對LHFULL的變化有影響。在讀寫地址比較器輸出半滿的時候再來一個讀,就判定為小于半滿LHFULL。從大于半滿到小于半滿,需要經(jīng)過兩個連續(xù)的讀,第一個讀使比較器得到半滿結(jié)果,第二個讀使LHFULL有效。當(dāng)經(jīng)過一個寫從小于半滿到半滿時,在讀寫地址比較器輸出半滿使LHFULL觸發(fā)器狀態(tài)可以變化后的下一個上升沿清除LHFULL觸發(fā)器。觸發(fā)器的使能端選為EHF,保證狀態(tài)信號只在半滿的時候才發(fā)生變化。

利用外部SRAM和CPLD構(gòu)成先進先出緩沖器FIFO的設(shè)計

2、大于半滿GHFULL

半滿的時候再來一個寫,GHFULL置位為高有效。GHFULL的設(shè)計原理同LHFULL,且不需要上電復(fù)位置位的處理。

3、全滿FULL

當(dāng)比較器輸出結(jié)果為讀寫地址相等時,如果此時執(zhí)行的操作是寫,即在一個寫之后讀寫地址才相等,就判定為全滿,置FULL為有效。在全滿狀態(tài)下,如果有一個讀,F(xiàn)ULL就被清零。

1、 全空EMPTY

在上電或復(fù)位之后,EMPTY立刻有效。利用另一個觸發(fā)器上電或者復(fù)位的清零,置位EMPTY觸發(fā)器,使其有效,但在第一個寫之后這個觸發(fā)器就不再對EMPTY的變化有影響。當(dāng)比較器輸出結(jié)果為讀寫地址相等時,如果此時執(zhí)行的操作是讀,即在一個讀之后讀寫地址相等,就判定為全空,置EMPTY有效。全空狀態(tài)下,如果有一個寫,EMPTY就被清零。

利用外部SRAM和CPLD構(gòu)成先進先出緩沖器FIFO的設(shè)計

復(fù)位信號

只要RST信號為低就會產(chǎn)生有效的復(fù)位,讀寫的地址計數(shù)器都被清零,全滿、大于半滿狀態(tài)清除,全空和小于半滿置位,F(xiàn)IFO鎖存輸出為零。

與外部SRAM的連接及對SRAM的讀寫定時分析

CPLD與SRAM之間除去讀寫復(fù)用的地址和數(shù)據(jù)線以外,還需要有輸出使能信號/OE,讀寫信號/WE,片選信號/CS。地址線、數(shù)據(jù)線、/OE和/WE如前所述;片選信號由地址高位譯碼產(chǎn)生,在這里是把最高位取反,得到兩個片選信號。

讀寫信號的時序符合設(shè)計采用的IDT71128-12 SRAM的定時要求。

寫操作:

寫周期最小12ns,地址有效到結(jié)束寫最小10ns,片選到寫結(jié)束最小10ns,寫脈沖最小10ns,數(shù)據(jù)有效到寫結(jié)束最小7ns。地址在/WE之前建立,在/WE結(jié)束之后變化;數(shù)據(jù)保持到/WE無效再變化;在地址變化時,/WE、/CS不能都有效;在有效的寫時,/CS、/WE為低;

讀操作:

地址尋址時間最大12ns,讀周期最小12ns,片選尋址時間最大12ns,輸出使能到數(shù)據(jù)輸出有效最大6ns。在讀周期/WE為高,/OE為低,讀周期結(jié)束時地址和數(shù)據(jù)應(yīng)該保持不變。

利用外部SRAM和CPLD構(gòu)成先進先出緩沖器FIFO的設(shè)計

寫地址與MW脈沖的上升沿同時變化,在兩個脈沖之后,寫地址能夠穩(wěn)定,這時/WE才有效,并且由于連續(xù)兩個讀寫脈沖之間最少有一個脈沖的間隔,而且MW比EW4要有延遲,同時總線選擇也是由MW決定,就保證了寫地址在/WE前有效并能保持到/WE結(jié)束;寫數(shù)據(jù)的三態(tài)緩沖由EW4打開,可以保持到/WE結(jié)束。

讀地址在上一個寫結(jié)束之后有效,由于讀地址變化比OE脈沖晚一個脈沖,/OE在OE結(jié)束時開始,保證了/OE開始的時候讀地址已穩(wěn)定和讀周期時間符合要求;寫數(shù)據(jù)已由EW4關(guān)閉,由于讀寫之間的。


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