N溝道MOSFET型電源分配開(kāi)關(guān)
電路如附圖所示。TPS2014是美國(guó)德州儀器公司推出的N溝道MOSFET型電源分配開(kāi)關(guān)。它采用8腳DIP雙列直插式封裝，各腳功能如下，①腳GND(接地端)；②、③腳IN(電壓輸入端)，輸入電壓范圍為VIN=0.3～7V；④腳EN(邏輯使能控制)，EN=0時(shí)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；⑤腳DC(過(guò)流邏輯輸出端)，在故障狀態(tài)下DC=0；⑥、⑦、⑧腳OUT(電壓輸出端)，VOUT=0.3-(VIN+0.3)V。
閉合啟動(dòng)開(kāi)關(guān)SB，低電平控制信號(hào)加至④腳，通過(guò)內(nèi)部電路控制電源開(kāi)關(guān)的上升和下降時(shí)間.以便延緩輸出電壓瞬變過(guò)程，將開(kāi)關(guān)時(shí)間內(nèi)的浪涌電惋限制為最小，瞬變時(shí)間由C2容量確定。當(dāng)負(fù)載RL過(guò)流或短路時(shí)，芯片自動(dòng)切換成恒流輸出方式，同時(shí)⑤腳輸出跳變?yōu)榈碗娖?，故障指示?a target="_blank">LED2燃亮。直至故障排除后，芯片才恢復(fù)正常功能，使用時(shí)應(yīng)將②、③腳并接，使芯片壓降及功耗最低。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18375瀏覽量
256418 -
電源分配開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
5744
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
P溝道和N溝道MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)
發(fā)表于 03-03 13:58
供應(yīng) TDM3412 雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 電源管理
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)
發(fā)表于 05-25 11:54
N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4
發(fā)表于 01-24 11:00
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之：P溝道和N溝道MOSFET比較
溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（
發(fā)表于 04-09 09:20
帶軟啟動(dòng)功能的自動(dòng)恢復(fù)電子熔絲相關(guān)資料推薦
TPS2014是美國(guó)德州儀器公司推出的N溝道MOSFET型電源分配
發(fā)表于 05-19 08:02
N溝道和P溝道MOSFET的區(qū)別是什么
到地面更有意義。增強(qiáng)型（“正常關(guān)閉”） P 溝道 MOSFET 類(lèi)似于倒置的 N 溝道 MOSFET
發(fā)表于 02-02 16:26
P溝道和N溝道MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱(chēng)為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍
N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線(xiàn)路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET
P溝道和N溝道MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論