英特爾2006年與大連市政府達(dá)成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。

處理器大廠英特爾（Intel）在2015年宣布，其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲器工廠之后，現(xiàn)在宣布已經(jīng)正式投產(chǎn)。未來，主要將生產(chǎn)96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器，積極追趕競爭對手的市占率。

根據(jù)統(tǒng)計(jì)，在全球NAND Flash快閃存儲器市場上，韓國三星的市占率高達(dá)到37%，東芝、西部數(shù)據(jù)則分別有20%、15%左右的市占率。再來才是美光、SK Hynix，英特爾是全球6大廠商中市占率最少的，不足10%，這也導(dǎo)致英特爾過去在NAND Flash快閃存儲器，以及SSD固態(tài)硬盤市場上主打企業(yè)級市場，消費(fèi)等級SSD市場就放置在重點(diǎn)之外，造成影響力遠(yuǎn)不如三星、東芝、美光等競爭對手。而出現(xiàn)這種情況的原因，就在于英特爾沒有自己獨(dú)立的NAND Flash快閃存儲器產(chǎn)能。

為了填補(bǔ)此空缺，2015年英特爾宣布，將在大連的Fab 68工廠建設(shè)第2期工程，用于生產(chǎn)非易失性存儲器，也就是NAND Flash快閃存儲器，總投資高達(dá)55億美元。如今，經(jīng)過3年的建設(shè)，F(xiàn)ab 68工廠的第2期工廠正式投產(chǎn)，主要將生產(chǎn)96層3D NAND快閃存儲器，這也意味著英特爾未來的3D NAND快閃存儲器產(chǎn)能將會大增。

據(jù)了解，英特爾2006年與大連市政府達(dá)成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。至于現(xiàn)在宣布量產(chǎn)的大連Fab 68第2期工廠，未來將成為英特爾最重要的NAND快閃存儲器生產(chǎn)基地。

預(yù)計(jì)，英特爾70%的3D NAND快閃存儲器將產(chǎn)自這里。至于與美光共同合作的3D XPoint快閃存儲器，則在英特爾與美光宣布兩家公司分道揚(yáng)鑣之后，英特爾正在把研發(fā)基地移師到新墨西哥州的工廠，預(yù)計(jì)會增加當(dāng)?shù)?00多個(gè)工作崗位。

目前，英特爾與美光的3D XPoint快閃存儲器主要是在美國猶他州的工廠生產(chǎn)。雙方在正式分道揚(yáng)鑣之前，將會繼續(xù)努力合作完成第2代3D XPoint技術(shù)開發(fā)，最終將會在2019年上半年完成并開始推出市場。但之后兩家就會各奔前程，各自開發(fā)基于3D XPoint技術(shù)的第3代產(chǎn)品。