半導(dǎo)體企業(yè)迎來一股IPO熱潮，明微電子、晶豐明源、博通集成、卓勝微之后，國產(chǎn)IGBT龍頭斯達(dá)半導(dǎo)體近日亦披露了其招股書，二度闖關(guān)IPO。

招股書顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體擬在上海證券交易所首次公開發(fā)行不超過4000萬新股，占發(fā)行后總股本的比例不低于25%，募集資金8.2億元用于新能源汽車用IGBT模塊擴(kuò)產(chǎn)項目等。

國產(chǎn)IGBT龍頭：全球市占率2.5%

斯達(dá)半導(dǎo)體全稱嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司，前身為嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體有限公司，成立于2005年4月27日，2011年11月底整體變更設(shè)立為股份公司，其主營業(yè)務(wù)是以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)，并以IGBT模塊形式對外實現(xiàn)銷售。

被稱為電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT對設(shè)計及工藝要求較高，國內(nèi)缺乏IGBT相關(guān)技術(shù)人才、工藝基礎(chǔ)薄弱且企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，該市場長期被英飛凌、三菱、富士電機(jī)、賽米控等國外跨國企業(yè)壟斷。國內(nèi)市場產(chǎn)品供應(yīng)較不穩(wěn)定，隨著國內(nèi)市場需求量逐步增大，供需矛盾愈發(fā)凸顯。

斯達(dá)半導(dǎo)體是國內(nèi)少數(shù)擁有自主研發(fā)設(shè)計國際主流IGBT芯片能力及實現(xiàn)IGBT大規(guī)模生產(chǎn)的企業(yè)之一。招股書中稱，斯達(dá)半導(dǎo)體自主研發(fā)設(shè)計的IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片是公司的核心競爭力，其第二代芯片（國際第六帶芯片F(xiàn)S-Trench）已實現(xiàn)量產(chǎn)，打破了國外跨國企業(yè)長期以來對IGBT芯片的壟斷。

有數(shù)據(jù)顯示，2016年度斯達(dá)半導(dǎo)體在全球IGBT市場供應(yīng)商排名第9、中國排名第一，市場份額占比約為2.5%，是國內(nèi)唯一進(jìn)入世界前十的企業(yè)，但與全球排名第一的英飛凌21.4%市占比仍有較大的差距。

斯達(dá)半導(dǎo)體表示，與國際競爭對手相比，公司市場份額較小，目前公司的主要競爭優(yōu)勢在于更加專注于細(xì)分市場以及更加及時地響應(yīng)客戶需求的同時，在產(chǎn)品價格上具備一定優(yōu)勢。招股書顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體2018年上半年前五名客戶銷售總比例為37.87%，分別為英威騰、匯川科技、眾晨電子、巨一動力、上海電驅(qū)動。

據(jù)披露，2015年至2018上半年，斯達(dá)半導(dǎo)體分別實現(xiàn)營收2.53億元、3.06億元、4.49億元、3.28億元，同期凈利潤分別為1186.98萬元、1948.13萬元、5112.30萬元、4638.47萬元，同期綜合毛利率分別為28.83%，28.74%，30.67%，31.28%。

股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，沈華、胡畏夫婦通過斯達(dá)控股及香港斯達(dá)間接持有斯達(dá)半導(dǎo)體59.39%股份，為斯達(dá)半導(dǎo)體的實際控制人。

募資8.2億元攻關(guān)主營

招股書顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體的IGBT模塊（IGBT芯片設(shè)計委外生產(chǎn)），報告期內(nèi)IGBT模塊的銷售收入占銷售收入總額的95%以上，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)較為單一。

數(shù)據(jù)顯示，2017年其IGBT模塊產(chǎn)能為295萬個、產(chǎn)量為279萬個，產(chǎn)能利用率和產(chǎn)銷率分別為95%、89%；2018年上半年IGBT模塊產(chǎn)能為193萬個、產(chǎn)量為185萬個，產(chǎn)能利用率和產(chǎn)銷率分別為96%、97%。

這次卷土重來，斯達(dá)半導(dǎo)體擬募集資金共約8.2億元，其中2.5億元將用于“新能源汽車用IGBT模塊擴(kuò)產(chǎn)項目”；2.2億元將用于“IPM模塊項目（年產(chǎn)700萬個）”；1.5億元將用于“技術(shù)研發(fā)中心擴(kuò)建項目”；還有2億元將用于補充流動資金。

據(jù)招股書披露，新能源汽車用IGBT模塊擴(kuò)產(chǎn)項目將形成年產(chǎn)120萬個新能源汽車用IGBT模塊的生產(chǎn)能力；IPM模塊項目將形成年產(chǎn)700萬個IPM模塊的生產(chǎn)能力；技術(shù)研發(fā)中心擴(kuò)建項目將提升公司的研發(fā)創(chuàng)新能力，公司將集中精力設(shè)計研發(fā)出導(dǎo)通壓降更低、開關(guān)損耗更低的新一代IGBT芯片。

斯達(dá)半導(dǎo)體表示，這次募集資金投資項目緊密圍繞公司的主營業(yè)務(wù)，是依據(jù)未來發(fā)展規(guī)劃作出的戰(zhàn)略性安排，將有助于進(jìn)一步擴(kuò)大公司業(yè)務(wù)規(guī)模、提升競爭優(yōu)勢和盈利能力。若募集資金不能滿足項目資金需求，公司將通過自籌方式解決，以保證項目的順利實施。

這是斯達(dá)半導(dǎo)體第二次沖刺IPO。2012年斯達(dá)半導(dǎo)體曾向證監(jiān)會申請IPO，擬公開發(fā)行4000萬股，募集資金約14550萬元，全部用于“嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司IGBT模塊項目”，但最后于2013年宣布終止審查。

這次二度闖關(guān)，斯達(dá)半導(dǎo)體能否順利過會？業(yè)界認(rèn)為，隨著IGBT模塊的廣泛應(yīng)用，市場普遍看好產(chǎn)品前景，再加上證監(jiān)會此前亦曾發(fā)聲支持國內(nèi)符合條件的芯片產(chǎn)業(yè)企業(yè)上市融資，斯達(dá)半導(dǎo)體這次或可成功。