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助力中芯國(guó)際14nm工藝突破,梁孟松“另起爐灶”參與新項(xiàng)目?

cMdW_icsmart ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-10-25 10:37 ? 次閱讀
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今天,業(yè)內(nèi)傳出中芯國(guó)際重金挖來的大將——現(xiàn)任中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松可能將離開中芯國(guó)際,意欲“另起爐灶”參與由以前臺(tái)積電南科 14 廠的核心團(tuán)隊(duì)為主要成員的新籌建的晶圓代工企業(yè)。此一消息傳出后,引發(fā)了業(yè)內(nèi)的極大震動(dòng),要知道中芯國(guó)際的14nm工藝在梁孟松的幫助下才剛剛獲得突破。

助力中芯國(guó)際14nm工藝突破

今年第二財(cái)季,中芯國(guó)際營(yíng)收達(dá)到了8.907億美元的新高,利潤(rùn)也同比大幅增長(zhǎng)了12.1%至1.941億美元。與此同時(shí),中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官趙海軍和梁孟松還宣布,“14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展,第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。預(yù)計(jì)2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。”而此時(shí)距離梁孟松加入中芯國(guó)際僅10個(gè)月左右的時(shí)間。

早在去年4月,業(yè)內(nèi)就有傳聞半導(dǎo)體行業(yè)大咖梁孟松很快將加盟中芯國(guó)際。不過,直到去年10月,中芯國(guó)際才正式宣布梁孟松加盟任Co-CEO(聯(lián)席CEO)。而中芯國(guó)際之所以力邀梁孟松加盟,也正是為了在14nm制程工藝上取得突破。

在加盟中芯國(guó)際之前,梁孟松曾擔(dān)任臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)、三星半導(dǎo)體研發(fā)部總經(jīng)理,而三星當(dāng)時(shí)之所以能夠搶先臺(tái)積電量產(chǎn)14nm,從臺(tái)積電挖來的梁孟松可謂是功不可沒。而此次中芯國(guó)際能夠在14nm工藝上取得快速的突破,梁孟松及其他所帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)必然是發(fā)揮了很大的作用。據(jù)業(yè)內(nèi)消息,梁孟松加盟中芯國(guó)際之時(shí),還從中國(guó)***地區(qū)及韓國(guó)帶來了相關(guān)技術(shù)人員。

據(jù)悉,梁孟松上任后進(jìn)行了一系列調(diào)整:加強(qiáng)研發(fā)隊(duì)伍建設(shè),強(qiáng)化責(zé)任制,調(diào)整更新14nm FinFET規(guī)劃,將3D FinFET工藝鎖定在高性能運(yùn)算、低功耗芯片應(yīng)用等。很快,中芯國(guó)際之前一直停滯不前的14nm研發(fā)進(jìn)度開始加速。

在2017年第四季度報(bào)中,中芯國(guó)際就表示14nm研發(fā)進(jìn)程進(jìn)展順利,預(yù)計(jì)將在2019年上半年量產(chǎn)14nm FinFET工藝技術(shù),比原先預(yù)期提前了半年。 而僅幾個(gè)月之后,中芯國(guó)際第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,再度為14nm的量產(chǎn)加速。這其中,梁孟松可謂是功不可沒。

“另起爐灶”參與新項(xiàng)目?

然而就在今年8月中芯國(guó)際宣布14nm FinFET工藝取得突破,第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)成功進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段之后僅2個(gè)多月,業(yè)內(nèi)就傳出梁孟松將離開中芯國(guó)際,另起爐灶參與新的晶圓代工企業(yè),確實(shí)令人震驚。

根據(jù)deeptech深科技曝光的資料顯示,該擬組建的新的晶圓代工企業(yè)情況如下:

項(xiàng)目團(tuán)隊(duì):主要成員為臺(tái)積電南科 14 廠的核心團(tuán)隊(duì),項(xiàng)目主導(dǎo)者為研發(fā)副總夏勁秋,預(yù)計(jì)招募臺(tái)積電骨干人員總計(jì)約 180 人。

股權(quán)分配:項(xiàng)目技術(shù)團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)持股 49 %。

產(chǎn)能和技術(shù):本項(xiàng)目為月產(chǎn) 3 萬(wàn)片的 12nm邏輯芯片,以及 1 萬(wàn)片的 7 nm邏輯芯片。

投資額:估計(jì)總投資額為 490 億人民幣,項(xiàng)目第一期投資資金為 230 億,月產(chǎn)能達(dá)到 7000 片的 12 寸晶圓 12 nm邏輯芯片。第二期投入 260 億元,擴(kuò)增月產(chǎn)能至 2.3 萬(wàn)片 12 納米邏輯芯片。第三期希望能再募資 100 億元,增加 1 萬(wàn)片的 7 nm邏輯芯片的產(chǎn)能。

土地:該項(xiàng)目規(guī)劃工業(yè)用地 500 畝,配套廠商工業(yè)用地 1500 畝,用于高管配套住宅商住用地 300 畝。

值得一提的是,這份項(xiàng)目企劃書的主導(dǎo)者是夏勁秋正是當(dāng)年跟著梁孟松從臺(tái)積電跳槽到韓國(guó)三星電子的一員大將。

另外,業(yè)內(nèi)消息顯示,該項(xiàng)目仍在尋找資金,而昆明市政府是金主之一。

為什么不可能?

雖然,目前中芯國(guó)際并未對(duì)此消息進(jìn)行回應(yīng)。不過,從目前來看,梁孟松離開中芯國(guó)際參與該項(xiàng)目幾乎是不可能的。

首先,自梁孟松去年10月正式加盟中芯國(guó)際到現(xiàn)在僅僅一年的時(shí)間,雖然在梁孟松的幫助下,中芯國(guó)際14nmFinFET技術(shù)取得了突破,第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,但是距離成功量產(chǎn)仍有一段距離,而這也是難度最大的地方。梁孟松不可能有始無(wú)終,半途而廢,在14nm未成功量產(chǎn)的情況下就離開中芯國(guó)際。

其次,中芯國(guó)際對(duì)于梁孟松開出的條件已經(jīng)是足夠的優(yōu)厚,不僅出任國(guó)內(nèi)第一大晶圓代工廠中芯國(guó)際的聯(lián)合首席執(zhí)行官(Co-CEO)兼執(zhí)行董事,同時(shí)也給予了充分的發(fā)揮空間,不然也不可能在短短數(shù)月時(shí)間就成績(jī)。而對(duì)于梁孟松這個(gè)層級(jí)的人來說,有中芯國(guó)際這個(gè)可以大展拳腳的好平臺(tái),其他項(xiàng)目提供的優(yōu)厚的條件恐怕也不會(huì)有太大的吸引力。

第三,眾人皆知梁孟松與臺(tái)積電曾有過一段不堪回首的往事。此前梁孟松跳槽三星,還曾遭到了臺(tái)積電的起訴,被稱之為“叛將”。梁孟松不太可能才剛剛加盟中芯國(guó)際,在中芯國(guó)際內(nèi)部順風(fēng)順?biāo)那闆r下加入到由前臺(tái)積電南科14 廠的核心團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)項(xiàng)目中去,再次成為“叛將”,而“叛將”這個(gè)標(biāo)簽也一直是梁孟松想要洗刷掉的,這個(gè)階段梁孟松,對(duì)于“名節(jié)”必然是非常看重的。

第四,爆料稱臺(tái)積電南科14 廠將有 180名骨干人員加盟新的晶圓廠項(xiàng)目。顯然,即便是對(duì)于全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電來說,一下子180人的核心團(tuán)隊(duì)集體跳槽,可是一件天大的事。且不說臺(tái)積電待遇優(yōu)厚,南科14 廠不太可能真的有180人跳槽出來,即便是有,臺(tái)積電也不可能允許這么多人集體“帶槍跳槽”。

第五,從該項(xiàng)目書來看,擬建的12吋晶圓廠鎖定的是非常先進(jìn)的12nm甚至是目前最先進(jìn)的7nm工藝,這顯然是有點(diǎn)大躍進(jìn)(要知道目前國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的量產(chǎn)工藝也是臺(tái)積電南京廠的16nm工藝,中芯國(guó)際的14nm還沒量產(chǎn))。且不說這需要耗費(fèi)大量的資金投入,還需要大量的技術(shù)人才的加入,而這180人的團(tuán)隊(duì)如果不“帶槍跳槽”,想要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)可謂是難于登天。如果是“帶槍跳槽”,臺(tái)積電是絕對(duì)不會(huì)善罷甘休的。即便是有梁孟松這樣的大牛加入,要想實(shí)現(xiàn)12nm和7 nm工藝,也是非常困難。而且梁孟松如果有能力帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)突破12nm和7nm工藝,為何不在更有實(shí)力和底蘊(yùn)的中芯國(guó)際平臺(tái)上來實(shí)現(xiàn),卻會(huì)選擇一個(gè)充滿不確定性的新平臺(tái)呢?

所以,筆者認(rèn)為今天傳出的梁孟松將離開中芯國(guó)際加盟新項(xiàng)目的消息應(yīng)該只是個(gè)謠言!

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原文標(biāo)題:梁孟松將離開中芯國(guó)際另起爐灶?這恐怕只是個(gè)謠言!

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