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Fly-Buck轉(zhuǎn)換器正確的匝數(shù)比應(yīng)該如何選取

kus1_iawbs2016 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-11-06 10:16 ? 次閱讀
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有時候,您會遇到需要從寬泛輸入電源獲得簡單、低功耗隔離式輸出電壓的情況。這時,穩(wěn)壓可能并不重要,重要的是成本和電路板空間。滿足這些需求的良好解決方案是Fly-Buck電源,這只是一款帶耦合繞組的降壓穩(wěn)壓器。



穩(wěn)壓的實現(xiàn)方法是在低側(cè)一次開關(guān)開啟時對耦合電感器的二次繞組進行整流。這可將一個電壓反射給二次繞組,計算方法是用降壓輸出電壓乘以耦合電感器匝數(shù)比。



圖1展示了Fly-Buck電路的簡單程度。在該設(shè)計中,同步降壓電源開關(guān)包含在控制IC內(nèi),只需幾個分立部件和一個變壓器就可完成設(shè)計。成功設(shè)計的真正訣竅在于耦合電感器的規(guī)范或選擇。尤其需要構(gòu)建對匝數(shù)、漏電感和磁化電感的要求。



圖1:Fly-Buck是提供穩(wěn)壓、隔離式輸出的簡單方法。




在圖1所示電路中,變壓器的匝數(shù)比由一次及二次輸出電壓確定。它將只是一二次電壓之比與二極管(D1)電壓限值及任何繞組電阻壓降限值之和。在這種情況下,需要了解一次輸出電壓與最小輸入電壓之間的關(guān)系。顯然,該降壓無法提供比輸入高的輸出電壓。如果這兩個值太接近了,電路可能就沒有正常工作。您可能會受到最大控制占空比限制,因為輸出電壓大概就是占空比與輸入的乘積。




第二個挑戰(zhàn)是極高占空系數(shù)下的電路工作問題,此時電流會變得非常高。這些高電流可能由電荷守恒及基本電路工作所致。從電荷守恒來看,輸出電容器只在開關(guān)節(jié)點為低時充電。在該周期剩余的時間里,它會提供負載電流。電荷平均儲存公式為:




其中Icharge/Iout與D對比標(biāo)繪。在占空系數(shù)大于75%時,該比值大于3,并隨占空系數(shù)的增大而迅速攀升。高電流可對二次輸出穩(wěn)壓產(chǎn)生影響。二極管導(dǎo)電時,耦合電感器可將一個反射的一次輸出電壓提供給耦合電感器漏電感、串聯(lián)寄生電阻以及輸出濾波器電容器的串聯(lián)組合。



漏電感會對圖3底部線跡所示的二次電流波形產(chǎn)生強烈影響,這將影響穩(wěn)壓。漏電感可決定二次繞組中電流上升的速度。如果只有少量漏電感,電流會快速上升到較高值,快速為輸出電容器充電。隨著電感增加,電流上升速度會減慢,這不僅會導(dǎo)致提供給輸出電容器的電荷減少,而且還會導(dǎo)致輸出電壓降低。




圖3:漏電感會對充電電流波形產(chǎn)生強烈影響(綠色=10nH,紅色=100nH,藍色=1uH)。




圖4是通過仿真得到的漏電感對二次輸出穩(wěn)壓的影響。該圖是基于占空系數(shù)與漏電感標(biāo)繪出的一次輸出電壓與二次輸出電壓曲線。這里采用的是1:1變壓器,支持2.5uH的一次電感和總量變化的漏電感。輸入電壓是5V。一次電流為1A,二次電流為0.2A。



圖4:漏電感是穩(wěn)壓殺手。



第一條曲線是一次輸出電壓,占空系數(shù)與輸出電壓呈線性關(guān)系。其它曲線顯示,二次輸出電壓并非呈線性。

有兩個因素可降低二次穩(wěn)壓性能。在左側(cè)占空系數(shù)較低的地方,二次輸出電壓大約比一次電壓小一個二極管壓降。這可通過同步整流改善。在右側(cè)占空系數(shù)較高的地方,較短的傳導(dǎo)時間會增大峰值電流,而且漏電感的影響也會顯著增大。



如果有大量的漏電感,在占空系數(shù)高于50%或者輸入輸出比為2:1時,該電路可能無法使用。如果漏電感很少,那在占空系數(shù)高達75%或輸入輸出比為1.33:1時,電路仍能良好工作。如果漏電感極小,該電路則可良好支持高達83%的占空系數(shù)或1.2:1的電壓比。應(yīng)該注意,高占空系數(shù)的峰值和RMS可能都會非常高,如圖2所示。寄生現(xiàn)象會對這些值產(chǎn)生強烈影響,了解它們的最簡單方法是仿真。



總之,F(xiàn)ly-Buck是實現(xiàn)簡單隔離式偏置電壓的便捷之選,但在考慮高占空比運行時需要謹慎。峰值電流可能會變得非常高。您可通過控制漏電感來增加占空系數(shù),但是任何高于80%的情況很可能都不切實際。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:全球首款GaN技術(shù)的PD充電器 | 黑科技來襲

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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