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影響B(tài)UCK電源效率的因素有哪些

GReq_mcu168 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-11-15 14:11 ? 次閱讀
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簡化的MOSFET等效電路

MOSFET開通(turn on)過程

MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗

Diode損耗——肖特基不計反向恢復(fù)損耗

L/C損耗

IC損耗

小結(jié)

綜合上述分析可知,影響效率的因素主要有Rds(on),開關(guān)頻率,有效值電流。

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原文標題:【幾張圖理解】影響B(tài)UCK電源效率的關(guān)鍵因素!

文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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