12月3日，武漢新芯對外宣布稱，基于其三維集成技術(shù)平臺的三片晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)成功。

武漢新芯的晶圓級集成技術(shù)可將三片不同功能的晶圓（如邏輯、存儲和傳感器等）垂直鍵合，在不同晶圓金屬層之間實(shí)現(xiàn)電性互連。與傳統(tǒng)的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級的三維集成技術(shù)能同時增加帶寬，降低延時，提高性能，降低功耗。

武漢新芯技術(shù)副總裁孫鵬表示，三維集成技術(shù)是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術(shù)平臺。武漢新芯的三維集成技術(shù)居于國際先進(jìn)、國內(nèi)領(lǐng)先水平，已積累了6年的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，可為客戶提供工藝先進(jìn)、設(shè)計(jì)靈活的晶圓級集成代工方案?！?/p>

武漢新芯成立于2006年，由省市區(qū)三級政府集體決策投資107億，建設(shè)中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線，2008年建成投產(chǎn)。2016年，在武漢新芯基礎(chǔ)上，紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團(tuán)共同出資組建長江存儲科技有限責(zé)任公司，武漢新芯整體并入長江存儲，成為長江存儲全資子公司。

武漢新芯自2012年開始布局三維集成技術(shù)，并于2013年成功將三維集成技術(shù)應(yīng)用于背照式影像傳感器，良率高達(dá)99%，隨后陸續(xù)推出硅通孔（TSV）堆疊技術(shù)、混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)和多片晶圓堆疊技術(shù)。

晶圓級的三維集成技術(shù)為后摩爾時代芯片的設(shè)計(jì)和制造提供了新的解決方案，在對帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的人工智能和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域擁有頗為廣泛的應(yīng)用前景。