Anaflash（加利福尼亞州圣何塞）是一家初創(chuàng)公司，它開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試芯片，用于演示在邏輯兼容的嵌入式閃存中進(jìn)行的模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算。

該公司由Suvolta的前模擬設(shè)計(jì)副總裁Sang-Soo Lee于2017年成立。明尼蘇達(dá)大學(xué)的研究人員在舊金山舉行的國(guó)際電子器件會(huì)議上發(fā)表了一篇關(guān)于其方法的論文。該論文的標(biāo)題為：“A 68 parallel row access neuromorphic core with 22K multi-level aynapses based on logic-compatible embedded flash memory technology”

該論文討論了一種利用邏輯兼容的嵌入式閃存技術(shù)的尖峰神經(jīng)形態(tài)核心，用于存儲(chǔ)多級(jí)突觸權(quán)重，用65nm的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝流片。這種存儲(chǔ)器支持5級(jí)的讀操作，相當(dāng)于2.3位（5=2^2.3）。

該芯片具有多級(jí)非易失性權(quán)重存儲(chǔ)，單周期因子聚合和尖峰生成，可包含320個(gè)神經(jīng)元。使用程序驗(yàn)證序列調(diào)整權(quán)重，允許同時(shí)對(duì)68個(gè)單獨(dú)的單元因子求和。作者說(shuō)，據(jù)他們所知，這是迄今為止報(bào)道的最高之一。

68個(gè)并排設(shè)計(jì)支持22,000個(gè)多級(jí)突觸，這些基于電子閃存的突觸是非易失性的，因此待機(jī)功率為0且支持即時(shí)的開(kāi)/關(guān)操作。

該測(cè)試芯片用于手寫數(shù)字識(shí)別時(shí)，其準(zhǔn)確度達(dá)到了91.8％。該論文指出，最大吞吐量為1.28G像素/秒，單個(gè)神經(jīng)元電路的平均功耗為15.9微瓦。

該公司宣布已在美國(guó)和其他國(guó)家提交專利申請(qǐng)。