1.SLC

SLC全稱是單層式儲(chǔ)存 （Single Level Cell），因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以經(jīng)受10萬次的讀寫。而且因?yàn)橐唤M電壓即可驅(qū)動(dòng)，所以其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的Flash閃存芯片。

2.MLC

MLC全稱是多層式儲(chǔ)存（Multi Leveled Cell），它采用較高的電壓驅(qū)動(dòng)，通過不同級(jí)別的電壓在一個(gè)塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤中應(yīng)用最為廣泛的MLC NAND閃存，其最大的特點(diǎn)就是以更高的存儲(chǔ)密度換取更低的存儲(chǔ)成本，從而可以獲得進(jìn)入更多終端領(lǐng)域的契機(jī)。不過，MLC的缺點(diǎn)也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次。

3.TLC

SLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三層存儲(chǔ)單元，因此可以以較低的成本實(shí)現(xiàn)更大的容量。具體來講，SLC只有兩個(gè)電平狀態(tài)，MLC則為4個(gè)，TLC則多達(dá)8個(gè)，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此價(jià)格也便宜了33%。當(dāng)然良品率等因素也會(huì)對(duì)價(jià)格產(chǎn)生影響。

由于TLC擁有多達(dá)8個(gè)電平狀態(tài)，因此在電位控制上更加復(fù)雜，特別是寫入速度會(huì)大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態(tài)，電子一旦溢出變會(huì)非常容易導(dǎo)致出錯(cuò)，難以控制，這就是為什么需要更強(qiáng)ECC糾錯(cuò)能力的原因，否則TLC閃存的壽命將會(huì)不堪一擊。