功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)的要求及設(shè)計(jì)
本視頻中介紹了最新的功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)的基本要求的基礎(chǔ)上深入探討了電路寄生參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)影響，對(duì)比了軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)特點(diǎn)和區(qū)別，也深入探討了CMTI及其PCB的優(yōu)化設(shè)計(jì)指導(dǎo)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
pcb
+關(guān)注
關(guān)注
4367文章
23486瀏覽量
409538 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28887瀏覽量
237571 -
ti
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
8029瀏覽量
214900
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書(shū)中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)
發(fā)表于 07-11 14:49
矽塔柵極驅(qū)動(dòng)IC原廠代理供應(yīng)
驅(qū)動(dòng)通過(guò)采用業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝和先進(jìn)的封裝技術(shù)，具備卓越的效率和出色的散熱性能，同時(shí)能達(dá)到最小的封裝尺寸。SA2103LSOP8
SA2103SOP8
SA2104SOP8
SA2105SOP8
發(fā)表于 06-07 11:26
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開(kāi)發(fā)者帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
矽塔柵極驅(qū)動(dòng)IC原廠代理供應(yīng)
驅(qū)動(dòng)通過(guò)采用業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝和先進(jìn)的封裝技術(shù)，具備卓越的效率和出色的散熱性能，同時(shí)能達(dá)到最小的封裝尺寸。SA2103LSOP8
SA2103SOP8
SA2104SOP8
SA2105SOP8
發(fā)表于 05-30 15:20
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器：電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè)，隨著對(duì)功率電平和開(kāi)關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（十）——柵極電荷和應(yīng)用
，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)器的相關(guān)功能。MOSFET功率半導(dǎo)體是電壓型驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)的本質(zhì)是對(duì)柵極
率能半導(dǎo)體SS6200無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片代理供應(yīng)
芯片簡(jiǎn)介
SS6200 是一款經(jīng)過(guò)優(yōu)化的單相 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET的柵極。
集成的自舉二極管減少了外部
發(fā)表于 03-17 16:10
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)（一）綜述
工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大，設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單，但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易，主要難點(diǎn)有幾點(diǎn)：1電路要求簡(jiǎn)潔，占用線路板面積要
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述
意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈
高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率損耗分析
高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度
柵極驅(qū)動(dòng)ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)ic選型看哪些參數(shù)
半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率開(kāi)關(guān)器件的集成電路。它通過(guò)控制MOSFET柵極的電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET的開(kāi)關(guān)控制，從而在電路中起到放大、開(kāi)關(guān)和保護(hù)的作用。柵極
WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來(lái)的挑戰(zhàn)
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵
發(fā)表于 09-27 15:05
?1076次閱讀
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類(lèi)型：功率
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分，其參數(shù)要求和
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論