一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

業(yè)界首個硅晶圓級砷化鎵及SOI異質(zhì)集成射頻前端模組

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:lq ? 2019-02-11 15:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2019年1月30日,采用中芯集成電路(寧波)有限公司(以下簡稱“中芯寧波”)特有的晶圓級微系統(tǒng)集成技術(shù),中芯寧波和宜確半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(以下簡稱“宜確”)聯(lián)合發(fā)布業(yè)界首個硅晶圓級砷化鎵及SOI異質(zhì)集成射頻前端模組。宜確也首次展示了封裝尺寸僅為2.5x1.5x0.25立方毫米的射頻前端模組,這也是目前業(yè)界最緊湊的射頻前端器件;其第一個系列的產(chǎn)品預(yù)計將于2019年上半年在中芯寧波N1工廠投產(chǎn),主要面向4G5G智能手機(jī)市場,滿足其對射頻前端模組進(jìn)一步微型化的需求。

“uWLSI?是一個先進(jìn)的晶圓制造技術(shù)平臺,不僅助力宜確的砷化鎵pHEMT射頻前端模組產(chǎn)品實現(xiàn)出眾的微型化,而且顯著提高其核心組件間互連的射頻特性。”宜確表示:“這一關(guān)鍵性的晶圓級制造和系統(tǒng)測試技術(shù),也有助于進(jìn)一步簡化芯片設(shè)計和制造流程。”

uWLSI?為中芯寧波的注冊商標(biāo),意指“晶圓級微系統(tǒng)集成”;它是中芯寧波自主開發(fā)的一種特種中后段晶圓制造技術(shù),尤其適用于實現(xiàn)多個異質(zhì)芯片的晶圓級系統(tǒng)集成以及晶圓級系統(tǒng)測試,同時也消除了在傳統(tǒng)的系統(tǒng)封裝中所需的凸塊和倒裝焊工藝流程。

中芯寧波表示:“中芯寧波所開發(fā)的uWLSI?技術(shù)平臺,正是為了滿足多個異質(zhì)芯片通過更多的晶圓級制造工藝來實現(xiàn)高密度微系統(tǒng)集成的迫切需求。uWLSI?技術(shù)不僅能夠支持多種射頻核心組件(包括砷化鎵或氮化鎵功放器件、射頻濾波器、集成被動器件)的晶圓級異質(zhì)微系統(tǒng)集成,支持下一代高性能、超緊湊的射頻前端模組產(chǎn)品的要求,還將針對更廣泛的系統(tǒng)芯片應(yīng)用,成為一種新的有競爭力的微系統(tǒng)集成方案,包括微控制器、物聯(lián)網(wǎng)傳感器融合?!?/p>

中芯寧波是一家特種工藝半導(dǎo)體制造公司,由中芯國際集成電路制造(上海)有限公司(SMIC)、中國集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及其它集成電路產(chǎn)業(yè)基金共同投資。公司總部位于中國浙江省寧波市,擁有自己的特種工藝半導(dǎo)體晶圓制造工廠,為全球集成電路和系統(tǒng)客戶提供高壓模擬、射頻前端以及光電系統(tǒng)集成領(lǐng)域的專業(yè)晶圓制造和產(chǎn)品設(shè)計服務(wù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28938

    瀏覽量

    238409
  • 射頻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    106

    文章

    5758

    瀏覽量

    170482
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5166

    瀏覽量

    129847

原文標(biāo)題:中芯寧波與宜確半導(dǎo)體聯(lián)合宣布首次實現(xiàn)砷化鎵射頻前端模組晶圓級微系統(tǒng)異質(zhì)集成

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深入探索:封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,封裝(WLP)作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分,正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢。在
    的頭像 發(fā)表于 03-04 10:52 ?2191次閱讀
    深入探索:<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)

    日本Sumco宮崎工廠計劃停產(chǎn)

    日本制造商Sumco宣布,將在2026年底前停止宮崎工廠的生產(chǎn)。 Sumco報告稱,
    的頭像 發(fā)表于 02-20 16:36 ?460次閱讀

    封裝技術(shù)詳解:五大工藝鑄就輝煌!

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,封裝(Wafer Level Packaging, WLP)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。
    的頭像 發(fā)表于 01-07 11:21 ?1694次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>封裝技術(shù)詳解:五大工藝鑄就輝煌!

    為什么80%的芯片采用制造

    的芯片都是用硅片生產(chǎn)的,而不是用今天熱門的碳化硅、、氮化等材料生產(chǎn)。這是為什么? 材料的選擇標(biāo)準(zhǔn) 在選擇用于生產(chǎn)芯片的材料時,需要考慮以下幾個主要因素: 電子特性:材料必須具備
    的頭像 發(fā)表于 01-06 10:40 ?1034次閱讀
    為什么80%的芯片采用<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造

    超薄的發(fā)展歷程與未來展望!

    是半導(dǎo)體制造中的基礎(chǔ)材料,主要用于生產(chǎn)各種電子元件,如晶體管、二極管和集成電路。它是通過將高純度的熔化后冷卻成單晶體結(jié)構(gòu),然后切割成
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:05 ?906次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的發(fā)展歷程與未來展望!

    康希通信美林美深射頻前端模組型號KCT8574HE

    802.11 a/n/ac/ax WLAN系統(tǒng)設(shè)計的高集成模組,不僅集成了所有關(guān)鍵射頻功能,更以卓越的性能、超小的封裝和環(huán)保理念,重新定義了Wi-Fi 6設(shè)備的
    的頭像 發(fā)表于 11-29 15:17 ?511次閱讀

    一文了解封裝中的垂直互連結(jié)構(gòu)

    了更高的要求。以當(dāng)下熱門的封裝為切入點(diǎn),重點(diǎn)闡述并總結(jié)目前在封裝結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的3 種垂
    的頭像 發(fā)表于 11-24 11:47 ?1615次閱讀
    一文了解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>封裝中的垂直互連結(jié)構(gòu)

    利用全息技術(shù)在內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法

    表面外,內(nèi)部還有足夠的空間可用于微結(jié)構(gòu)制造。該研究團(tuán)隊的工作,為直接在內(nèi)部進(jìn)行納米
    的頭像 發(fā)表于 11-18 11:45 ?754次閱讀

    PI推出業(yè)界首款1700V氮化開關(guān)IC

    深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成,是
    的頭像 發(fā)表于 11-05 13:40 ?717次閱讀

    氮化在劃切過程中如何避免崩邊

    半導(dǎo)體市場的發(fā)展。氮化的制造工藝非常相似,12英寸氮化技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1605次閱讀
    氮化<b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>在劃切過程中如何避免崩邊

    的制備流程

    本文從硅片制備流程為切入點(diǎn),以方便了解和選擇合適的,的制備工藝流程比較復(fù)雜,加工工序
    的頭像 發(fā)表于 10-21 15:22 ?1152次閱讀

    制造良率限制因素簡述(2)

    相對容易處理,并且良好的實踐和自動設(shè)備已將斷裂降至低水平。然而,
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:39 ?986次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造良率限制因素簡述(2)

    氮化哪個先進(jìn)

    氮化(GaN)和(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個更先進(jìn),并不是一個簡單的二元對立問題,因為它們的先進(jìn)性取決
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?5421次閱讀

    詳解不同封裝的工藝流程

    (Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及通孔(TSV)封裝。此外,本文還將介紹應(yīng)用于這些封裝的各項工藝,包括光刻(Photo
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:10 ?3010次閱讀
    詳解不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>封裝的工藝流程

    碳化硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3102次閱讀