續(xù)上回晶圓制程，我們簡(jiǎn)單了解單晶硅片基本的加工過(guò)程：

主要分為：切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗→刻蝕→拋光等。

硅片制備

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率、含氧量。

整形處理

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。

硅片標(biāo)識(shí)定位

激光刻印

切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。

切片

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。

研磨：指通過(guò)研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。

磨片和倒角

腐蝕、清洗：切片后，硅片表面有機(jī)械損傷層，近表面晶體的晶格不完整，而且硅片表面有金屬粒子等雜質(zhì)污染。因此，一般切片后，在制備太陽(yáng)能電池前，需要對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)腐蝕。 在單晶硅片加工過(guò)程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是腐蝕后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。常見(jiàn)清洗的方式主要是傳統(tǒng)的RCA濕式化學(xué)清洗技術(shù)。

刻蝕

拋光

質(zhì)量測(cè)量

改進(jìn)要求

平整度

外延層

外延層

外延層結(jié)構(gòu)