課程介紹

上節(jié)課我們講了MOSFET的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路，同時(shí)也說(shuō)到了這個(gè)芯片在第一次初始上電的時(shí)候，是如何進(jìn)行啟動(dòng)的。所以我們需要供電，供電之后芯片就能發(fā)出一個(gè)振蕩波，然后MOS管開(kāi)始振蕩。所以建立電壓的一個(gè)過(guò)程需要N個(gè)周期以后才能建立起來(lái)。

建立起來(lái)之后，由于兩個(gè)次級(jí)繞組是同一個(gè)dΦ/dT的，所以其中一個(gè)的電壓變化能反映另一個(gè)上的電壓變化。所以我們既可以供電，也可以通過(guò)電壓變化來(lái)進(jìn)行一個(gè)電壓調(diào)節(jié)。所以我們說(shuō)這個(gè)次級(jí)繞組在提供能源的同時(shí)，也能反映另一個(gè)次級(jí)繞組后的負(fù)載的變化。最終實(shí)現(xiàn)一個(gè)PWM的調(diào)節(jié)，基本上能夠讓次級(jí)繞組穩(wěn)定在5V左右。電壓在此處的閉環(huán)調(diào)節(jié)，并不是在每個(gè)周期里進(jìn)行調(diào)整的，它一定是在N個(gè)周期之后進(jìn)行一個(gè)調(diào)節(jié)。所以說(shuō)電壓的紋波一定和次級(jí)或者初級(jí)上電源的電流紋波不是一個(gè)頻率的。

學(xué)習(xí)獲得：

學(xué)習(xí)隔離式反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

1、反激開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)思路，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理框圖講解

2、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

3、經(jīng)典驅(qū)動(dòng)芯片UC3842 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

4、頻率設(shè)計(jì)講解

5、吸收電路設(shè)計(jì)及作用講解

6、功率開(kāi)關(guān)管MOSFET的開(kāi)關(guān)速度，發(fā)熱因素及選型講解

7、輸出電路設(shè)計(jì)

8、MOSFET選型，吸收電路器件選型，輸出二極管選型，輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。

9、電流環(huán)設(shè)計(jì)

10、電壓環(huán)設(shè)計(jì)

11、經(jīng)典基準(zhǔn)電壓源TL431 內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解

12、光耦的應(yīng)用講解

13、TL431、光耦組合電路參數(shù)計(jì)算。

14、EMI設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單介紹

適宜學(xué)習(xí)人群：

1、如果你還是學(xué)生，正厭倦于枯燥的課堂理論課程，想得到電子技術(shù)研發(fā)的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)；

2、如果你即將畢業(yè)或已經(jīng)畢業(yè)，想積累一些設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)憑此在激烈競(jìng)爭(zhēng)的就業(yè)大軍中脫穎而出，找到一份屬于自己理想的高薪工作；

3、如果你已經(jīng)工作，卻苦惱于技能提升緩慢，在公司得不到加薪和快速升遷；

4、如果你厭倦于當(dāng)前所從事的工作，想快速成為一名電子研發(fā)工程師從事令人羨慕的研發(fā)類工作。