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長江存儲64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

電子工程師 ? 來源:郭婷 ? 2019-08-29 14:28 ? 次閱讀
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在召開的2019中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上,紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展,其中首次公開展出了旗下長江存儲研發(fā)的64層堆棧3D閃存,采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu),核心容量也提升到了256Gb。

根據(jù)官網(wǎng)資料,長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。

在閃存芯片上,長江存儲去年就小規(guī)模量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,不過核心容量只有64Gb,整體規(guī)格相比目前的主流水平有所落伍,長江存儲也不打算大規(guī)模量產(chǎn),今年底真正量產(chǎn)的是64層堆棧的3D閃存。

根據(jù)長江存儲之前的介紹,他們的3D閃存采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu),去年推出了Xstacking 1.0,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝,以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。

從展出的64層堆棧閃存來看,其核心容量已經(jīng)提升到了256Gb,是32層閃存的4倍,相比目前512Gb到1Tb的水平來說依然有差距,但是256Gb核心的閃存在64層閃存中已經(jīng)是主流水平了,換算下來核心容量8GB了,可以輕松制造出512GB到1TB容量的SSD硬盤。

今年年底預(yù)計(jì)長江存儲正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,明年開始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2020年底可望將產(chǎn)能提升帶月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模,而明年則會跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧,進(jìn)一步縮短與三星東芝等公司的差距。

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