近日，一年一度的新思科技開發(fā)者大會(huì)在上海拉開帷幕。作為新思科技開發(fā)者大會(huì)特邀嘉賓，被譽(yù)為FinFET之父的胡正明教授視頻分享了其對(duì)行業(yè)發(fā)展的獨(dú)到見解。

2nm之后的路在何方？

胡正明教授指出“行業(yè)每20年總會(huì)有一個(gè)危機(jī)。20年前，行業(yè)對(duì)今后用什么技術(shù)來(lái)提高芯片性能、降低功耗的同時(shí)不增加成本，非常悲觀。FinFET技術(shù)的出現(xiàn)解決了這個(gè)問(wèn)題，但是現(xiàn)如今最前端的公司都面臨著先進(jìn)工藝不斷向7nm、5nm、2nm邁進(jìn)之后的工藝挑戰(zhàn)。解決之道就是要找到長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展之路。”

近期的研究分享

2018年，胡正明教授的同事有一個(gè)發(fā)明：負(fù)電容晶體管。過(guò)去十年，胡正明教授都在參與研究負(fù)電容晶體管以期將功耗降低10倍，也許以后還有更多益處。

對(duì)中國(guó)開發(fā)者的寄語(yǔ)

他肯定了過(guò)去十幾年，行業(yè)的開發(fā)者團(tuán)隊(duì)對(duì)世界科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)的重要性，建議開發(fā)者一步一個(gè)腳印，踏踏實(shí)實(shí)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)革新，不管是對(duì)于個(gè)人還是公司，都要在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上，讓自己的產(chǎn)品研發(fā)在國(guó)內(nèi)和國(guó)際上越來(lái)越有競(jìng)爭(zhēng)力。

今年的開發(fā)者大會(huì)對(duì)新思科技來(lái)說(shuō)更具時(shí)代意義——擁有29年歷史的SNUG(新思科技用戶大會(huì))全新升級(jí)、煥然新生。大會(huì)共吸引了超過(guò)1400位來(lái)自全球的開發(fā)者共享前沿科技的創(chuàng)新成果，分享了超過(guò)40個(gè)開發(fā)者優(yōu)秀案例，覆蓋眾多改變未來(lái)世界的熱門應(yīng)用。同時(shí)，有超過(guò)20家全球合作伙伴在現(xiàn)場(chǎng)展示最新應(yīng)用互動(dòng)體驗(yàn)，涉及人工智能、智能汽車、5G、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。

人類走到今天，每一個(gè)微小的進(jìn)步都不可或缺。新思科技致力于為全球開發(fā)者提供最前沿的工具和平臺(tái)實(shí)現(xiàn)芯片創(chuàng)新，攜手開發(fā)者讓科技更有溫度，讓世界更美好，讓明天更有新思。