從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進(jìn)化的步伐？
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內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)向來都是系統(tǒng)性能的決定因素，從開始的SDR（單數(shù)據(jù)速率RAM）到最近的DDR（雙數(shù)據(jù)速率），內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)一直與時俱進(jìn)。
SRAM 到 DDR，標(biāo)準(zhǔn)不斷更新，是為了滿足日新月異的超現(xiàn)代創(chuàng)新需求。DDR4最新系列產(chǎn)品控制功能穩(wěn)健、性能更上一層，贏得市場青睞。不但如此，企業(yè)、平板電腦、微服務(wù)器和超薄客戶端應(yīng)用的能源效率也得以提高。
大多數(shù)應(yīng)用都開始采用使用DDR4更新的版本，因為高級版本比其他版本具有更多優(yōu)勢。數(shù)據(jù)速率為2GB至16GB，可實現(xiàn)大容量子系統(tǒng)。DDR4標(biāo)準(zhǔn)允許的DIMM容量最高可達(dá)64GB，而DDR3的最大容量為16GB/DIMM。
市場上有多種DDR4插座和模塊。超薄型(ULP)垂直DIMM插座最適合超薄應(yīng)用，便于擴展臺式機、服務(wù)器、工作站、通信和工業(yè)設(shè)備嵌入式應(yīng)用的內(nèi)存。
DDR4拓寬了道路，為大規(guī)模技術(shù)創(chuàng)新奠定基礎(chǔ)，并且沒有停下步伐，技術(shù)仍在大步邁前。即將推出的DDR5行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不但更快，性能也更優(yōu)越，目前其設(shè)計適用于顯卡、游戲機和高性能計算。
DDR4 內(nèi)存模塊插槽
Amphenol ICC 的DDR4 DIMM垂直插槽擁有間距為0.85毫米的288個端子，其設(shè)計可容納JEDEC MO-309標(biāo)準(zhǔn)的DDR4內(nèi)存模塊。這種插槽允許服務(wù)器、工作站、臺式電腦、筆記本電腦以及通信和工業(yè)設(shè)備的嵌入式應(yīng)用進(jìn)行內(nèi)存擴展。
低電阻端子還支持使用RDIMM（寄存DIMM），RDIMM能幫助進(jìn)一步降低數(shù)據(jù)中心硬件（例如服務(wù)器、存儲器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備）的功耗。2.4毫米的低模塊底座面和細(xì)長的彈出器設(shè)計減小了連接器和安裝模塊的總體尺寸，幫助優(yōu)化氣流。
提供表面封裝(SMT)、電鍍通孔(PTH)焊接和壓接(PF)連接器終端選項。
內(nèi)存模塊系列產(chǎn)品
原文標(biāo)題：從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進(jìn)化的步伐？
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