動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-03-21 11:59

  意法半導(dǎo)體攜手三星打造創(chuàng)新突破，推出18納米高性能微控制器(MCU)

  

  近日，意法半導(dǎo)體公司宣布，將推出一種基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)的新進工藝，這一技術(shù)還配備了嵌入式相變存儲器(ePCM)，意在為下一代嵌入式處理設(shè)備提供強大支持。該技術(shù)是意法半導(dǎo)體與三星代工廠合作研發(fā)的成果，它將大幅提升嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗效率，同時還能實現(xiàn)更大的內(nèi)存容量和更高水平的模擬與數(shù)字外設(shè)集成。意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和

  mcu 單片機 微控制器

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• 發(fā)布了文章 2024-03-20 13:55

  一文看懂芯片生產(chǎn)整個過程以及需要用到哪些技術(shù)

  

  在這個信息化飛速發(fā)展的時代，如果說哪樣?xùn)|西是現(xiàn)代電子設(shè)備的心臟，那非半導(dǎo)體芯片莫屬了。手機、電腦、汽車，乃至那些我們?nèi)庋劭床灰姷膫鞲衅?，里面都有它的身影。但你知道嗎，制造這些小巧而復(fù)雜的半導(dǎo)體芯片，是一項極其挑戰(zhàn)性的技術(shù)工作，它涉及到的科技可真是既深又寬，咱們一起來探個究竟吧。01半導(dǎo)體芯片的設(shè)計階段，電子設(shè)計自動化(EDA)工具扮演著至關(guān)重要的角色。EDA

  傳感器 半導(dǎo)體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-03-19 11:31

  SiC器件是如何提升電動汽車的系統(tǒng)效率的

  

  SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅(Si)材料，它具有更高的擊穿電場強度、更高的熱導(dǎo)率和更高的運載子遷移率。

  sic器件 電動汽車 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-03-19 11:26

  英偉達發(fā)布最強AI加速卡GB200，開啟新一代AI圖形處理時代

  

  英偉達正式發(fā)布了其最新、也是迄今為止最強大的AI加速卡——GB200。這一重大發(fā)布標(biāo)志著英偉達在AI圖形處理領(lǐng)域邁入了一個新的里程碑。

  AI AI芯片 加速卡 英偉達

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• 發(fā)布了文章 2024-03-18 14:02

  特斯拉發(fā)布峰值功率升級版Powerwall 3，邁向能源獨立未來

  

  光能源的不穩(wěn)定性給持續(xù)能源生產(chǎn)帶來了挑戰(zhàn)，需要創(chuàng)新的解決方案來高效地存儲和管理電力，以實現(xiàn)能源的可靠利用。

  儲能系統(tǒng) 新能源 特斯拉

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• 發(fā)布了文章 2024-03-18 14:00

  電源管理芯片核心技術(shù)讓設(shè)備更智能、更高效

  

  本文將深入探討電源管理芯片的作用、工作原理、技術(shù)特點、應(yīng)用場景以及未來發(fā)展方向，揭示其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的核心地位。

  電子設(shè)備 電源管理芯片 電源芯片 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-03-15 16:36

  單片機抗干擾措施有哪些？

  

  電磁干擾(EMI)問題日益成為影響單片機穩(wěn)定性與可靠性的主要障礙。因此，探討和實施有效的抗干擾措施對于提高單片機系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。下面為大家簡單介紹一種單片機抗干擾措施

  單片機 電子產(chǎn)品 電源

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• 發(fā)布了文章 2024-03-15 16:31

  英飛凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  

  英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)等拓撲結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化的工業(yè)級和車規(guī)級SiCMOSFET。這些MOSFET廣泛適用于工業(yè)領(lǐng)域的典型應(yīng)用，如電動汽車充

  MOSFET 汽車 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-14 11:56

  三星澄清：未采用MR-MUF工藝，持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)HBM芯片技術(shù)

  

  近期，針對三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified Memory Framework)工藝的討論在科技界引發(fā)了廣泛關(guān)注。

  HBM 三星 芯片技術(shù)

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• 發(fā)布了文章 2024-03-14 11:54

  半導(dǎo)體器件電荷載流的控制：柵極技術(shù)解析

  

  在電子工程的世界里，柵極是個魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個個小小的動作就能控制電荷的流動，讓整個電子系統(tǒng)跳動起來

  半導(dǎo)體器件 柵極 電荷

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