深圳市致知行科技有限公司文章

• 9.5.14 光刻膠配套試劑∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-19 01:06

  

  Ancillaries撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提

  光刻膠 462瀏覽量

• 8.1.2 電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-18 01:12

  

  8.1.2電流-電壓關(guān)系8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.1夾斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管7.3.4電流-電壓關(guān)系∈

  晶體管 659瀏覽量

• 9.5.12 光敏聚酰亞胺PSPI∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-18 01:10

  

  PhotosensitivePolyimid撰稿人：中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所楊士勇http://www.iccas.ac.cn審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)

  集成電路 807瀏覽量

• 8.1.3 飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-18 01:08

  

  8.1.3飽和漏極電壓8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.2電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.1夾斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（J

  電壓 855瀏覽量

• 9.5.13 抗反射涂層ARC∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-18 01:06

  

  AntireflectionCoating撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)

  集成電路 676瀏覽量

• 8.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-16 01:09

  

  8.1.1夾斷電壓8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3

  晶體管 775瀏覽量

• 9.5.11 新型光刻膠材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-16 01:08

  

  點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們NextGenerationLithographyMaterials撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸

  集成電路 526瀏覽量

• 7.4 結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-15 01:07

  

  7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原

  二極管 碳化硅 4824瀏覽量

• 9.5.10 極紫外光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-15 01:06

  

  點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們EUVPhotoresist撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人：復(fù)旦大學(xué)鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸

  集成電路 光刻膠 813瀏覽量

• 7.3.2 “i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-14 01:15

  

  7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.1大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.3pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理

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