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8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-05 01:07
8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和SiC 753瀏覽量 -
9.6.14 貴金屬靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-05 01:06
PreciousMetalTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切集成電路 362瀏覽量 -
8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關(guān)定義∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-04 01:07
8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.8UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基MOSFET 730瀏覽量 -
9.6.13 銅靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-04 01:06
CopperTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生集成電路 423瀏覽量 -
8.2.10.1 影響反型層遷移率的機理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-03 01:09
8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.8UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.SiC 807瀏覽量 -
9.6.12 鉭靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-03 01:07
TitaniumTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提集成電路 446瀏覽量 -
國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列2022-03-02 01:08
EQ6GL9可替換器件XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6SLX9Altera：EP4CE6、EP4CE10Lattice：iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型號器件詳情鏈接：FPGA.EQ6GL9小型低功耗百萬門級FPGA替換XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6SFPGA 9376瀏覽量 -
8.2.9 閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-02 01:07
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.8UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.7DMOSFET的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.6功率MOSFET的實施：DMO電壓 1023瀏覽量 -
9.6.11 鈦靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-02 01:06
TitaniumTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊鏈接：8.8.10化學(xué)機械拋光機（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切集成電路 581瀏覽量 -
8.2.8 UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-01 09:57
8.2.8UMOS的先進設(shè)計8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.7DMOSFET的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.6功率MOSFET的實施：DMOSFET和UMOSFET8.2.5比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生MOS 1136瀏覽量