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９.２.２ 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-22 03:01
９.２.２阻斷電壓壓關系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK電壓 434瀏覽量 -
10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-22 01:05
NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人：北京大學蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTM晶體管 525瀏覽量 -
９.２.１ 電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-21 01:05
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10.1.4 自旋場效應晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-21 01:04
SpinField-effectTransistor撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A晶體管 317瀏覽量 -
10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-20 01:06
ImpactIonizationMOS撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型MOS 584瀏覽量 -
９.１.１０阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-19 01:07
９.１.１０阻斷電壓９.１雙極結型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V電壓 348瀏覽量 -
10.1.2 隧道場效應晶體管(TFET)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-19 01:06
TunnelingField-effectTransistor撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP晶體管 853瀏覽量 -
９.１.９ 共發(fā)射極電流增益：復合效應∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-18 03:01
９.１.９共發(fā)射極電流增益：復合效應９.１雙極結型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科電流 552瀏覽量 -
10.1.1 柵極全環(huán)繞器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-18 01:06
Gate-all-around（GAA）Device撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A器件 448瀏覽量 -
9.7.12 底填料Underfill∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-17 04:01
Underfill撰稿人：中國科學院深圳技術研究院朱朋莉http://www.siat.ac.cn審稿人：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究院羅樂http://www.sim.ac.cn9.7封裝結構材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtP材料 548瀏覽量