英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品2025-05-27 17:03

  

  新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專(zhuān)為各種工業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)充電、太陽(yáng)能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶(hù)的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更

  MOSFET SiC 370瀏覽量

• 柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用2025-05-26 18:07

  

  碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車(chē)等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiCMOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體 783瀏覽量

• 一枚葉片的獨(dú)白2025-05-24 08:32

  

  我是一枚發(fā)電機(jī)上的葉片。出生不久，我就開(kāi)始審視自己的身體：身上滿(mǎn)是絕妙飄逸的曲線(xiàn)，身材完美豐盈，真是美的不可方物。我開(kāi)始無(wú)限自戀起來(lái)。如果看一下自己的體重，說(shuō)實(shí)話(huà)愛(ài)上自己的身體不免有些讓人害羞，然而我迷戀的不僅是自己的美，還有各種大小不一的自己。世界上還有更大或者更小的各種葉片，從超過(guò)35米長(zhǎng)的風(fēng)力發(fā)

  發(fā)電機(jī) 葉片 106瀏覽量

• 新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板2025-05-22 17:03

  

  新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源設(shè)計(jì)中需要采用先進(jìn)的功率因數(shù)校正（PFC）電路。PFC通過(guò)同步輸入電流和電壓波形來(lái)確保高功率因數(shù)。通過(guò)使用PFC，電源系統(tǒng)可以減少失真，保持穩(wěn)定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交

  SiC MOSFET 碳化硅 評(píng)估板 驅(qū)動(dòng)器 546瀏覽量

• 新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列2025-05-21 17:07

  

  新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性?xún)r(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開(kāi)關(guān)。設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，1ED

  EiceDRIVER 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器 248瀏覽量

• 英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破2025-05-20 10:35

  

  在全國(guó)兩會(huì)聚焦新能源汽車(chē)充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來(lái)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過(guò)提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS和TRENCHSTOPIGBT，CoolSiCMOSFET和EiceDRIVER驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一

  新能源汽車(chē) 電能轉(zhuǎn)換 英飛凌 370瀏覽量

• 英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)2025-05-19 17:32

  

  本文是作者2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿第二部分，第一部分請(qǐng)見(jiàn)《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個(gè)支柱簡(jiǎn)單講，就是技術(shù)，質(zhì)量，產(chǎn)量和產(chǎn)品。技術(shù)優(yōu)勢(shì)要做好碳化硅MOSFET，在技術(shù)上需要做好兩件事情：性能穩(wěn)定的體二極管垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFE

  半導(dǎo)體 碳化硅 英飛凌 239瀏覽量

• 電力電子中的“摩爾定律”(2)2025-05-17 08:33

  

  04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上，平面磁集成技術(shù)開(kāi)始廣泛應(yīng)用于高功率密度場(chǎng)景，通過(guò)將變壓器的繞組(winding)設(shè)計(jì)在pcb電路板上從而代替利茲線(xiàn)，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大，一般不會(huì)超過(guò)4oz（140μm）,因此想要通過(guò)pcb傳輸大電流會(huì)有極大的損耗。為

  電力電子 電流 磁集成技術(shù) 255瀏覽量

• 新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊2025-05-16 17:08

  

  新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開(kāi)發(fā)的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技術(shù)。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳，配備N(xiāo)TC溫度傳感器，并針對(duì)儲(chǔ)能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，非常適用于1000VDC100kW功率變換系統(tǒng)。產(chǎn)

  IGBT 三電平 儲(chǔ)能 322瀏覽量

• IPAC碳化硅直播季倒計(jì)時(shí)丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？2025-05-15 17:05

  

  直播時(shí)間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報(bào)名吧！直播間不定時(shí)會(huì)有禮品掉落，速速掃碼預(yù)約！520碳化硅首場(chǎng)直播，帶你直擊可靠性核心戰(zhàn)場(chǎng)！平面柵和溝槽柵，簡(jiǎn)約設(shè)計(jì)與繁復(fù)工藝的碰撞，單元均勻性與底部電場(chǎng)聚焦的較量，溝槽柵緣何在可靠性領(lǐng)域持續(xù)“占鰲”，成為行業(yè)標(biāo)桿？高溫下溝槽柵SiC電阻漂移，真的會(huì)成為其可靠性路上的“絆腳石”？低

  碳化硅 英飛凌 247瀏覽量