功率器件的正常運行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風冷、水冷和沸騰冷卻四種。

以IGBT模塊應用三相逆變電路為例。

IGBT模塊關斷截止時，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導通損耗和開....

5月28日，青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式....

圖5-14所示是采用IGBT過流時UCE增大的原理構成的保護電路，該電路采用IGBT專用驅動器EXB....

IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。

并聯(lián)IGBT的直流母線側連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

IGBT驅動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGB....

由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫....

電化隔離：電荷無法由一個電路移動到另一個電路，雙方信號通過其他方式交換信息。

IGBT的過流保護電路可分為兩類：一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護；另一類是高倍數(shù)（可達8....

近日，市民營經(jīng)濟發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉型項目的名單，我司成功入選，同時感謝大家....

所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設定的閾值時，封鎖所有橋臂IG....

由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關系，如果在門極驅動環(huán)路內發(fā)生震蕩，有可能因為....

IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設備要求工作在室溫下，而另一些設備要求工作在很寬的溫....

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF....

額定門極驅動電壓：門極驅動電壓在±20V范圍內施加超過此范圍的電壓時，門極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO....

變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場強度隨輸入、輸出母線中通過電流的強弱而變化，同時IGBT模塊產(chǎn)生的空間交....

IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的....

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。

所有功率模塊內部的熱循環(huán)變化都會導致模塊老化。原因是使用材料的熱膨脹性不同，所以它們之間熱應力是連接....

? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機械構造相關的電氣特性參數(shù)，包括絕緣....

? IGBT模塊內部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關斷時的電壓電....

開關速度：當需要高速開關時，三極管是更好的選擇。例如，在瞬態(tài)電路中，需要快速切換的信號通常需要使用三....

我們就從常見的開關說起，這邊給他接一個電源，右邊接一個負載，然后不停的開關這個開關，那么這個負載上的....

功率循環(huán)試驗中最重要的是準確在線測量結溫，直接影響試驗結果和結論。比較總結了各種溫度測量方法的一致性....

超出關斷安全工作區(qū)引起擎住效應而損壞擎住效應分靜態(tài)擎住效應和動態(tài)擎住效應。IGBT為PNPN4層結構....

通過制動單元外接制動電阻，該方式配合母線電壓檢測。當電機迅速停機時，電機繞組上的能量會通過逆變側的反....