半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（二）
我們現(xiàn)在知道，一般的原子和物質(zhì)材料的結(jié)構(gòu)組成比玻爾模型復(fù)雜得多，質(zhì)子和中子也可以進(jìn)一步細(xì)分為更小的部....
半導(dǎo)體材料特性介紹
半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)....
半導(dǎo)體工業(yè)之1μm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在20世紀(jì)80年代開始于美國和歐洲，并且長期維持主導(dǎo)地位，并逐漸的變?yōu)橐粋€(gè)全球性的產(chǎn)業(yè)。
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體工業(yè)（九）
在之前眾多技術(shù)的量變積累之上，終于觸發(fā)質(zhì)變效應(yīng)，仙童半導(dǎo)體公司引入了平面化技術(shù)，將之前的這些點(diǎn)技術(shù)集....
半導(dǎo)體工業(yè)（五）芯片密度的進(jìn)步
減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個(gè)好處。在電路性能水平上，有一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)就是可以增....
半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響的定律：摩爾定律！
有人猜測芯片密度可能會(huì)超過摩爾定律的預(yù)測。佐治亞理工學(xué)院的微系統(tǒng)封裝研究指出，2004年每平方厘米約....
半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
上回我們講到了在1959年，杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個(gè)集成電路芯片，標(biāo)志著半....
半導(dǎo)體發(fā)展史簡述
書接上回。我們提到了真空管的誕生催生了集成電路行業(yè)的發(fā)展，但是最初的真空管由于其體積較大、壽命較短、....
半導(dǎo)體工業(yè)的誕生
在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過程。從半導(dǎo)體主要制造階....
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NA....
半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)簡介
有兩個(gè)因素影響CMOS集成電路的速度，即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關(guān)的時(shí)間;互連延遲....
淺談20世紀(jì)80年代CMOS工藝流程
因?yàn)镃MOS工藝易于集成化，并且相對(duì)較低的電路功耗，所以。個(gè)人電腦、互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字革命，強(qiáng)烈推動(dòng)了對(duì)....
無源器件的大功率實(shí)時(shí)測量方案
如果你是個(gè)跑步愛好者，你一定希望在運(yùn)動(dòng)過程中實(shí)時(shí)監(jiān)測自己的心率，而不是在運(yùn)動(dòng)結(jié)束后再用秒表來測量心率....
離子注入技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
與高電壓或電流接觸會(huì)引起電擊、燒傷、肌肉和神經(jīng)損傷、心臟麻痹以及死亡。大約1mA的電流通過心臟就可能....
如何降低污染粒子在每一道離子注入過程中的增加量？
對(duì)于許多仍在使用旋轉(zhuǎn)輪的離子注入設(shè)備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個(gè)高速導(dǎo)彈與建筑物的墻壁....
半導(dǎo)體行業(yè)之離子注入工藝（十）
當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進(jìn)入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電....
工商網(wǎng)監(jiān)