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DT半導(dǎo)體

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SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-20 17:18 ?1618次閱讀
SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

GaN和SiC在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有哪些差異

采用氮化鎵的 LED 照明已經(jīng)大幅減少了全球的用電量,預(yù)計(jì)十年后節(jié)省的電量可能高達(dá) 46%。但在電力....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-11 10:19 ?1016次閱讀
GaN和SiC在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有哪些差異

世界上第一個(gè)由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體

石墨烯是一種單層石墨,由碳原子以六角形蜂巢晶格排列而成。它的特性超薄、超輕、超強(qiáng),擁有高電荷載流子遷....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-10 10:20 ?908次閱讀

氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤(pán)點(diǎn)

同為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵時(shí)常被人用來(lái)與碳化硅作比較,雖然沒(méi)有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久,但氮化鎵依舊憑借....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-10 09:53 ?2792次閱讀
氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤(pán)點(diǎn)

賽默飛iDPC-STEM技術(shù)助力鈣鈦礦研究

STEM雖然獲得了快速的發(fā)展,但是在實(shí)際應(yīng)用中存在2個(gè)突出的瓶頸,即輕重元素原子的同時(shí)成像問(wèn)題和對(duì)電....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-09 18:21 ?5165次閱讀
賽默飛iDPC-STEM技術(shù)助力鈣鈦礦研究

淺談三維單片異構(gòu)集成的發(fā)展歷程

基于二維材料的電子器件展現(xiàn)出巨大潛力,這些材料具有極低的剛度和幾乎為零的內(nèi)應(yīng)力,或許能夠完全擺脫傳統(tǒng)....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-09 10:15 ?2219次閱讀
淺談三維單片異構(gòu)集成的發(fā)展歷程

CVD成為工業(yè)制造應(yīng)用更優(yōu)選

金剛石具有低密度、高彈性模量、高強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、化學(xué)惰性和生物相容性等優(yōu)異特性,在聲學(xué)領(lǐng)域主要應(yīng)用于....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-08 11:02 ?861次閱讀

寬帶隙鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的挑戰(zhàn)與應(yīng)用展望

在過(guò)去的幾年里, 鈣鈦礦材料表現(xiàn)出高效率、低成本的絕對(duì)優(yōu)勢(shì), 特別是鈣鈦礦材料由于靈活可調(diào)的禁帶寬度....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-08 10:50 ?3556次閱讀
寬帶隙鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的挑戰(zhàn)與應(yīng)用展望

碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝,解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題

研究中,他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)(Top Gate com....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-05 16:08 ?1450次閱讀
碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝,解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題

再突破!通威HJT組件功率達(dá)到755.03W,轉(zhuǎn)換效率突破24.31%

光伏行業(yè)發(fā)展到今天,HJT技術(shù)已經(jīng)成為了備受關(guān)注的主流技術(shù)路線之一。為推動(dòng)HJT技術(shù)的發(fā)展,通威研發(fā)....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-05 15:59 ?1360次閱讀

世界上第一個(gè)由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體

由于石墨烯缺乏本征帶隙,半導(dǎo)體石墨烯在石墨烯納米電子學(xué)中起著重要作用。在過(guò)去的二十年中,通過(guò)量子限域....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-05 10:41 ?1241次閱讀
世界上第一個(gè)由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體

太陽(yáng)能電池封裝光學(xué)損失研究

太陽(yáng)電池封裝成組件后,其實(shí)際功率通常會(huì)小于理論功率,稱之為功率損失或封裝損失。
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-05 10:32 ?1902次閱讀
太陽(yáng)能電池封裝光學(xué)損失研究

CVD金剛石在機(jī)械密封領(lǐng)域中的應(yīng)用

隨著科技的不斷發(fā)展,金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中,化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石由....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-04 10:17 ?1480次閱讀

太赫茲真空器件的重要組成部件

太赫茲波處于電磁波譜中電子學(xué)與光子學(xué)之間的空隙區(qū)域,具有不同于低頻微波和高頻光學(xué)的獨(dú)特屬性,在無(wú)線通....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-04 10:03 ?2514次閱讀
太赫茲真空器件的重要組成部件

雷達(dá)電子設(shè)備組件金剛石/銅復(fù)合材料散熱基板熱性能研究

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,現(xiàn)代電子設(shè)備愈發(fā)往體積小、重量輕的方向發(fā)展,性能和功能越來(lái)越強(qiáng)大,集成度越來(lái)....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-04 10:02 ?1935次閱讀
雷達(dá)電子設(shè)備組件金剛石/銅復(fù)合材料散熱基板熱性能研究

金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料,人造金剛石晶體有多種不同的類型,大致可分為單形和聚形,每種類型都具....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 01-02 15:47 ?3760次閱讀

半導(dǎo)體零部件行業(yè)深度報(bào)告

半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路的制造和封測(cè)環(huán)節(jié),可細(xì)分為晶圓制造設(shè)備(前道設(shè)備)和封裝、測(cè)試設(shè)備(后道....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-27 10:57 ?1098次閱讀
半導(dǎo)體零部件行業(yè)深度報(bào)告

TOPCon核心工藝技術(shù)路線盤(pán)點(diǎn)

TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-26 14:59 ?15302次閱讀
TOPCon核心工藝技術(shù)路線盤(pán)點(diǎn)

激光微納加工技術(shù)詳解

激光微納加工技術(shù)利用激光脈沖與材料的非線性作用,可以<100nm精度實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜功能結(jié)構(gòu)和器件的增材制造。而激光直寫(xiě)(DLW)光刻是一項(xiàng)具有空間三維加工能力的微納加工技術(shù),在微納集成器件制造中發(fā)揮著重要作用。
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-22 10:34 ?2672次閱讀
激光微納加工技術(shù)詳解

金剛石表面改性技術(shù)研究概況

金剛石具有極高的硬度、良好的耐磨性和光電熱等特性,廣泛應(yīng)用于磨料磨具、光學(xué)器件、新能源汽車(chē)和電子封裝....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-21 15:36 ?2234次閱讀

柔性觸覺(jué)傳感器或?qū)⒃谌诵螜C(jī)器人時(shí)代大放異彩

近日,開(kāi)源證券發(fā)布研究報(bào)告稱,柔性觸覺(jué)傳感器又稱為“電子皮膚”,能夠?qū)崿F(xiàn)與環(huán)境接觸力、溫度、濕度、震....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-13 15:52 ?1428次閱讀

半導(dǎo)體石墨烯光電探測(cè)器取得新進(jìn)展

:當(dāng)石墨烯用作光吸收介質(zhì)時(shí),傳感器通常只能表現(xiàn)出mA/W級(jí)別的弱光學(xué)響應(yīng)度。團(tuán)隊(duì)通過(guò)開(kāi)解單壁碳納米管....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-13 12:33 ?1506次閱讀
半導(dǎo)體石墨烯光電探測(cè)器取得新進(jìn)展

鈣鈦礦電池制備中的激光工藝

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSCs)是第三代高效薄膜電池的代表,憑借良好的吸光性、電荷傳輸速率、巨大的開(kāi)發(fā)潛....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-07 16:25 ?5223次閱讀
鈣鈦礦電池制備中的激光工藝

高效率Pb-Sn鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究

多巴胺離子是一種強(qiáng)還原性材料,可將鈣鈦礦中的Sn4+還原為Sn2+。同時(shí),多巴胺陽(yáng)離子作為一種胺基陽(yáng)....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-06 10:09 ?2708次閱讀
高效率Pb-Sn鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究

通威太陽(yáng)能帶您探尋鈣鈦礦/晶硅疊層電池全制絨晶硅表面高質(zhì)量大面積鈣鈦礦成膜技術(shù)

在目前兩端口鈣鈦礦/晶硅疊層電池的互聯(lián)界面可以分為兩種結(jié)構(gòu):平面和陷光絨面。采用平面結(jié)構(gòu)會(huì)提高電池組....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-05 15:55 ?1747次閱讀
通威太陽(yáng)能帶您探尋鈣鈦礦/晶硅疊層電池全制絨晶硅表面高質(zhì)量大面積鈣鈦礦成膜技術(shù)

聽(tīng)聽(tīng)大佬們?cè)趺凑f(shuō)光伏路線之爭(zhēng)

 阿特斯董事長(zhǎng)瞿曉鏵表示,雖然今年的光伏產(chǎn)業(yè)新增裝機(jī)量達(dá)到預(yù)期,但產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展不達(dá)預(yù)期。下半年以來(lái),....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-01 10:38 ?844次閱讀

碳化硅半導(dǎo)體:4家上市公司情況介紹

此外,由于碳化硅逆變器體積較小,還可搭載成本更低的冷卻系統(tǒng),從而降低整車(chē)成本。因此新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-30 17:35 ?4642次閱讀
碳化硅半導(dǎo)體:4家上市公司情況介紹

鈣鈦礦疊層電池知識(shí)整理匯總

可分為鈣鈦礦/PERC、鈣鈦礦/TOPCon、鈣鈦礦/HJT、鈣鈦礦/CIGS與全鈣鈦礦電池等。鈣鈦....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-30 17:31 ?2485次閱讀
鈣鈦礦疊層電池知識(shí)整理匯總

清華大學(xué)曲良體教授團(tuán)隊(duì)最新Nature

該工作為發(fā)展高性能電化學(xué)濾波電容提供了新的認(rèn)識(shí)和設(shè)計(jì)思路,通過(guò)電場(chǎng)增強(qiáng)離子遷移動(dòng)力學(xué)行為,實(shí)現(xiàn)內(nèi)阻的....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-27 17:51 ?1665次閱讀
清華大學(xué)曲良體教授團(tuán)隊(duì)最新Nature

商用尺寸鈣鈦礦組件效率再創(chuàng)新高!

極電光能曾先后4次刷新鈣鈦礦組件效率的世界紀(jì)錄,目前是810cm2小試組件及1.2x0.6m2商用尺....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-27 17:50 ?1199次閱讀
商用尺寸鈣鈦礦組件效率再創(chuàng)新高!