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ISO5452-Q1 ISO5452-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出

數(shù)據(jù):

描述

ISO5452-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出(OUTH 和 OUTL)以及 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 2.25V 至 5.5V 的單電源供電運(yùn)行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至
30V。兩個(gè)互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時(shí)間保證了對(duì)于輸出級(jí)的精確控制。

內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測(cè)功能可識(shí)別 IGBT 何時(shí)處于過(guò)流狀態(tài)。檢測(cè)到 DESAT 時(shí),“靜音”邏輯會(huì)立即阻斷隔離器輸出,并啟動(dòng)軟關(guān)斷過(guò)程以禁止 OUTH 并將 OUTL 拉至低電平持續(xù)
2μs。當(dāng) OUTL 達(dá)到 2V 時(shí)(相對(duì)于最大負(fù)電源電勢(shì) VEE2),柵極驅(qū)動(dòng)器輸出會(huì)被“硬”拉至 VEE2 電勢(shì),從而立即將 IGBT 關(guān)斷。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí),器件會(huì)通過(guò)隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào),以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入?!办o音”邏輯在軟關(guān)斷期間激活。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存,并只能在 RDY 變?yōu)楦唠娖胶笸ㄟ^(guò) RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷 IGBT,輸出電壓會(huì)被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動(dòng)器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制,這兩個(gè)電路會(huì)監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足,RDY 輸出會(huì)變?yōu)榈碗娖?,否則該輸出為高電平。

ISO5452-Q1 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

特性

  • 適用于汽車(chē)電子應(yīng)用
  • 具有符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果:
    • 器件溫度1級(jí):-40°C至125°C的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍
    • 器件人體模型(HBM)分類等級(jí)3A
    • 器件充電器件模型(CDM)分類等級(jí)C6
  • 共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)
    的最小值為50kV /μs,典型值為100kV /μs(V CM = 1500V時(shí))
  • 分離輸出,可提供2.5A峰值拉電流和5A峰值灌電流
  • 短暫傳播延遲:76ns(典型值),
    110ns(最大值)
  • 2A有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 短路期間的軟關(guān)斷(STO)
  • 在檢測(cè)到去飽和故障時(shí)通過(guò) FLT 發(fā)??出故障報(bào)警,并通過(guò) RST 復(fù)位
  • 具有就緒(RDY)引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定(UVLO)
  • 有源輸出下拉特性,在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
  • 2.25V至5.5V輸入電源電壓
  • 15V至30V輸出驅(qū)動(dòng)器電源電壓
  • 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)兼容輸入
  • 抑制短于20ns的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
  • 可承受的浪涌隔離電壓達(dá)10000V PK
  • 安全及管理認(rèn)證:
    • 符合DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10):2006-12標(biāo)準(zhǔn)的8000 V PK V IOTM 和1420 V PK V IORM 增強(qiáng)型隔離
    • 符合UL 1577標(biāo)準(zhǔn)且長(zhǎng)達(dá)1分鐘的5700 V RMS 隔離
    • CSA組件驗(yàn)收通知5A,IEC 60950-1和IEC 60601-1終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
    • 符合EN 61010-1和EN [li> GB4943.1-2011 CQC認(rèn)證
    • 已通過(guò)UL,VDE,CQC,TUV認(rèn)證并規(guī)劃進(jìn)行CSA認(rèn)證

應(yīng)用

  • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器:
    • 混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)和電動(dòng)車(chē)(EV)電源模塊
    • 工業(yè)電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)
    • 工業(yè)電源
    • 太陽(yáng)能逆變器
    • 感應(yīng)加熱

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

?
Isolation Rating (Vrms)
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk)
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk)
Number of Channels (#)
Power Switch
Enable/Disable Function
Output VCC/VDD (Max) (V)
Output VCC/VDD (Min) (V)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Peak Output Current (A)
Prop Delay (ns)
Prop Delay (Max) (ns)
Operating Temperature Range (C)
Package Group
ISO5452-Q1 ISO5451-Q1 ISO5851-Q1 ISO5852S-Q1
5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ?
8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ?
1420 ? ? 1420 ? ? 2121 ? ? 2121 ? ?
1 ? ? 1 ? ? 1 ? ? 1 ? ?
SiCFET
IGBT ? ?
IGBT ? ? IGBT ? ? IGBT
MOSFET ? ?
N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ?
30 ? ? 30 ? ? 30 ? ? 30 ? ?
15 ? ? 15 ? ? 15 ? ? 15 ? ?
2.25 ? ? 3 ? ? 3 ? ? 2.25 ? ?
5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ?
5 ? ? 5 ? ? 5 ? ? 5 ? ?
76 ? ? 76 ? ? 76 ? ? 76 ? ?
110 ? ? 110 ? ? 110 ? ? 110 ? ?
-40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ?
SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
元器件購(gòu)買(mǎi) ISO5452-Q1 相關(guān)庫(kù)存

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