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      ISO5851-Q1 ISO5851-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，具有有源安全

      數(shù)據(jù)：

      描述

      ISO5851-Q1是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有2.5A的輸電端由3V至5.5V的單電源供電運(yùn)行。輸出端允許的電源范圍為15V至30V。兩個(gè)互補(bǔ)CMOS輸入控制柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出狀態(tài).76ns的

      內(nèi)置的去飽和（DESAT）故障檢測(cè)功能可識(shí)別IGBT何時(shí)處于過載狀態(tài)。當(dāng)檢測(cè)到DESAT時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器輸出會(huì)被拉低為V EE2 電勢(shì)，從而將IGBT立即關(guān)斷。

      當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí)，器件會(huì)通過隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào)，以及輸入端的< span style =“text-decoration：overline”> FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低平有效脈沖復(fù)位。

      如需了解所有可用封裝，請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。

      <小>所有商標(biāo)是其相應(yīng)所有者的財(cái)產(chǎn)。

      如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷IGBT，輸出電壓會(huì)被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。

      當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí)，器件會(huì)通過隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào)，以及輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

      如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷IGBT，輸出電壓會(huì)被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。

      柵極驅(qū)動(dòng)器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制，這兩個(gè)電路會(huì)監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY輸出會(huì)變?yōu)榈碗娖?否則，該輸出為高電平。

      ISO5851-Q1采用16引腳小外形尺寸集成電路（SOIC）封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為-40°C至125°C。

      特性

      • 適用于汽車電子標(biāo)準(zhǔn)
      • 具有符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
        • 器件溫度1級(jí)：-40°C至125°C的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍
        • 器件人體模型（HBM）分類等級(jí)3A
        • 器件充電器件模型（CDM）分類等級(jí)C6
      • 在V CM = 1500V時(shí)，共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）的最小值為100kV /μs
      • 2.5A峰值拉電流和5A峰值灌電流
      • 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
        110ns（最大值）
      • 2A有源米勒鉗位
      • 輸出短路鉗位
      • 在檢測(cè)到去飽和故障時(shí)通過 FLT 發(fā)??出故障報(bào)警，并通過 RST 復(fù)位
      • 具有就緒（RDY）引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定（UVLO）
      • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
      • 3V至5.5V輸入電源電壓
      • 15V至30V輸出驅(qū)動(dòng)器電源電壓
      • 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容輸入
      • 抑制短于20ns的的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
      • 可承受的浪涌隔離電壓達(dá)12800V PK “
      • 安全及管理認(rèn)證：
        • 符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）：2006-12標(biāo)準(zhǔn)的8000 V PK V IOTM 和2121 V PK V IORM 增強(qiáng)型隔離
        • 符合UL 1577標(biāo)準(zhǔn)且長(zhǎng)達(dá)1分鐘的5700 V RMS 隔離
        • CSA組件驗(yàn)收通知5A，IEC 60950-1和IEC 60601-1終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
        • 符合EN 61010-1和EN 60950-1標(biāo)準(zhǔn)的TUV認(rèn)證
        • GB4943.1-2011 CQC認(rèn)證
        • 已通過UL，VDE，CQC，TUV認(rèn)證并規(guī)劃進(jìn)行CSA認(rèn)證

      應(yīng)用

      • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）驅(qū)動(dòng)器：
        • 混合動(dòng)力汽車（HEV）和電動(dòng)車（EV）電源模塊
        • 工業(yè)電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)
        • 工業(yè)電源
        • 太陽(yáng)能逆變器
        • 感應(yīng)加熱

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

      ?
      Isolation Rating (Vrms)
      DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk)
      DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk)
      Number of Channels (#)
      Power Switch
      Enable/Disable Function
      Output VCC/VDD (Max) (V)
      Output VCC/VDD (Min) (V)
      Input VCC (Min) (V)
      Input VCC (Max) (V)
      Peak Output Current (A)
      Prop Delay (ns)
      Prop Delay (Max) (ns)
      Operating Temperature Range (C)
      Package Group
      ISO5851-Q1 ISO5451-Q1 ISO5452-Q1 ISO5852S-Q1
      5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ?
      8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ?
      2121 ? ? 1420 ? ? 1420 ? ? 2121 ? ?
      1 ? ? 1 ? ? 1 ? ? 1 ? ?
      IGBT ? ? IGBT ? ? SiCFET
      IGBT ? ?      		 IGBT
      MOSFET ? ?
      N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ?
      30 ? ? 30 ? ? 30 ? ? 30 ? ?
      15 ? ? 15 ? ? 15 ? ? 15 ? ?
      3 ? ? 3 ? ? 2.25 ? ? 2.25 ? ?
      5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ?
      5 ? ? 5 ? ? 5 ? ? 5 ? ?
      76 ? ? 76 ? ? 76 ? ? 76 ? ?
      110 ? ? 110 ? ? 110 ? ? 110 ? ?
      -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ?
      SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ?

      技術(shù)文檔

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