優(yōu)勢和特點

• 低噪聲系數(shù)：1.8 dB（典型值）
• 高增益：19.5 dB
• 高P1dB輸出功率：16 dBm（典型值）
• 單電源：3.5 V (80 mA)
• 輸出IP3：28 dBm
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低靜態(tài)漏極控制(IDQ)。
• 3 mm × 3 mm、16引腳芯片級(LFCSP)封裝：9 mm2

產(chǎn)品詳情

HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用無引腳3 mm × 3 mm塑料表貼封裝。該放大器的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信號增益，1.8 dB的噪聲系數(shù)，28 dBm的輸出IP3，采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。

16 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動器。HMC902LP3E還具有隔直輸入/輸出，內(nèi)部匹配50 Ω，因而非常適合高容量微波無線電和C頻段甚小孔徑終端(VSAT)應用。

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電
• 軍事和太空
• 測試儀器儀表

方框圖