優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 轉(zhuǎn)換增益： 10 dB（典型值）
• 鏡像抑制： 30 dBc（典型值）
• 噪聲系數(shù)： 6 dB（典型值）
• 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率： -10 dBm（典型值）
• 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： -2 dBm（典型值）
• 輸出二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2)： 25 dBm（典型值）
• RFIN上6倍LO泄漏： -40 dBm（典型值）
• 射頻(RF)回波損耗： 10 dB（典型值）
• 本振(LO)回波損耗： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

產(chǎn)品詳情

HMC7587是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下變頻器芯片，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整個(gè)頻段內(nèi)提供10 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和30 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用低噪聲放大器，后接由6倍倍頻器驅(qū)動(dòng)的圖像抑制混頻器。

該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無(wú)需使用濾波器。 可針對(duì)直接變頻應(yīng)用提供差分I和Q混頻器輸出。 或者，可利用外部90°混合型器件和兩個(gè)外部180°混合型器件將輸出合并，以實(shí)現(xiàn)單邊帶應(yīng)用。 所有數(shù)據(jù)包括RF端口上3 mm寬線焊的效應(yīng)以及中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應(yīng)。

應(yīng)用

• E頻段通信系統(tǒng)
• 高容量無(wú)線回程
• 測(cè)試與測(cè)量

方框圖