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FDMF6821B 超小型 高性能 高頻的DrMOS模塊

數(shù)據(jù):

XS?DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動器功率級解決方案,適用于高電流,高頻同步降壓DC-DC應用.FDMF6821B將驅(qū)動器IC,兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強的,超小型6x6毫米封裝中。
通過集成方法,可實現(xiàn)完整開關功率級的驅(qū)動器,MOSFET動態(tài)性能,系統(tǒng)電感和功率MOSFET R DS(ON)優(yōu)化.XS?DrMOS采用飛兆的高性能PowerTrench?MOSFET技術,顯著地降低了開關振鈴噪聲,從而無需在大部分降壓轉(zhuǎn)換器應用中使用緩沖電路。驅(qū)動器IC通過減少死區(qū)時間和傳播延遲,可進一步提高性能。熱警告功能會發(fā)出潛在過溫情況的警告.FDMF6821B還為提高輕負載效率整合了跳躍模式(SMOD#)。FDMF6820B還提供了3態(tài)3.3V PWM輸入,可實現(xiàn)與廣泛的PWM控制器的兼容性。
特性
  • 高于93%的峰值效率
  • 高電流處理能力:55 A
  • 高性能PQFN銅片封裝
  • 三態(tài)3.3V PWM輸入驅(qū)動器
  • 跳頻模式SMOD#(低側(cè)門關斷)輸入
  • 為過溫情況提供熱警告標志
  • 驅(qū)動器輸出禁用功能(DISB#引腳)
  • SMOD#輸入和DISB#輸入各自的內(nèi)部上拉和下拉
  • 飛兆PowerTrench?技術MOSFET,可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲
  • 低端MOSFET中的飛兆SyncFET?(集成肖特基二極管) )技術
  • 集成式自舉肖特基二極管
  • 實現(xiàn)直通保護的自適應柵極驅(qū)動時序
  • 欠壓鎖定(UVLO)
  • 為實現(xiàn)開關頻率達到1MHz而優(yōu)化
  • 飛兆綠色封裝并符合RoHS標準
  • 薄型SMD封裝。
  • 基于英特爾?4.0DrMOS標準
應用
  • 服務器,臺式電腦,筆記本電腦,游戲機,網(wǎng)絡,存儲的核心電源,電信
  • 大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器
  • 多相DC-DC轉(zhuǎn)換器

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關資料(2)
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