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FDMF6704A XS?DrMOS - 超小型 高性能 高頻DrMOS模塊

數(shù)據(jù):

XS?DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動器功率級解決方案,適用于高電流,高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用.FDMF6704A XS?DrMOS將一個驅(qū)動IC,兩個功率MOSFET以及一個自舉肖特基二極管集成到熱性能增強型超緊湊6mmx6mm MLP封裝中。通過集成驅(qū)動器和MOSFET動態(tài)性能,系統(tǒng)感抗和R DS(ON),對整個開關(guān)功率級進行了優(yōu)化。這極大地降低了封裝的寄生效應(yīng)和與傳統(tǒng)分立解決方案相關(guān)的布局挑戰(zhàn).XS?DrMOS采用飛兆的高性能PowerTrench?5 MOSFET技術(shù),大幅降低了同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的振鈴.FowerTrench?5可省去降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的緩沖器電路。驅(qū)動器IC內(nèi)置先進功能,例如提高輕負(fù)載效率的SMOD.5 V柵極驅(qū)動和提高的PCB接口針對最大低端FET裸露焊盤進行了優(yōu)化,以確保獲得更高性能。該產(chǎn)品兼容新的Intel 6 mm x 6 mm DrMOS規(guī)格。
特性
  • 超緊湊型熱增強6 mm x 6 mm ML封裝比傳統(tǒng)分立式解決方案小84%。
  • 同步驅(qū)動器加FET多芯片模塊。
  • 高電流處理能力:35 A。
  • 超過93%的峰值效率。
  • 邏輯電平PWM輸入。
  • 飛兆的PowerTrench?5技術(shù)MOSFET,可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲。
  • 針對最高可達(dá)1 MHz的開關(guān)頻率進行優(yōu)化。
  • 跳躍模式SMOD [低端柵極關(guān)閉]輸入。
  • 低端MOSFET中的飛兆SyncFET?[集成式肖特基二極管]技術(shù)。
  • 集成自舉肖特基二極管。
  • 實現(xiàn)直通保護的適應(yīng)柵極驅(qū)動時序。
  • 驅(qū)動器輸出禁用功能[DISB#引腳]。
  • 欠壓閉鎖(UVLO)。
  • 飛兆綠色封裝并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。薄型SMD封裝。
應(yīng)用
  • TBA

電路圖、引腳圖和封裝圖




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