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FGH40N60DF_F085 600 V 40 A 1.9 V TO-247

數(shù)據(jù):

飛兆半導體的場截止IGBT新系列采用新型場截止IGBT技術,為車用充電器,逆變器及其他低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
特性
  • 最大結(jié)溫:TJ = 175°C
  • 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運行
  • 高電流能力
  • 低飽和電壓:VCE(sat)= 1.7 V(典型值)@IC = 40 A
  • 高輸入阻抗
  • 快速開關EOFF = 6.25 uJ / A
  • 緊密的參數(shù)分布
  • 符合RoHS標準
  • 符合AEC-Q101汽車行業(yè)標準要求

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關資料(2)
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