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      3天內(nèi)不再提示

      FCD260N65S3 N溝道SuperFET

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      SuperFET
      III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超結（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術實現(xiàn)出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術可以最大限度地減少傳導損耗，提供更高的開關性能，并承受極高的dv / dt速率。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統(tǒng)。 700 V @ T = 150°C 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 248 pF） 超低柵極電荷（典型值Qg = 24 nC） 優(yōu)化電容 內(nèi)部柵極電阻：8.7ohm 典型值。 R =222mΩ 100％雪崩測試 符合RoHS標準 波峰焊保證

      技術文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關資料（5）
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