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      H11F3M 6引腳DIP雙向模擬FET輸出光電耦合器

      數(shù)據(jù)：

      H11FXM系列包含一個(gè)韻鋁化鎵IRED發(fā)光二極管，該二極管光學(xué)耦合至對(duì)稱(chēng)雙向硅光電探測(cè)器。探測(cè)器與輸入端絕緣，功能類(lèi)似于理想的隔離式FET，設(shè)計(jì)用于低電平AC和DC模擬信號(hào)的無(wú)失真控制。
      特性
      • 作為一個(gè)遠(yuǎn)程可變電阻：
      • ≤100Ω至≥300MΩ
      • ≤15pF分流電容
      • ≥100GΩI/ O隔離電阻作為模擬開(kāi)關(guān)：
      • 極低失調(diào)電壓
      • 60 V pk-pk 信號(hào)能力
      • 無(wú)電荷注入或閂鎖
      • UL認(rèn)證（文件編號(hào)E90700）
      應(yīng)用
      • 消費(fèi)型設(shè)備
      • 工業(yè)級(jí)電機(jī)

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（8）
      元器件購(gòu)買(mǎi) H11F3M 相關(guān)庫(kù)存

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