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      ON Semiconductor

      NVMFS5C430NLAFT1G

      MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN

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      NVMFS5C430NLAFT1G 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        2 V
      • 連續(xù)漏極電流
        200 A
      • 輸入偏置電容@20V
        4.3 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,50A
        1.2 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2 V
      • 柵極電荷@4.5V
        32 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 反向傳輸電容@20V
        72 pF
      • 功率耗散
        110 W

      Physical

      • 配置
        Single
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        DFN-5(5.9x4.9)

      Compliance

      • 無鉛
        Y
      • RoHS
        Yes

      NVMFS5C430NLAFT1G 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      NVMFS5C430NLAFT1G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Element14

        Element14

      • Digikey

        Digikey